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1/f~γ Noise Characteristics of an n-MOSFET Under DC Hot Carrier Stress
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作者 刘宇安 余晓光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1263-1267,共5页
The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. Th... The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. The hot carrier degradation effect of n-MOSFET in high-,mid-,and low gate stresses and its 1/fγ noise feature are studied. Experimental results agree well with the developed model. 展开更多
关键词 N-MOSfET hot carrier 1/fγ noise
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Radiation-induced 1/f noise degradation of PNP bipolar junction transistors at different dose rates 被引量:1
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作者 赵启凤 庄奕琪 +1 位作者 包军林 胡为 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期261-267,共7页
It is found that ionizing-radiation can lead to the base current and the 1/f noise degradations in PNP bipolar junction transistors. In this paper, it is suggested that the surface of the space charge region of the em... It is found that ionizing-radiation can lead to the base current and the 1/f noise degradations in PNP bipolar junction transistors. In this paper, it is suggested that the surface of the space charge region of the emitter-base junction is the main source of the base surface 1/f noise. A model is developed which identifies the parameters and describes their interactive contributions to the recombination current at the surface of the space charge region. Based on the theory of carrier number fluctuation and the model of surface recombination current, a 1/f noise model is developed. This model suggests that 1/f noise degradations are the result of the accumulation of oxide-trapped charges and interface states. Combining models of ELDRS, this model can explain the reason why the 1/f noise degradation is more severe at a low dose rate than at a high dose rate. The radiations were performed in a Co60 source up to a total dose of 700 Gy(Si). The low dose rate was 0.001 Gy(Si)/s and the high dose rate was 0.1 Gy(Si)/s. The model accords well with the experimental results. 展开更多
关键词 radiation 1/f noise bipolar junction transistors
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A unified drain current 1/f noise model for GaN-based high electron mobility transistors
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作者 刘宇安 庄奕琪 +3 位作者 马晓华 杜鸣 包军林 李聪 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期183-188,共6页
In this work, we present a theoretical and experimental study on the drain current 1/f noise in the AIGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT). Based on both mobility fluctuation and carrier number fluctuati... In this work, we present a theoretical and experimental study on the drain current 1/f noise in the AIGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT). Based on both mobility fluctuation and carrier number fluctuation in a two- dimensional electron gas (2DEG) channel of AlGaN/GaN HEMT, a unified drain current 1/f noise model containing a piezoelectric polarization effect and hot carrier effect is built. The drain current 1/f noise induced by the piezoelectric polarization effect is distinguished from that induced by the hot carrier effect through experiments and simulations. The simulation results are in good agreement with the experimental results. Experiments show that after hot carrier injection, the drain current 1/f noise increases four orders of magnitude and the electrical parameter degradation Agm/gm reaches 54.9%. The drain current 1/f noise degradation induced by the piezoelectric effect reaches one order of magnitude; the electrical parameter degradation Agm/gm is 11.8%. This indicates that drain current 1/f noise of the GaN-based HEMT device is sensitive to the hot carrier effect and piezoelectric effect. This study provides a useful reliability characterization tool for the A1GaN/GaN HEMTs. 展开更多
