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特种非对称低损耗1×5光分路器
被引量:
1
1
作者
王亮亮
安俊明
+7 位作者
吴远大
王玥
张家顺
张晓光
潘盼
张俪耀
胡雄伟
赵德刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期298-302,共5页
设计和优化了一种新型低损耗、低偏振的基于二氧化硅的特种非对称1×5光分路器.在设计Y分支结构时,输入端采用缓变展宽波导结构和直波导过渡波导相结合的结构,此结构可以使输入光场缓慢展宽,进行分束前的准备,大大减小分支结构的辐...
设计和优化了一种新型低损耗、低偏振的基于二氧化硅的特种非对称1×5光分路器.在设计Y分支结构时,输入端采用缓变展宽波导结构和直波导过渡波导相结合的结构,此结构可以使输入光场缓慢展宽,进行分束前的准备,大大减小分支结构的辐射损耗和模式转换损耗.非对称1×5光分路器第一个端口输出功率占50%,第二至五端口输出功率占50%.利用三维光束传播法模拟和优化了特种非对称1×5光分路器,模拟结果表明,该结构具有均匀性好、器件尺寸小、低损耗和低偏振等优点,1×5光分路器在1 250~1 650nm波长范围内,第一个输出端口附加损耗小于0.07dB,均匀性小于0.023dB,偏振相关损耗小于0.009dB,第二到五端口附加损耗小于0.45dB,均匀性小于0.41dB,偏振相关损耗小于0.06dB.
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关键词
缓变展宽
1×
5
光分路器
非对称
光束传播法
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职称材料
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
2
作者
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻...
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
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关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
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职称材料
题名
特种非对称低损耗1×5光分路器
被引量:
1
1
作者
王亮亮
安俊明
吴远大
王玥
张家顺
张晓光
潘盼
张俪耀
胡雄伟
赵德刚
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
河南仕佳光子科技有限公司
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期298-302,共5页
基金
面上基金项目(No.61274047)
重点基金项目(No.60837001)资助
文摘
设计和优化了一种新型低损耗、低偏振的基于二氧化硅的特种非对称1×5光分路器.在设计Y分支结构时,输入端采用缓变展宽波导结构和直波导过渡波导相结合的结构,此结构可以使输入光场缓慢展宽,进行分束前的准备,大大减小分支结构的辐射损耗和模式转换损耗.非对称1×5光分路器第一个端口输出功率占50%,第二至五端口输出功率占50%.利用三维光束传播法模拟和优化了特种非对称1×5光分路器,模拟结果表明,该结构具有均匀性好、器件尺寸小、低损耗和低偏振等优点,1×5光分路器在1 250~1 650nm波长范围内,第一个输出端口附加损耗小于0.07dB,均匀性小于0.023dB,偏振相关损耗小于0.009dB,第二到五端口附加损耗小于0.45dB,均匀性小于0.41dB,偏振相关损耗小于0.06dB.
关键词
缓变展宽
1×
5
光分路器
非对称
光束传播法
Keywords
Gradually broadening
1×5 optical power splitter
Asymmetric
Beam propagation method
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
TN203 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
2
作者
董启明
郭小伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.60906052)
文摘
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
Keywords
Interference lithography
Surface plasmon plortiton
Kretschmann structureCLCN: TN30
5
.7 Document Code:A Article ID:
1
004-42
1
3(20
1
2)0
5
-0
5
5
8-70 IntroductionThere is a growing interest in exploring new nanolithography techniques with high efficiency,low cost and large-area fabrication to fabricate nanoscale devices for nanotechnology applications.Conventional photolithography has remained a useful microfabrication technology because of its ease of repetition and suitability for large-area fabrication[
1
].The diffraction limit,however,restricts the fabrication scale of photolithography[2].Potential solutions that have actually been pursued require increasingly shorter illumination wavelengths for replicating smaller structures.It is becoming more difficult and complicated to use the short
optical
wavelengths to reach the desired feature sizes.Other methods such as electron beam lithography[3],ion beam lithography[4],scanning probe lithography[
5
],nanoimprint lithography(NIL)[6],and evanescent near-field
optical
lithography(ENFOL)[7] have been developed in order to achieve nanometer-scale features.As we know,the former three techniques need scanning and accordingly are highly inefficient.In NIL,the leveling of the imprint template and the substrate during the printing process,which determines the uniformity of the imprint result,is a challenging issue of this method.ENFOL have the potential to produce subwavelength structures with high efficiency,but it encounters the fact that the evanescent field decays rapidly through the aperture,thus attenuating the transmission intensity at the exit plane and limiting the exposure distance to the scale of a few tens of nanometers from the mask.In recent years,the use of surface-plasmon polaritons(SPPs) instead of photons as an exposure source was rapidly developed to fabricate nanoscale structures.SPPs are characterized by its near field enhancement so that SPP-based lithography can greatly extend exposure depth and improve pattern contrast.Grating-assisted SPP interference,such as SPP resonant interference nanolithography[8] and SPP-assisted interference nanolithography[9],achieved a sub-
1
00nm interference pattern.The techniques,however,are necessary to fabricate a metal grating with a very fine period and only suitable for small-area interference.To avoid the fabrication of the metal grating,a prism-based SPP maskless interference lithography was proposed in 2006,which promises good lithography performance.The approach offers potential to achieve sub-6
5
nm and even sub-32nm feature sizes.However,the structure parameters are always not ideal in a real system.One wants to know how much influence the parameter variations have on the pattern resolution and what variations of the parameters are allowed to obtain an effective interference.Thus,it is necessary to explore the parameter spaces.
1
SPP maskless interference lithography systemThe SPP maskless interference lithography system is shown in Fig.
1
.A p-polarized laser is divided into two beams by a grating
splitter
,and then goes into the prism-based multilayer system.Under a given condition,the metal film can exhibit collective electron oscillations known as SPPs which are charge density waves that are characterized by intense electromagnetic fields confined to the metallic surface.If the metal layer Fig.
1
Schematic for SPP maskless interference lithography systemis sufficiently thin,plasma waves at both metal interfaces are coupled,resulting in symmetric and antisymmetric SPPs.When the thickness h of metal film,dielectric constant ε
1
,ε2,ε3 of medium above,inside,below the metal film are specified,the coupling equation is shown as followstanh(S2h)(ε
1
ε3S22+ε22S
1
S3)+(ε
1
ε2S2S3+ε2ε3S
1
S2)=0
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
特种非对称低损耗1×5光分路器
王亮亮
安俊明
吴远大
王玥
张家顺
张晓光
潘盼
张俪耀
胡雄伟
赵德刚
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
2
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
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