以4,8-二酮苯并[1,2-b∶4,5-b']二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2'∶6',2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经~1H NMR,^(13)C NMR,IR和元素分析表征。用UV-Vis,FL,TGA和CV研究了M1和M2的性...以4,8-二酮苯并[1,2-b∶4,5-b']二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2'∶6',2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经~1H NMR,^(13)C NMR,IR和元素分析表征。用UV-Vis,FL,TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明:M1和M2均具有良好的热稳定性,热分解温度(T_5)分别为335℃和430℃。由于电子给-受体结构的存在,M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT),其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm,荧光发射峰分别为517 nm和552 nm;起始还原电位分别为-0.57 e V和-0.62 e V,起始氧化电位分别为0.69 e V和0.87 e V。展开更多
文摘以4,8-二酮苯并[1,2-b∶4,5-b']二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2'∶6',2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经~1H NMR,^(13)C NMR,IR和元素分析表征。用UV-Vis,FL,TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明:M1和M2均具有良好的热稳定性,热分解温度(T_5)分别为335℃和430℃。由于电子给-受体结构的存在,M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT),其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm,荧光发射峰分别为517 nm和552 nm;起始还原电位分别为-0.57 e V和-0.62 e V,起始氧化电位分别为0.69 e V和0.87 e V。