135Hz极低频电磁场对HepG-2细胞内Ca^(2+)浓度的影响

目的:研究135Hz(电场强度为80V·m-1)极低频电磁场(ELF)暴露对HepG-2细胞内Ca2+浓度的影响。方法:采用荧光探针Fluo-3/AM标记细胞内Ca2+,135HzELF照射HepG-2细胞1h后,利用激光扫描共聚焦显微镜技术测定细胞内Ca2+浓度,加入L-型Ca2+通道拮抗剂硝苯地平,探讨135HzELF影响HepG-2细胞内Ca2+浓度变化的具体机制。结果:未暴露组细胞荧光强度较弱,ELF暴露组细胞荧光强度增高,与未暴露组有统计学意义(P<0.01);用硝苯地平干预组细胞荧光强度减弱,与未干预组有统计学意义(P<0.01)。结论:135HzELF可能通过引起L-型Ca2+通道的开放造成HepG-2细胞发生Ca2+超载。

135Hz极低频电磁场对Hep G-2细胞骨架及Bcl-2的影响

目的:研究135HzELF照射对HepG-2细胞骨架以及Bcl-2表达的影响。方法:135HzELF分别照射HepG-2细胞6h、12h、24h,运用免疫荧光染色法标记广谱细胞角蛋白和抗凋亡蛋白Bcl-2,用激光扫描共聚焦显微镜观察135HzELF照射后细胞骨架以及Bcl-2的变化。结果:135HzELF照射6h,HepG-2细胞胞浆中的角蛋白在核周呈斑片状表达,荧光增强;照射12h,细胞收缩变圆,HepG-2细胞角蛋白丝状纤维减少,部分呈团块状分布;照射24h,HepG-2细胞中角蛋白分布明显不均匀,浓缩于细胞质边缘,多见团块状分布。与之相对应,随着照射时间延长HepG-2细胞中Bcl-2荧光有减弱趋势。结论:135Hz的ELF照射可引起HepG-2细胞骨架发生凝集、部分断裂等凋亡形态变化,这种变化可能是由于Bcl-2表达减少所致。