拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜制备及其电输运性能研究

文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)法,在超高真空的条件下,于蓝宝石衬底上制备超薄的高质量拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用反射高能电子衍射(reflection high-energy electron diffraction, RHEED)仪、X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)仪、显微共焦激光拉曼光谱仪(micro confocal laser Raman spectrometer)和X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)仪对不同Sb掺杂量的样品进行表征,并获得最佳的制备参数。研究结果表明:衬底温度为460℃时Bi和Te的流量比为1∶16左右;在Sb温度为350、360、370、380℃时,可以制得高质量的(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用霍尔效应测量系统测量样品的电阻率、霍尔系数、迁移率和载流子浓度;测量结果表明,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜的载流子浓度和主要载流子类型随x的变化而发生相应的变化,并伴随着费米能级位置的调谐,随着x的增加,在x=0.53到x=0.68的掺杂过程中,费米能级从导带下移到带隙,最终进入价带,多数载流子类型也从自由电子转变成空穴,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)实现了从n型到p型的转化。

5G网络SSB 1+X波束技术应用研究

3GPP标准在5G中引入了波束扫描和空域的维度,信道状态信息(channel state information,CSI)是UE上报给eNodeB的信道状态信息,信道状态信息参考信号(channel state information-reference signal,CSI-RS)是UE用来获取信道状态信息的参考信号。终端接入时基站采用SSB波束轮发探测终端的最优波束,在终端接入后获取参考信号的配置信息后对信道状态信息进行反馈,基站采用CSI-RS波束轮发的最优波束。5G天线灵活配置波束个数并且兼顾水平维度、垂直维度的覆盖。结合广播波束发展、现网水平7波束面临的挑战,分析比较了水平7波束与1+X波束两种方案,并对两种方案进行测试分析。测试结果表明,1+X波束具有较水平7波束覆盖相当、控制干扰、降低资源开销和设备能耗的优势,结合自动优化工具的应用达到提升工作效率的效果。

Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格的结构研究

红外技术正在从机械扫描成像系统向新一代固体成像系统过渡。Hg1 xCdxTe红外焦平面列阵器件是最佳选择。它的禁带宽度随组分在 0～ 1 .6eV之间可调 ,也就是说 ,它可做成多种响应波长的红外探测器 ,而且其探测率要比GaAs量子阱、InSb都要高出一个多数量级。当然Hg1 xCdxTe材料也有某些缺点 ,例如难以做到大面积结构完整、组分均匀 ,难以控制其截止波长 ,并且暗电流较大等。与Hg1 xCdxTe体材料相比 ,Hg1 xCdxTe HgTe超晶格可以通过调节HgTe层和Hg1 xCdxTe层的相应厚度来控制其截止波长 ,而且还有暗电流小等优点。因此Hg1 xCdxTe HgTe超晶格材料不仅在研制长波和超长波红外量子阱探测器方面有潜在优势 ,而且在研制MIS红外器件方面也显示出优越性 (Hg1 xCdxTe HgTe超晶格MIS器件的击穿电压比Hg1 xCdxTe体材料MIS器件的还高 )。Fauriep和Becker等人对Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的制备工艺进行了研究 ,Tardotp等人研究了CdTe HgTe超晶体中Hg和Cd的互扩散 ,而且Hg1 xCdTe -HgTe的结构特征和光电特性的研究引起了广泛关注。研究MBE法生长的Hg1 xCdxTe HgTe超晶格的结构特征 ,可弄清结构缺陷的生长机制和分布规律 ,并有助于研究晶体生长的机理。本文介绍了用X射线衍射测定Hg1 xCdxTe HgTe超晶格样品在 ( 0 0 2 )附近?

