期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
面向45纳米制造工艺的技术研究 被引量:5
1
作者 高腾 《集成电路应用》 2003年第7期49-51,共3页
随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)... 随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)和极深紫外线(EUV)光刻;(2)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)的高迁移率膜的应用和先进的源/漏极工程方案;(3)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device) 展开更多
关键词 集成电路 45纳米制造工艺 157纳米深紫外线光刻 紫外线光刻 高迁移率膜 金属栅极 CMOS器件 互连 清洗 杂质控制
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部