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电源——IR新型12VN沟道MOSFET
1
《电子设计应用》
2003年第5期106-107,共2页
关键词
电源
12vn沟道mosfet
IR
国际整流器公司
通态电阻
下载PDF
职称材料
飞兆推出80VN沟道MOSFET器件
2
《电源技术应用》
2005年第2期i009-i009,共1页
飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。
关键词
80
vn
沟
道
mosfet
器件
FDS3572
DC-DC转换器
飞兆半导体公司
下载PDF
职称材料
新型60V Trench MOSFET器件
3
《国外电子元器件》
2003年第2期75-75,共1页
关键词
飞兆半导体公司
mosfet
器件
60
vn
沟
道
下载PDF
职称材料
题名
电源——IR新型12VN沟道MOSFET
1
出处
《电子设计应用》
2003年第5期106-107,共2页
关键词
电源
12vn沟道mosfet
IR
国际整流器公司
通态电阻
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
飞兆推出80VN沟道MOSFET器件
2
出处
《电源技术应用》
2005年第2期i009-i009,共1页
文摘
飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。
关键词
80
vn
沟
道
mosfet
器件
FDS3572
DC-DC转换器
飞兆半导体公司
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN624 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
新型60V Trench MOSFET器件
3
出处
《国外电子元器件》
2003年第2期75-75,共1页
关键词
飞兆半导体公司
mosfet
器件
60
vn
沟
道
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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1
电源——IR新型12VN沟道MOSFET
《电子设计应用》
2003
0
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职称材料
2
飞兆推出80VN沟道MOSFET器件
《电源技术应用》
2005
0
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职称材料
3
新型60V Trench MOSFET器件
《国外电子元器件》
2003
0
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