高纯锗能谱仪^(125)I核素点源和体源绝对活度测量方法研究

通过^(125)I核素X射线和γ射线的符合相加特性,推导出了仅包含全能峰(27.3、35.5、31.2 keV)净计数率、符合峰(58.5、66.7 keV)净计数率和总谱净计数率的^(125)I活度计算公式,并通过宽能型和N型高纯锗谱仪分别对点源、活性炭盒源和液体源进行了验证。点源到探测器距离不大于5 cm测量时,绝对活度公式计算结果和参考值的相对偏差在±1.2%以内;活性炭盒对^(125)I核素的自吸收效应可以忽略,绝对活度计算公式不受^(125)I核素分布形式的影响,活性炭盒源正反面测量的相对偏差均在±1.4%以内;体积小于40 mL液体源的测量结果和参考值的相对偏差在±2.6%以内,液体源在测量时,样品高度不宜过高,以减少自吸收效应对符合相加峰的减弱效果。实验结果表明在不依赖标准物质和核素参数的情况下,推导的绝对活度计算公式可用于^(125)I核素放射性活度的精确测量。

^(125)I籽粒近距离照射对胶质瘤干细胞的生长抑制作用

目的探讨125I籽粒近距离照射对胶质瘤干细胞的生长抑制作用。方法体外分离培养人胶质瘤干细胞,按照射总剂量分为对照组、10 Gy组、20 Gy组和30 Gy组,应用125I籽粒近距离照射胶质瘤干细胞,台盼蓝染色鉴定照射后细胞死亡率,克隆形成实验鉴定照射后细胞增殖能力。结果细胞死亡率:对照组(7.05±0.21)%,10 Gy组(47.92±0.35)%,20 Gy组(60.77±0.41)%,30 Gy组(84.32±0.53)%;与对照组比较,10~30 Gy组细胞死亡率差异均有统计学意义(P<0.05)。细胞生长分数:对照组为1,10 Gy组为0.75±0.06,20 Gy组0.52±0.04,30 Gy组0.25±0.02;与对照组比较,10~30 Gy组细胞生长分数差异均有统计学意义(P<0.05);且生长分数与照射剂量呈负相关(γ=-0.981,P<0.05)。结论125I籽粒近距离照射可抑制胶质瘤干细胞的增殖并导致细胞死亡。

^(125)I籽粒近距离照射对神经胶质瘤干细胞的影响

目的评价不同剂量125I籽粒近距离照射对神经胶质瘤干细胞的杀伤作用。方法术中取胶质瘤细胞,接种于含生长因子的无血清培养基中培养,使其中的脑肿瘤干细胞增殖,利用细胞免疫荧光检测脑肿瘤干细胞在细胞培养CD133的表达,将125I籽粒置入培养皿中,对脑肿瘤干细胞给予不同剂量、不同时间的近距离照射,检测CD133阳性细胞死亡率、增殖抑制的改变;通过细胞克隆形成法测定125I近距离照射对脑肿瘤干细胞的生长抑制作用。结果与空白对照组比较,照射组细胞死亡率,增殖抑制率明显升高;125I各实验组生长曲线抑制克隆形成,较空白组明显降低。结论125I近距离照射可以通过导致细胞死亡、抑制脑肿瘤干细胞增殖,在胶质瘤的治疗中发挥作用,具有进一步应用临床的前景。

^(125)I球囊内照射治疗脑胶质瘤的研究

目的了解不同剂量125I硅胶球囊内近距离照射对C6胶质瘤细胞的生物学效应,探讨术后内置125I球囊内照射治疗脑胶质瘤的临床效果。方法将125I-NaI溶液放入硅胶球囊内,对体外培养的C6胶质瘤细胞给予不同剂量的近距离照射,检测细胞死亡率、增殖抑制及细胞周期再分布情况。采用125I充填球囊内照射方法治疗脑胶质瘤患者6例。近距离放射治疗剂量为60￣80Gy,持续照射5￣8d。结果与对照组相比,受照射组细胞死亡率、增殖抑制率明显增加,S期比例降低、G1期阻滞,细胞周期发生紊乱。应用于临床后随访一年1例死亡,生存5例,5例患者卡氏评分均较治疗前有明显提高。随诊期内未出现严重并发症。结论125I球囊内照射可以通过导致细胞死亡、细胞增殖抑制以及细胞周期改变在胶质瘤的治疗中发挥作用,方法简便,可提高患者的生存质量和延长患者的生存时间,不会导致严重并发症,是治疗胶质瘤的一种有效方法。