关键词 1/f noise hot carrier piezoelectric effects ALGAN/GAN HEMT
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The 1/f noise in multiwalled carbon nanotubes
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作者 孔文婕 吕力 +1 位作者 张殿林 潘正伟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第10期2090-2092,共3页
The 1/f noise in multiwalled carbon nanotubes bundles has been investigated between the frequency range of 0.1 to 30 Hz. At room temperature the noise spectrum is standard 1/f, and its level is proportional to the squ... The 1/f noise in multiwalled carbon nanotubes bundles has been investigated between the frequency range of 0.1 to 30 Hz. At room temperature the noise spectrum is standard 1/f, and its level is proportional to the square of the bias voltage. With decreasing temperature the noise level also decreases. At 4.2 K the noise level follows a non-monotonic dependence against the bias voltage, showing a peak at a certain bias voltage, meanwhile its frequency dependence also deviates from the 1/f trend. This anomalous behaviour is discussed within the picture of environmental quantum fluctuation of charge transport in the samples. 展开更多
关键词 carbon nanotubes 1/f noise environmental quantum fluctuation
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THE WAVELET TRANSFORM BASED PROCESSING MEANS FOR 1/f NOISE IN MILLIMETER WAVE FOCAL PLANE ARRAY
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作者 Zhang Yong Li Xingguo(Institute of Millimeter-Wave & Light-Wave Near Sensing Technology, Nanjing University of Science & Technology, Nanjing 210094) 《Journal of Electronics(China)》 1999年第4期343-349,共7页
After briefly introducing the characteristics of 1/f noise in millimeter wave focalplane array detectors, the paper analyses the relation of wavelet transform and 1/f noise in detail, suggests the fashion of decorrela... After briefly introducing the characteristics of 1/f noise in millimeter wave focalplane array detectors, the paper analyses the relation of wavelet transform and 1/f noise in detail, suggests the fashion of decorrelating 1/f noise using the wavelet transform and deduces the relative expressions. The results of computer simulation show good effectiveness. 展开更多
关键词 MILLIMETER wave fOCAL PLANE array 1/f noise WAVELET TRANSfORM Decorrelate
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PBTI stress-induced 1/f noise in n-channel FinFET
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作者 Dan-Yang Chen Jin-Shun Bi +1 位作者 Kai Xi Gang Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第12期536-541,共6页
The influence of positive bias temperature instability(PBTI)on 1/f noise performance is systematically investigated on n-channel fin field-effect transistor(FinFET).The FinFET with long and short channel(L=240 nm,16 n... The influence of positive bias temperature instability(PBTI)on 1/f noise performance is systematically investigated on n-channel fin field-effect transistor(FinFET).The FinFET with long and short channel(L=240 nm,16 nm respectively)is characterized under PBTI stress from 0 s to 104 s.The 1/f noise features are analyzed by using the unified physical model taking into