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关于1.25Gbps并串转换CMOS集成电路研究
1
作者
黎翠凤
《数字技术与应用》
2019年第12期21-21,23,共2页
伴随社会经济的持续化发展,现代网络通信系统在此背景下,呈现出迅猛的发展势头。本文围绕1.25Gbps并串转换互补金属氧化物半导体(CMOS),首先简要分析了其芯片结构,探讨了其电路,并进行了仿真分析,望能为此领域研究提供学习借鉴。
关键词
互补金属氧化物半导体
1.25gbps
并串转换
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
关于1.25Gbps并串转换CMOS集成电路研究
1
作者
黎翠凤
机构
鲁东大学
出处
《数字技术与应用》
2019年第12期21-21,23,共2页
文摘
伴随社会经济的持续化发展,现代网络通信系统在此背景下,呈现出迅猛的发展势头。本文围绕1.25Gbps并串转换互补金属氧化物半导体(CMOS),首先简要分析了其芯片结构,探讨了其电路,并进行了仿真分析,望能为此领域研究提供学习借鉴。
关键词
互补金属氧化物半导体
1.25gbps
并串转换
集成电路
Keywords
complementary metal oxide semiconductor
1.25gbps
parallel to serial conversion
integrated circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
关于1.25Gbps并串转换CMOS集成电路研究
黎翠凤
《数字技术与应用》
2019
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