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血塞通与经络平衡器联用治疗缺血性脑血管病临床分析
被引量:
1
1
作者
陈青
薛慎伍
+3 位作者
胡荣东
潘继军
王惠
吴秀琪
《现代康复》
CSCD
1999年第2期226-226,共1页
1997年11月至1998年2月,我们采用血塞通及济南得康健身器材有限公司生产的经络平衡器(下称平衡器)治疗缺血性脑血管病(ICVD)患者55例,取得良好疗效,现报告如下。1临床资料1.1一般资料本文55例均为老年男...
1997年11月至1998年2月,我们采用血塞通及济南得康健身器材有限公司生产的经络平衡器(下称平衡器)治疗缺血性脑血管病(ICVD)患者55例,取得良好疗效,现报告如下。1临床资料1.1一般资料本文55例均为老年男性,年龄61~73岁(65±6岁)...
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关键词
血塞通
经络平衡器
缺血性脑血管病
1cvd
中药品
下载PDF
职称材料
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
2
作者
李志兵
王荣华
+4 位作者
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外...
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
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关键词
金属材料
Ni1-x-uGexCy合金薄膜
化学气相淀积(CVD)
下载PDF
职称材料
题名
血塞通与经络平衡器联用治疗缺血性脑血管病临床分析
被引量:
1
1
作者
陈青
薛慎伍
胡荣东
潘继军
王惠
吴秀琪
机构
济南军区总医院
出处
《现代康复》
CSCD
1999年第2期226-226,共1页
文摘
1997年11月至1998年2月,我们采用血塞通及济南得康健身器材有限公司生产的经络平衡器(下称平衡器)治疗缺血性脑血管病(ICVD)患者55例,取得良好疗效,现报告如下。1临床资料1.1一般资料本文55例均为老年男性,年龄61~73岁(65±6岁)...
关键词
血塞通
经络平衡器
缺血性脑血管病
1cvd
中药品
分类号
R277.733 [医药卫生—中医学]
R286 [医药卫生—中药学]
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职称材料
题名
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
2
作者
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
机构
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室
中国科学院上海技术物理所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
基金
国家自然科学基金60390072国家重点基础研究发展规划G2000068305高等学校博士学科点专项科研基金20050284004资助项目.
文摘
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
关键词
金属材料
Ni1-x-uGexCy合金薄膜
化学气相淀积(CVD)
Keywords
metallic materials, Si1-x-yGexCy alloy film, chemical vapor deposition(CVD)
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
血塞通与经络平衡器联用治疗缺血性脑血管病临床分析
陈青
薛慎伍
胡荣东
潘继军
王惠
吴秀琪
《现代康复》
CSCD
1999
1
下载PDF
职称材料
2
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
已选择
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