account the contributions from the carrier number and channel mobility fluctuations.The I d-V g,I d-V d,I g-V g tests are conducted to support and verify the physical analysis in the PBTI process.It is found that the influence of the channel mobility fluctuations may not be neglected.Due to the mobility degradation in a short-channel device,the noise level of the short channel device also degrades.Trapping and trap generation regimes of PBTI occur in high-k layer and are identified based on the results obtained for the gate leakage current and 1/f noise. 展开更多
关键词 PBTI 1/f noise fINfET mobility fluctuation
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Lévy Flights, 1/<i>f </i>Noise and Self Organized Criticality
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作者 Oliver López Corona Pablo Padilla +2 位作者 Oscar Escolero Alejandro Frank Ruben Fossion 《Journal of Modern Physics》 2013年第3期337-343,共7页
A new analysis of a previously studied traveling agent model, showed that there is a relation between the degree of homogeneity of the medium where the agents move, agent motion patterns, and the noise generated from ... A new analysis of a previously studied traveling agent model, showed that there is a relation between the degree of homogeneity of the medium where the agents move, agent motion patterns, and the noise generated from their displacements. We proved that for a particular value of homogeneity, the system self organizes in a state where the agents carry out Lévy walks and the displacement signal corresponds to 1/f noise. Using probabilistic arguments, we conjectured that 1/f noise is a fingerprint of a statistical phase transition, from randomness (disorder) to predictability (order), and that it emerges from the contextuality nature of the system which generates it. 展开更多
关键词 Lévy fLIGHTS 1/f noise SELf ORGANIZED CRITICALITY Agents Modelling Complexity
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Bcr-abl阴性骨髓增殖性疾病患者的jak2v617f点突变与socs3基因表达的相关性 被引量:1
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作者 王冬梅 潘崚 +3 位作者 张俊棉 李英华 王红芬 王修乾 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 2008年第3期479-483,共5页
本研究探讨bcr-abl阴性MPD患者中的jak2v617f点突变与socs3基因表达的相关性。选择62例bcr-abl阴性MPD患者(PV26例、ET26例、IMF9例、CNL1例)为研究组,CML20例、AL10例、健康志愿者15名为对照组;用AS-PCR检测各组患者jak2v617f的突变情... 本研究探讨bcr-abl阴性MPD患者中的jak2v617f点突变与socs3基因表达的相关性。选择62例bcr-abl阴性MPD患者(PV26例、ET26例、IMF9例、CNL1例)为研究组,CML20例、AL10例、健康志愿者15名为对照组;用AS-PCR检测各组患者jak2v617f的突变情况,PCR产物纯化后测序以发现突变患者;用RT-PCR方法检测各组socs3 mRNA的表达情况;分析bcr-abl阴性MPD患者中jak2v617f点突变阳性组及阴性组之间socs3 mRNA表达的相关性。结果发现,在62例bcr-abl阴性MPD患者中44例jak2v617f突变阳性(PV23例、ET15例、IMF5例、CNL1例),18例突变阴性。对照组均为阴性。44例突变阳性组中39例表达socs3 mRNA。18例突变阴性组中10例表达socs3 mRNA。jak2v617f突变阳性组与阴性组患者的socs3 mRNA表达率有显著性差异(χ2值=8.44,p<0.005);jak2v617f突变阳性组与阴性组两组患者的socs3 mRNA表达水平也有显著性差异(t值2.167,p=0.035)。结论bcr-abl阴性MPD患者中jak2v617f点突变阳性与阴性组socs3 mRNA的表达率及表达水平均有显著性差异。 展开更多
关键词 骨髓增殖性疾病 JAK2V617f socs3基因 bcr—ab1基因 基因突变
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Low frequency noise in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a top thin MgO layer
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作者 郭会强 唐伟跃 +4 位作者 刘亮 危健 李大来 丰家峰 韩秀峰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期48-51,共4页