基于5G网络的1+X立体覆盖研究

在5G NR中,整个系统都以波束为中心进行设计,因此相比2G/3G/4G,5G覆盖在波束赋形的基础上,可以实现前所未有的灵活性。5G网络发展初期以快速覆盖为目的,采用单一的8波束配置,无法满足高楼场景的特殊覆盖需求。本文创新性地提出1+X立体覆盖方案,介绍了其基本特点和实现原理,并结合实际测试验证了1+X波束配置相比传统8波束带来的增益,证实了1+X立体覆盖方案的有效性。

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究

介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

放射治疗电子线处方剂量计算系统的研究

目的探讨放射治疗处方剂量计算,特别是电子线不规则野处方剂量的计算方法,建立其计算模型,并设计其程序。方法通过理论建立射野大小与输出量关系的数学模型,并将程序计算与实测结果进行比较。结果程序处方剂量计算结果与实测结果误差:X线<±1%,电子线<±2.5%,两者符合剂量计算误差<±2.5%的要求。结论实野长宽法可用于电子线处方剂量的计算;本处方剂量计算系统可用于放射治疗各治疗机常规外照射的物理剂量计算。

In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究

用ＧＳＭＢＥ方法生长出了高质量的具有不同阱宽（ｌ～１１ｎｍ）的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料．通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份．对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量．半高宽数值表明，量子阱界面具有原子级的平整度．与７ｎｍ和９ｎｍ阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为４．５ｍｅＶ．

In掺杂对PbTe薄膜结构及电输运特性影响

本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上外延生长了Pb1-xInxTe (0.00 ≤ x ≤ 0.20)薄膜。研究结果表明当x ≤ 0.06时,In在PbTe中进行替位式掺杂,形成n型的立方相Pb1?xInxTe结构,薄膜电导率随In掺杂量的增加而增大;当x ≥ 0.10时,In掺杂出现过饱和,过量的In形成In2Te3结构相,Pb1-xInxTe薄膜电导率急剧下降。整个掺杂过程中,In均向薄膜表面发生了偏析。综合分析不同In掺杂量下Pb1-xInxTe薄膜的Seebeck系数和电导率测试结果,可以得出In的微量掺杂可实现PbTe薄膜电输运性能的提升,In掺杂量为0.06时薄膜表现出最佳的电输运性能,440K时Pb1-xInxTe (x = 0.06)的功率因子可达9.7 μW-cm-1`K-2,为本征PbTe最大功率因子的1.2倍。

基于离子束辅助沉积生长柔性类单晶硅的方法

通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜。在整个过程中,类单晶的Ge被用作晶格匹配的缓冲层进行Si的外延生长,其中Ge的基材来源于用IBAD法制备的双轴织构的氧化物过渡层。通过Si_(x)Ge_(1-x)的梯度溅射进行Ge与Si之间的过渡,减少其界面缺陷。生长出的外延硅沿[001]方向高度取向,具有强烈的双轴织构,电子背散射衍射结果显示生长的类单晶硅薄膜具有小角度晶界,并且超过98%的晶粒与晶粒间的取向差小于2°。透射电子显微镜(TEM)的电子衍射图也证实了薄膜的类单晶性质。Raman光谱显示硅薄膜具有高的结晶度,结晶度几乎可与单晶硅片相媲美。与没有Si_(x)Ge_(1-x)缓冲层的Si薄膜相比,具有缓冲层的Si薄膜表现出更好的织构、结晶度和更少的缺陷。在电性能方面,测得的n-Si薄膜掺杂浓度约为5×10^(18)cm^(-3),电子迁移率为110 cm^(2)/(V·s)。因此,采用RFMS和IBAD的方法可以为在柔性和低成本的非晶衬底上直接沉积高电子迁移率半导体薄膜提供一种新思路,这种新思路也为高性能印刷电子、柔性太阳电池和柔性电子应用提供了新的机会。

利用光折变晶体扇形散射效应实现多路图像的色彩转换

报道利用光折变晶体扇形散射效应实现一路图像转换为二路或多路色彩不同的图像的方法。用此方法可得到不同色彩的正转换图像 ,其分辩率达到 2 8line pairs/ mm;该方法亦可用于将一路非相干图像转换成二路或多路相干图像。