期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
一种低功耗245 GHz次谐波接收机
被引量:
1
1
作者
毛燕飞
鄂世举
+1 位作者
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT J.Christoph
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期739-744,共6页
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链...
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.
展开更多
关键词
2
45
GHz
次谐波接收机
锗硅BiCMOS工艺
低功耗
共基极低噪声放大器
二次次谐波无源反接并联二极管对混频器
中频放大器
下载PDF
职称材料
题名
一种低功耗245 GHz次谐波接收机
被引量:
1
1
作者
毛燕飞
鄂世举
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT J.Christoph
机构
浙江师范大学工学院
东南大学毫米波国家重点实验室
IHP
Heinz Nixdorf Institute
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期739-744,共6页
基金
浙江省自然科学基金青年基金(LQ17F040001)
东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)~~
文摘
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.
关键词
2
45
GHz
次谐波接收机
锗硅BiCMOS工艺
低功耗
共基极低噪声放大器
二次次谐波无源反接并联二极管对混频器
中频放大器
Keywords
2
45 GHz
subharmonic receiver
SiGe BiCMOS technology
low power
common base LNA
2^nd
passive
apdp
shm
intermediate frequency(IF)amplifier
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低功耗245 GHz次谐波接收机
毛燕飞
鄂世举
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT J.Christoph
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部