期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T—SRAM存储器的硅验证
1
《集成电路应用》
2003年第7期11-12,共2页
关键词
MOSYS公司
中芯国际集成电路制造有限公司
0.
1
8微米标准逻辑工艺
1t-sram
存储器
硅验证
下载PDF
职称材料
嵌入式存储器发展现状
2
作者
薛霆
李红
《中国集成电路》
2007年第10期83-86,共4页
文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。
关键词
IP
SOC
存储器
EDRAM
OTP
MTP
嵌入式闪存
1t-sram
2
t-sram
下载PDF
职称材料
题名
MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T—SRAM存储器的硅验证
1
出处
《集成电路应用》
2003年第7期11-12,共2页
关键词
MOSYS公司
中芯国际集成电路制造有限公司
0.
1
8微米标准逻辑工艺
1t-sram
存储器
硅验证
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
嵌入式存储器发展现状
2
作者
薛霆
李红
机构
北京芯技佳易微电子科技有限公司
出处
《中国集成电路》
2007年第10期83-86,共4页
文摘
文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。
关键词
IP
SOC
存储器
EDRAM
OTP
MTP
嵌入式闪存
1t-sram
2
t-sram
Keywords
IP SOC Memory eDRAM OTP MTP eFlash
1t-sram
2
t-sram
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOSYS在中芯国际0.18微米标准逻辑工艺中进行1T—SRAM存储器的硅验证
《集成电路应用》
2003
0
下载PDF
职称材料
2
嵌入式存储器发展现状
薛霆
李红
《中国集成电路》
2007
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部