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面向45纳米制造工艺的技术研究
被引量:
5
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作者
高腾
《集成电路应用》
2003年第7期49-51,共3页
随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)...
随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)和极深紫外线(EUV)光刻;(2)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)的高迁移率膜的应用和先进的源/漏极工程方案;(3)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)
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关键词
集成电路
45
纳米
制造工艺
157纳米深紫外线光刻
极
深
紫外线
光刻
高迁移率膜
金属栅极
CMOS器件
互连
清洗
杂质控制
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职称材料
题名
面向45纳米制造工艺的技术研究
被引量:
5
1
作者
高腾
机构
比利时IMEC微电子研究中心
出处
《集成电路应用》
2003年第7期49-51,共3页
文摘
随着130纳米技术成为集成电路制造工业的主流技术,以及90纳米技术的逐渐成熟,欧洲微电子领域最大的独立研究中心TMEC,已将其研究重心转移到更小尺寸的工艺技术。其中,面向45纳米及更小尺寸的工艺研究项目包括:(1)157纳米深紫外线(DUV)和极深紫外线(EUV)光刻;(2)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)的高迁移率膜的应用和先进的源/漏极工程方案;(3)用于平面缩小器件(Scaled Planar Device)
关键词
集成电路
45
纳米
制造工艺
157纳米深紫外线光刻
极
深
紫外线
光刻
高迁移率膜
金属栅极
CMOS器件
互连
清洗
杂质控制
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
面向45纳米制造工艺的技术研究
高腾
《集成电路应用》
2003
5
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