Low frequency noise has been investigated at room temperature for asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions(DBMTJs), where the coupling between the top and middle CoFeB layers is antiferromagnetic with a 0... Low frequency noise has been investigated at room temperature for asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions(DBMTJs), where the coupling between the top and middle CoFeB layers is antiferromagnetic with a 0.8-nm thin top Mg O barrier of the CoFeB/MgO/CoFe/CoFeB/MgO/CoFe B DBMTJ. At enough large bias, 1/f noise dominates the voltage noise power spectra in the low frequency region, and is conventionally characterized by the Hooge parameter αmag.With increasing external field, the top and bottom ferromagnetic layers are aligned by the field, and then the middle free layer rotates from antiparallel state(antiferromagnetic coupling between top and middle ferromagnetic layers) to parallel state. In this rotation process αmag and magnetoresistance-sensitivity-product show a linear dependence, consistent with the fluctuation dissipation relation. With the magnetic field applied at different angles(θ) to the easy axis of the free layer,the linear dependence persists while the intercept of the linear fit satisfies a cos(θ) dependence, similar to that for the magnetoresistance, suggesting intrinsic relation between magnetic losses and magnetoresistance. 展开更多
关键词 magnetic tunnel junctions double barrier magnetic tunnel junctions 1/f noise fluctuation dissipa-tion relation
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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究 被引量:8
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作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期857-860,共4页
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪... 对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射. 展开更多
关键词 1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级
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1/f噪声的精确测量及其在太阳能电池可靠性筛选中的应用 被引量:10
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作者 周求湛 张彦创 +1 位作者 周承鹏 吴丹娥 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期625-631,共7页
为了实现对太阳能电池可靠性的筛选分类,建立了一套低频噪声自动测试系统。首先,根据太阳能电池1/f噪声的来源,确定了在大电流密度情况下以1/f噪声功率谱作为太阳能电池可靠性指示的可行性。然后,由测试得到的功率谱曲线明确了通过比较... 为了实现对太阳能电池可靠性的筛选分类,建立了一套低频噪声自动测试系统。首先,根据太阳能电池1/f噪声的来源,确定了在大电流密度情况下以1/f噪声功率谱作为太阳能电池可靠性指示的可行性。然后,由测试得到的功率谱曲线明确了通过比较在f为1Hz频点处的1/f噪声功率谱值大小可以区分太阳能电池的可靠性。最后,根据半导体器件可靠性试验验证的分类标准,给出了确定筛选阈值的方法。实验结果表明:该方法可以在短时间内无损地完成一批太阳能电池3个等级的可靠性分类,平均每个太阳能电池的测试时间只需5min。采用该筛选方法,能精确检测单一器件,解决了传统方法花费大、周期长,易引起器件的损伤,且只能得到一批器件可靠性的统计规律的问题。该方法适用于对太阳能电池可靠性要求高的应用场合。 展开更多
关键词 太阳能电池 1/f噪声 可靠性 筛选方法
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1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础 被引量:7
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作者 马仲发 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 薛丽君 万长兴 施超 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期575-579,共5页
分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱... 分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱浓度的关系 ,得出了与实验相一致的定性结果 ,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流 1/f噪声检测方法提供了理论依据 . 展开更多
关键词 MOSfET 静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗
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分形分析1/f噪声性能 被引量:8
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作者 陈晓娟 唐龙泳 +1 位作者 隋吉生 吴洁 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第1期28-31,6,共4页
电子器件的低频噪声通常由闪烁(1/f噪声)噪声、g-r噪声和爆裂噪声3种成分构成。这些噪声通常与晶体管表面状态或内部缺陷有关,其中,1/f噪声已成为对器件的质量评估及可靠性预测的重要指标。提出分形分析方法,对1/f噪声性能进行分析。仿... 电子器件的低频噪声通常由闪烁(1/f噪声)噪声、g-r噪声和爆裂噪声3种成分构成。这些噪声通常与晶体管表面状态或内部缺陷有关,其中,1/f噪声已成为对器件的质量评估及可靠性预测的重要指标。提出分形分析方法,对1/f噪声性能进行分析。仿真实验结果验证了该方法的可行性,为今后用分形理论研究器件低频噪声提供了理论依据。 展开更多
关键词 低频噪声 1/f噪声 分形分析
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基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究 被引量:6
