一种110GHz毫米波连接器仿真设计与测试

随着用户对射频连接器性能要求的越来越高,更加高速有效的连接器设计方法和思路是产品设计师必须掌握的。本文阐述了为客户定制的110GHz毫米波连接器的研发设计流程,完成结构参数设计,利用HFSS对产品进行电性能仿真,最后对产品进行实验测试,给出了产品实测数据与仿真分析之间产生偏差的原因。

110GHz阻性平衡三倍频器设计

本文介绍了一种基于阻性肖特基二极管芯片UMS DBES105a的110GHz三倍频器,通过两个芯片反向并联形成了平衡结构,同时提高了倍频器的功率承受能力。电路设计中使用二极管三维电磁模型,匹配设计时未设计专门的输入过渡和滤波器,而是直接经行匹配设计,提供了更多的可优化参量,以达到最佳的匹配效果和带宽。经过HFSS和ADS联合仿真,在频率为31~44GHz,功率为20d Bm的驱动信号激励下,三倍频器输出频率大于7d Bm,最大输出功率为9.1d Bm@105GHz。

110GHz射频同轴连接器的研制

介绍了110GHz射频同轴连接器的研制,着重叙述了在研制过程中,主要考虑的几个问题及介质支撑材料、结构和内导体弹性结构的设计与整体结构的仿真优化。

110GHz微波电离大气产生等离子体过程的理论研究

将描述电磁波的Maxwell方程组和简化的等离子体流体方程组耦合数值求解,对110GHz微波电离大气产生等离子体的过程进行了理论研究.研究发现:在高气压下等离子体成丝状;中等气压下等离子体先成丝状,在向微波源移动的过程中逐渐向连续的等离子体区域过渡;低气压下电离产生连续的等离子体区域.不同气压下等离子体区域都向微波源方向移动.初始电子数密度分布只影响放电初始阶段的等离子体区域形状,不会影响成丝与否.等离子体区域在垂直于电场方向和平行于电场方向的移动规律不同.当电场平行于计算平面时,由于沿着电场方向等离子体两端存在强场区,等离子体区域被拉长,在较低的气压下会出现等离子体丝阵.

大功率单路和功率合成式100-115GHz肖特基平衡式二倍频器

研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器。该功率合成式倍频器在两只127μm厚的ALN基片上焊接了四个分立的肖特基二极管。在800 mW的驱动功率下,两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率,证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率。