基于157nm深紫外激光的蓝宝石基片微加工

为了探索157nm深紫外激光对蓝宝石材料的微加工技术,采用157nm激光微加工系统,对蓝宝石基片进行了扫描刻蚀和打孔加工,以研究激光工艺参量与刻蚀深度、表面形貌的关系,分析了157nm深紫外激光对蓝宝石材料的作用机理,并利用扫描刻蚀法在蓝宝石基片上加工了一个2维图形。由实验结果可知,157nm深紫外激光作用于蓝宝石材料是一个光化学作用与光热作用并存的加工过程,适合扫描刻蚀的加工参量为能量密度3.2J/cm^2,重复频率10Hz～20Hz,扫描速率0.15mm/min;在能量密度2.5J/cm^2下的刻蚀率为0.039μm/pulse。结果表明,通过对激光重复频率和扫描速度的控制可实现蓝宝石材料的精细微加工。

157nm激光微加工过程中激光参量对刻蚀性能的影响

为了研究157nm激光工艺参量对刻蚀性能的影响,采用157nm深紫外激光对两种宽禁带材料(石英玻璃和蓝宝石)进行微刻蚀试验,得到了理想的工艺参量范围,蓝宝石的刻蚀速率大约是石英玻璃的一半,并且蓝宝石的刻蚀表面要比石英玻璃粗糙得多。随着刻蚀深度的增加,光解生成物的脱出变得困难,从而导致刻蚀速率的降低。选用较高的扫描速率和较低脉冲频率的组合进行激光扫描刻蚀能有效地降低刻蚀面的粗糙度。结果表明,对非金属材料的刻蚀,激光的能量密度在材料刻蚀阈值的2.5倍～4倍时能获得较好的刻蚀效果。

157nm氟化物光学薄膜制备

为了研制低损耗、高性能的157nm薄膜,研究了常用的六种宽带隙氟化物薄膜材料.制备和研究了六种氟化物单层膜,并以不同高低折射率材料对,设计制备了157nm高反膜和增透膜;讨论和比较了不同氟化物材料对所组成的高反膜和增透膜的反射率、透射率、光学损耗等特性.结果表明,采用NdF3/AlF3材料对设计制备的157nm高反膜的透过率为1.7%,反射率接近93%,散射损耗为2.46%,已经与吸收损耗相当;以AlF3/LaF3材料对设计制备的157nm增透膜的剩余反射率低于0.17%.

基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究

157 nm准分子激光的刻蚀精度高,热影响区极小,是较为理想的半导体材料微加工手段之一。通过大量实验对比,分析157 nm激光对GaN外延片抛光和划片加工过程中,各工艺参数对加工质量的影响。实验结果表明,157 nm激光抛光GaN外延片时,被刻蚀面单位面积累计辐射能量在一定范围内,会得到较好的表面粗糙度(Ra值约20 nm)。157 nm激光用于划片加工时,切槽内辐射的能量越高,残留物质越少,槽加工得越深,两侧壁面也更为陡峭;另外在扫描加工过程中适当地移动工作台高度,可以获得更好的加工效果。

157nm紫外光刻设备用光学材料研究进展

介绍了半导体制进业专用设备,紫外光刻设备所使用的光学材料。介绍了该材料的选择,研究现状,该材料制造工艺技术的创新,以及与材料制造技术相配套的技术发展状况,同时分析了国际市场现状及该技术的发展趋势。

GaN基半导体材料的157nm激光微刻蚀

采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,157 nm激光在能量密度高于2.5 J/cm2时,刻蚀速率可达50 nm/pulse以上。以低于16 Hz脉冲频率和高于0.25 mm/min的扫描速度进行激光直写刻蚀时,可以获得Ra30 nm以下的表面粗糙度。采用扫描刻蚀方法,可以加工出75°左右的刻蚀壁面。实验也证明157 nm激光在三维微结构加工方面具有较大的潜力。单光子吸收电离引起的光化学反应是157 nm激光刻蚀GaN基材料的主要机理。

光纤三维微结构的157nm激光微刻蚀

研究了157 nm激光刻蚀光纤三维微结构的基本性能。实验结果表明,石英材料的刻蚀率随脉冲数的增加呈下降的趋势,大光斑的刻蚀率高于同等条件下小光斑的刻蚀率。为提高微孔加工的质量,脉冲频率不宜高于25 Hz。

基于神经网络的157nm激光微加工

157nm激光被视为光刻和微加工的有力工具之一,其加工的表面质量强烈依赖于激光参数。针对157nm微加工的特点,提出建立人工神经网络优化工艺参数的方法。分析与实验结果表明,利用优化的工艺参数进行激光微加工,其刻蚀质量得到明显提高。

等温多自配引发扩增技术快速检测学校餐饮中三种食源性致病菌

目的:本文研究了一种适合学校餐饮中快速鉴别三种食源性致病菌的检测方法。方法:基于等温多自配引发扩增技术(isothermal multiple self-matching-initiated amplification,IMSA),选择沙门氏菌的invA基因、大肠埃希氏菌O157:H7/NM的rfbE基因和单核细胞增生李斯特氏菌的prfA基因设计特异性引物,检测菌液灵敏度、特异性、最短增菌时间、最低含菌量检出限等指标;以食品安全国家标准食品微生物学检验(GB/T 4789.4-2016、GB/T 4789.30-2016、GB/T 4789.36-2016)为参考方法,比较两种方法的一致性。结果:该方法对沙门氏菌、大肠埃希氏菌O157:H7/NM和单核细胞增生李斯特氏菌的菌液灵敏度分别为2.14×10^(3)、2.79×10^(3)和3.62×10^(3)CFU/mL;特异性高达100%;人工污染最短的增菌时间分别为6、8和8 h;最低含菌量检出限分别为2.14、2.79和3.62 CFU/25 g;74例食品样本的IMSA法结果与国标法一致性达100%。结论:IMSA技术检测食源性致病菌的灵敏度高、特异性强、结果准确,可在短时间内完成食品中三种致病菌的检测,适合于学校餐饮中致病菌的快速鉴别。

