期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
亚表面齐纳基准二极管可靠性的1/f噪声预测方法 被引量:1
1
作者 庄奕琪 孙青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期611-616,共6页
寿命试验和噪声测试结果表明,亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化,同时发现失效器件皆为高初始1/f噪声器件,而且其寿命与初始1/f噪声电压近似成反比关系.机理分析表明,1/f噪声... 寿命试验和噪声测试结果表明,亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化,同时发现失效器件皆为高初始1/f噪声器件,而且其寿命与初始1/f噪声电压近似成反比关系.机理分析表明,1/f噪声和基准电压退化均可归因于p-n结耗尽区内的位错.据此,可利用1/f噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价. 展开更多
关键词 齐纳二极管 可靠性 1/f噪声预测
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部