162～1200keV能区^(174)Hf中子俘获截面的测量

作者用活化法相对于Au的中子俘获截面,测量了162～1200keV能区174Hf(n,γ)175Hf的反应截面,测量误差为6.1%～7.2%,在现有文献中还未见有关该反应截面的测量数据.

^(175)Hf的半衰期测量

^(175)Hf现有的半衰期数据偏少且分歧较大,对核参数的准确使用不利。本实验通过加速器质子束流轰击^(175)Lu,并使用HDEHP萃淋树脂进行离子交换,得到无载体无^(181)Hf干扰的高纯度^(175)Hf液体测量源,对其中的杂质^(65)Zn与^(56)Co的去污因子分别为5.2×10~3与2.3×10~3;引入一固定位置的监督源^(137)Cs与^(175)Hf进行了40d的连续测量,对343keV以及661keVγ射线计数率的比值关于测量时间进行线性拟合,得到^(175)Hf的半衰期为(70.73±0.25)d,并对测量结果进行了相关检验。

^(175)Hf核ε衰变的I_(XK)/I_γ(343keV)比值计算和分析及其辐射数据计算

简要地介绍了175Hf核ε衰变的IXK/Iγ(343keV)比值的计算方法与实验测量的比较与分析 ,并在此基础上 ,计算得到了Pγ(343keV) =0 .86 9± 0 .0 0 4 。