光刻系统用氟化钙晶体的研究进展

解释了氟化钙晶体能被应用在光刻系统和掀起研究热潮的原因,概述了氟化钙晶体的研究和发展现状,指出了目前氟化钙晶体在研究和发展过程中要解决的重要问题和措施,最后对氟化钙晶体在光刻系统中的发展前景作了展望.

深亚微米光学光刻设备制造技术

相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。

大肠杆菌O157的致病性:1例大肠杆菌O157∶NM和副溶血性弧菌的重叠感染

目的 探讨从杭州一急性腹泻患者粪便中分离的大肠杆菌 Ｏ１５７∶ Ｎ Ｍ 的致病性。方法对一重叠感染大肠杆菌 Ｏ１５７∶ Ｎ Ｍ 和副溶血性弧菌的急性腹泻患者，调查其临床表现及相关流行病学资料， 同时对分离菌株进行生化特性分析、血清学鉴定、毒力试验等， 并采集发病后第４ 、１８ 天血清与分离菌株试管定量凝集试验， 检测其特异性抗菌抗体。结果 菌株２６ － １ 为大肠杆菌 Ｏ１５７∶ Ｎ Ｍ， Ｖｅｒｏ 毒素阴性， 未携６０ Ｍ Ｄａ 质粒， Ｅ Ｈ Ｅ Ｃ 溶血素基因阴性： 菌株２６ － ２ 为副溶血性弧菌， 为强毒株。患者第４ 、１８ 天血清与分离菌株未见凝集阳性反应。结合临床表现和流行病学资料， 考虑诊断该病例为急性副溶血性弧菌肠炎。结论 我国人群和家畜肠道中可能存在一类致病性不明或非致病性的大肠杆菌 Ｏ１５７ 菌株； Ｅ Ｈ Ｅ Ｃ 的鉴定应重视毒力因子的检测， 同时亦不能忽视患者是否有其它肠道病原体的重叠感染。

大肠埃希氏菌O157∶H7/NM标准物质制备

本文用冷冻干燥法制备含鸡肉基质的大肠埃希氏菌O157∶H7/NM标准物质,以细菌存活率为指标,选择存活率最高的保护剂配方。以经钴-60辐照灭菌的鸡肉粉(无抗生素)作为基质,按适当的比例与保护剂配方液混合,添加菌液,于-70℃速冻20 h后冷冻干燥,对样品进行均匀性检测、稳定性追踪以及建立不确定度评估。结果显示,保护剂最优配方为10%海藻糖+25%脱脂牛奶+4%聚乙烯吡咯烷酮+0.8%甘氨酸;基质液比例为基质∶水=1∶7。按基质液:保护剂配方液=1∶3制备样品,均匀性试验:F统计量=1.197<2.201,均匀性良好。当测量检验结果用2次测量值平均值表示结果时,其值分布区间为±80 CFU/mL,且在-20℃的温度下保存18个月未观测到不稳定性。

食品中大肠埃希氏菌O157:H7/NM能力验证结果分析与讨论

为了提升实验室食品中大肠埃希氏菌O157:H7/NM检测能力,本实验室参加了大连中食国实检测技术有限公司组织的大肠埃希氏菌O157:H7/NM检测能力验证活动。根据《食品安全国家标准食品微生物学检验大肠埃希氏菌O157:H7/NM检验》(GB 4789.36—2016),对疑似菌进行鉴定。结果显示,编号143样品中检出大肠埃希氏菌O157:H7/NM,编号349、142样品中均未检出大肠埃希氏菌O157:H7/NM。本实验室顺利完成能力验证,结果为满意。

光刻胶单体4-(六氟-2-羟基异丙基)苯乙烯的合成工艺研究

研究了光刻胶单体4-(六氟-2-羟基异丙基)苯乙烯(4-HFIP-ST)的合成工艺。以对氯苯乙烯和镁粉为原料,四氢呋喃为溶剂,首先进行格氏试剂的制备,接着通入六氟丙酮气体进行加成反应,反应产物经过盐酸酸化、萃取分离和水洗,得到4-HFIP-ST粗品;粗品经精馏得到纯度大于99.0%的4-(六氟-2-羟基异丙基)苯乙烯。

纳米光刻技术

纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基础 ,已成为当前世界科学研究急需解决的问题 .文章针对目前的科技发展情况 ,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题 .详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及 15 7光刻的原理和实现难点 .作为下一代各种光刻技术 ,它们都有望实现纳米量级的图形 ,但各种技术可实现的分辨力极限有所不同 .5 0nm以上分辨力可以用 193nm光刻结合波前工程和干涉光刻实现 .5 0nm左右的分辨力可用极紫外光刻、15 7光刻和 12 6nm光刻实现 .而电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻则可望实现几个纳米的分辨力 .但是这些技术的完善还有待于诸如光学系统、抗蚀剂、精密控制等等相关技术的成熟 .文章还讨论了纳米光刻技术的应用前景 .