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12GHz　GaAs单片混频器
1
作者 钟慧卿 林金庭 +1 位作者 陈克金 莫火石 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期16-20,共5页
分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。... 分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。 展开更多
关键词 混频器 微波 单片集成电路 MESFET 砷化镓 12ghz
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14／12GHz频段卫星通信业务
2
作者 Hayas,K 叶磊 《电信快报》 1990年第12期9-15,共7页
关键词 卫星通信业务 电视转播 14/12ghz
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降雨引起12GHz微波闪烁的实验结果
3
作者 余少华 李焕矩 姚博文 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第7期526-528,共3页
当对流层中存在有不规则结构时,通过对流层传播的微波信号会发生幅度和相位的快衰落,这种现象称为闪烁.
关键词 雨 闪烁 对流层 微波频率 12ghz
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