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Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响
1
作者
龚跃球
刘奕帆
+1 位作者
阳歌
谢淑红
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1242-1247,共6页
利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介...
利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。
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关键词
B3
15nd0
85
Ti3-xNbxO12(BNTNx)
铁电薄膜
ZnO薄膜晶体管(TFT)
原文传递
题名
Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响
1
作者
龚跃球
刘奕帆
阳歌
谢淑红
机构
湘潭大学材料与光电物理学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1242-1247,共6页
基金
国家自然科学基金(11372268)资助项目
文摘
利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。
关键词
B3
15nd0
85
Ti3-xNbxO12(BNTNx)
铁电薄膜
ZnO薄膜晶体管(TFT)
Keywords
B3.
15nd0
.85Ti3-xNbxO12 (BNTNx)
ferroelectric film
ZnO thin film transistor (TFT)
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响
龚跃球
刘奕帆
阳歌
谢淑红
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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