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作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 李伟华 马仲发 万长兴 《电子器件》 EI CAS 2006年第2期369-372,共4页
传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的... 传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的1/f噪声幅值比传统的测试方法低2个数量,以小波理论构建的两个参量更深入细微地表征了1/f噪声特性:模极大值分布能够鉴别不同类型的1/f噪声产生机构,相似系数可描述应力对器件1/f噪声的影响。 展开更多
关键词 小波分析 虚拟仪器 1/f噪声 模极大值 相似系数
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基于小波分析的1/f噪声降噪 被引量:10
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作者 王爱萍 王惠南 《数据采集与处理》 CSCD 北大核心 2006年第2期217-221,共5页
同传统加速度计相比,光纤加速度计具有结构简单、性价比高、输出精度较高等特点,可以满足中等精度的导航制导要求,但输出信号通常受随机噪声的干扰,其中1/f噪声就是影响光纤加速度计精度的一个重要因素。由于小波分析兼具时频分析和尺... 同传统加速度计相比,光纤加速度计具有结构简单、性价比高、输出精度较高等特点,可以满足中等精度的导航制导要求,但输出信号通常受随机噪声的干扰,其中1/f噪声就是影响光纤加速度计精度的一个重要因素。由于小波分析兼具时频分析和尺度分析的功能,加之1/f噪声在小波域呈现出某些特殊的性质,因此小波分析成为研究1/f噪声的良好工具。本文提出一种处理加速度信号中1/f噪声的新方法,即选取适当的阈值对1/f噪声进行滤波处理,仿真结果表明该方法科学有效。 展开更多
关键词 光纤加速度计 随机噪声 1/f噪声 小波变换 多分辨分析 软阈值
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1/f分形噪声的一种多尺度Kalman滤波方法 被引量:6
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作者 李强 王其申 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-12,共6页
针对淹没在1/f分形噪声中的有用信号恢复问题,提出了一种基于小波变换与Kalman滤波的多尺度滤波算法。首先将带有1/f分形噪声的信号分解成多尺度的子带信号,通过小波变换对1/f分形噪声的白化作用,消除了1/f分形噪声的自相似性和长... 针对淹没在1/f分形噪声中的有用信号恢复问题,提出了一种基于小波变换与Kalman滤波的多尺度滤波算法。首先将带有1/f分形噪声的信号分解成多尺度的子带信号,通过小波变换对1/f分形噪声的白化作用,消除了1/f分形噪声的自相似性和长程相关性。然后在小波域内,利用Kalman滤波实现了噪声和有用信号的分离,估计出了各子带中的有用信号。最后进行小波重构,较好地恢复出淹没在1/f分形噪声中的有用信号。仿真实验表明,使用多尺度Kalman滤波器能有效地抑制分形噪声,显著地提高了信噪比。 展开更多
关键词 图像处理 KALMAN滤波 小波变换 1/f分形噪声 自相似性
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红外探测器的1/f噪声谱测试 被引量:3
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作者 岳冬青 李燕兰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第2期155-156,共2页
研究红外探测器的 1 f噪声谱是为了解探测器表面处理情况 ,尽可能地降低 1 f噪声谱的转折频率。文中对 1 f噪声进行简单介绍后 ,叙述了 1 f噪声测试原理及系统组成 ,最后给出了典型的HgCdTe光导 光伏型探测器的 1 f噪声谱曲线 ,并对其... 研究红外探测器的 1 f噪声谱是为了解探测器表面处理情况 ,尽可能地降低 1 f噪声谱的转折频率。文中对 1 f噪声进行简单介绍后 ,叙述了 1 f噪声测试原理及系统组成 ,最后给出了典型的HgCdTe光导 光伏型探测器的 1 f噪声谱曲线 ,并对其进行了分析说明。 展开更多
关键词 1/f噪声 红外探测器 电流噪声 噪声谱测试
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λ-DNA通过纳米通道产生电流信号的1/f噪声分析 被引量:1
18
作者 顾兴中 刘磊 +1 位作者 王霏 倪中华 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期724-728,共5页
利用膜片钳采集了λ-DNA通过纳米通道时的电流信号,分析了电压、通道几何形状与尺寸、盐浓度以及通道材料等因素对信号1/f噪声的影响.研究结果表明,纳米通道内的1/f噪声是由溶液体态离子与壁面电荷综合作用引起的.对于氮化硅纳米通道,... 利用膜片钳采集了λ-DNA通过纳米通道时的电流信号,分析了电压、通道几何形状与尺寸、盐浓度以及通道材料等因素对信号1/f噪声的影响.研究结果表明,纳米通道内的1/f噪声是由溶液体态离子与壁面电荷综合作用引起的.对于氮化硅纳米通道,当电压绝对值增大至一定程度时,通道内部会出现电荷局部拥挤现象,导致局部电阻增大,1/f噪声的功率也随之增大.孔径对氮化硅纳米通道检测信号的1/f噪声影响相对较小.石墨烯的结构电容大并具有极高的载流子迁移率,故其噪声信号明显强于氮化硅纳米通道.研究结果有助于辨识λ-DNA通过纳米通道时产生的高信噪比电流信号. 展开更多
关键词 纳米通道 Λ-DNA 1 f噪声
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集成运算放大器参数时漂的1/f噪声预测方法 被引量:4
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作者 庄奕琪 孙青 侯洵 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第4期401-407,共7页
寿命试验和噪声测试结果表明,如果集成运算放大器的主要失效模式是输入偏置电流或失调电流随时间的漂移,则这种漂移量与运放的1/f噪声电流具有强相关性,二者近似呈正比关系。理论分析表明,这种漂移可归因于作为1/f噪声直接起源的氧化层... 寿命试验和噪声测试结果表明,如果集成运算放大器的主要失效模式是输入偏置电流或失调电流随时间的漂移,则这种漂移量与运放的1/f噪声电流具有强相关性,二者近似呈正比关系。理论分析表明,这种漂移可归因于作为1/f噪声直接起源的氧化层陷阱对硅中电子的慢俘获作用。据此,提出了通过1/f噪声测量对集成运放特定参数时漂进行快速无损评估的方法。 展开更多
关键词 1/f噪声 运算放大器 漂移 氧化层陷阱
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GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响 被引量:1
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作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期33-36,共4页
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级... 在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷. 展开更多
关键词 红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱
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