应用于电子干扰中的1bit数字射频存储器DRFM的设计

在电子对抗领域中,电子干扰的关键技术是数字射频存储器 DRFM,文中给出了一种比较可行有效的 1bit 数字射频存储器 DRFM 的设计原理和它采用的处理方法,并给出了该方法设计下系统的主要性能指标。该设计应用 1bit 幅度量化 DRFM,对输入的射频信号进行下变频到中频,然后采用双采样技术对此中频信号进行采样,将模拟信号变换成数字信号。

基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现

采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。

一种新型阻变存储器1T2R存储单元

提出了一种新型阻变存储器(RRAM)1T2R结构,该结构利用一个大尺寸晶体管驱动两个忆阻器,弥补了工艺节点缩小带来的晶体管驱动能力不足的缺点。针对RRAM 1T2R结构中固有的串扰路径问题,专门设计的读方法可以截断串扰路径,抑制串扰电流,使得一个1T2R存储单元可以有效存储2 bit信息,提高RRAM的存储密度。同时,还可以通过直接读取BL上的电流对同一个存储单元内的2 bit信息做OR/NOR以及AND/NAND逻辑运算。本结构已利用UMC 28 nm工艺流片验证,流片结果为每个RRAM器件占有的平均面积为0.0355μm^(2),测试结果表明,本结构可以在读过程中有效抑制串扰电流,得到大的开关比,避免对高阻态RRAM的误读。

Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司（Ramtron International）宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏，采用32引脚TSOP（薄型小尺寸封装）封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器（Standard asynchronous SRAM）。同时，该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统，如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。

CRH1A平台动车组主断路器断开故障解决方案

CRH1A平台动车组存在变流器模块控制板卡存储器偶发校验失败的故障,该故障一是造成牵引系统报出变流器模块通信故障,打开分离接触器;二是造成主断路器保护性断开。这种保护机制会导致列车丢失至少40%的功率,严重影响列车牵引功率和旅客舒适度。为了降低该故障对动车组运行的不良影响,拟通过优化牵引系统软件的方式,实现故障发生后只断开分离接触器而不再断开主断路器。

可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201．08该存储器的工作电压为3Y，采用32引脚TSOP封装，FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器，可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的（SRAM）。同时．这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统，如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器

Ramtron公司推出新型F—RAM系列中的首款产品FM25V10，具有高速读／写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事。

磁阻式随机存取存储器研究

研究了MRAM存取技术的基本原理,比较分析了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.

小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析

设计了基于1T1R结构的16kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD)。版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS工艺的融合作了优化处理,给出了提高存储单元操作电流热效率的具体方法。1R位于顶层金属(TM)和二层金属(TM-1)之间,包含存储材料以及上下电极,需要在传统CMOS工艺基础上添加掩膜版。读出放大器采用全对称的差分拓扑结构,大大提升了抗干扰能力、灵敏精度以及读出速度。针对模块布局、电源分配、二级效应等问题,给出了版图解决方案。采用中芯国际130nm CMOS工艺流片,测试结果显示芯片成品率(bit yield)可达99.7%。

从安全存储器到安全处理器 Maxim提供全面的安全性支持

2007年，Maxim（Maxim Integrated Products）公司推出一款高度集成的安全存储器器件DS28CN01，瞄准的是参考设计管理、知识产权保护、安全系统认证、消费品过期追踪以及认证系统、电路板级设计、配件和外设等应用领域；与此同时，公司还推出了第四代安全处理器DS5250，大大提高了嵌入式应用的安全性。事实上，这两款产品分别属于SHA-1产品和安全处理器两个产品线。近日，Maxim公司单总线产品经理刘武光先生以及微控制器产品事业部经理李勇先生分别向记者介绍了SHA-1器件和安全处理器的性能及应用。

基于XCR3032的大容量FLASH存储器接口设计

提出一种使用 Xilinx公司生产的低功耗 CPL D芯片 XCR3 0 3 2来实现微控制器与大容量 F L ASH存储器相接口的方法。文中在介绍 XCR3 0 3 2 CPL D和 F L ASH存储器 K9K1G0 8U0 M的基础上 ,给出了接口电路、工作原理和 VerilogHDL 实现方法。

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。

基于LPC2220和ISP1161A1的外部存储读写系统设计

为使ARMLPC2220嵌入式系统对支持USB2.0协议的外部存储器进行快速准确的读写操作,设计了以Philips公司生产的ARMLPC220为处理器,ISP1161A1为USB主控芯片的系统,该系统经实践运行,实现了对支持USB2.0协议的外部存储器快速准确和可靠的数据通信。

室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器

报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.

嵌入式存储器发展现状

文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。