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10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺
被引量:
2
1
作者
技闻
《集成电路应用》
2015年第11期22-24,共3页
FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20...
FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20纳米以下的关键,拥有这个技术的制程与专利,才能确保未来在半导体市场上的竞争力,这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因。创新半导体架构和制造工艺才是关键。
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关键词
晶体管架构
鳍式场效应晶体管
FINFET
10纳米工艺
下载PDF
职称材料
题名
10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺
被引量:
2
1
作者
技闻
出处
《集成电路应用》
2015年第11期22-24,共3页
文摘
FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20纳米以下的关键,拥有这个技术的制程与专利,才能确保未来在半导体市场上的竞争力,这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因。创新半导体架构和制造工艺才是关键。
关键词
晶体管架构
鳍式场效应晶体管
FINFET
10纳米工艺
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺
技闻
《集成电路应用》
2015
2
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职称材料
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