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一种2μmp阱CMOS工艺 被引量:1
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作者 蒋志 王勇 华光平 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第2期51-55,共5页
本文介绍了我们开发的2μmp阱CMOS工艺,包括不同工艺方案的设计,主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比,最后给出我们选定的2μmp阱CMOS工艺方案及主要电学参数。
关键词 2微米工艺 CMOS技术 工艺 集成电路
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