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一种2μmp阱CMOS工艺
被引量:
1
1
作者
蒋志
王勇
华光平
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第2期51-55,共5页
本文介绍了我们开发的2μmp阱CMOS工艺,包括不同工艺方案的设计,主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比,最后给出我们选定的2μmp阱CMOS工艺方案及主要电学参数。
关键词
2微米工艺
CMOS技术
工艺
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
一种2μmp阱CMOS工艺
被引量:
1
1
作者
蒋志
王勇
华光平
机构
清华大学微电子所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第2期51-55,共5页
文摘
本文介绍了我们开发的2μmp阱CMOS工艺,包括不同工艺方案的设计,主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比,最后给出我们选定的2μmp阱CMOS工艺方案及主要电学参数。
关键词
2微米工艺
CMOS技术
工艺
集成电路
Keywords
m process,CMOS technology,IC process
分类号
TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种2μmp阱CMOS工艺
蒋志
王勇
华光平
《微电子学》
CAS
CSCD
1994
1
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职称材料
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