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带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源 被引量:4
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作者 刘云涛 魏锡盟 邵雷 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期38-41,共4页
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。... 基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。 展开更多
关键词 带隙基准源 温度系数 2阶补偿
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一种带2阶补偿的高精度带隙基准源 被引量:1
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作者 张林 徐世六 +1 位作者 胡永贵 王敬 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期45-48,共4页
介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路。通过增加预基准电路,提高了电源抑制比。通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55℃~125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为... 介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路。通过增加预基准电路,提高了电源抑制比。通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55℃~125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为114 dB。 展开更多
关键词 带隙基准源 2阶补偿 预基准电路
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带2阶温度补偿的多输出带隙基准电压源 被引量:2
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作者 贾鹏 丁召 杨发顺 《现代电子技术》 2013年第24期156-159,163,共5页
基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极.发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55~125℃的温度范... 基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极.发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内,带隙基准电压源的温度系数为3.1ppm/℃,在5V电源电压下,输出基准电压为1.2994V;带隙基准电压源的电源抑制比在低频时为84.5dB;在5v电源电压下,可以同时输出0—5V多个基准电压。 展开更多
关键词 带隙基准源 2阶补偿 多输出 温度系数 折叠式共源共栅
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一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源 被引量:3
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作者 尹勇生 易昕 邓红辉 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第6期774-778,共5页
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电... 根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对该电路进行了仿真,电源电压为2V,在-40℃110℃温度范围内温度系数为4.199×10^(-6)/℃,输出基准电压为1.308 V,低频下电源抑制比为78.66 dB,功耗为120μW,总输出噪声为0.12mV/(Hz)^(1/2)。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 负反馈 2温度补偿
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基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源 被引量:3
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作者 杨晗 侯晨琛 +2 位作者 钟泽 谢家志 廖书丹 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期1-4,共4页
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过... 采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。 展开更多
关键词 65 nm CMOS工艺 亚阈区 电流镜技术 2温度补偿
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一种带高阶补偿的低温漂基准电压源 被引量:3
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作者 田金鹏 秦少宏 +2 位作者 李儒章 臧剑栋 彭毅德 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期162-166,共5页
在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真... 在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃~125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10^(–6)/℃。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低温漂系数 2阶补偿 补偿
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一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器 被引量:8
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作者 董春雷 宁振球 +2 位作者 金星 张正民 万文艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期58-62,共5页
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应... 介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40℃~125℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。 展开更多
关键词 RC振荡电路 2温度补偿 工艺漂移 数字修调
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汽车电压调节器低频振荡电路的设计 被引量:2
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作者 王建卫 黄连帅 +1 位作者 方润 傅兴华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期323-326,共4页
针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器。通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电。在该振荡电路中,引入一个简单的参考电压电路,使电容充放... 针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器。通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电。在该振荡电路中,引入一个简单的参考电压电路,使电容充放电的电压随充放电电流的微小变化而变化,以实现电压对电流变化的补偿,从而更加有效地提高振荡器频率的稳定性。基于CSMC 40VBCD工艺,采用Spectre进行仿真,在5V电源电压、-40℃~160℃温度范围内,其频率最大误差小于0.96%;在4~6V电源电压下,温度为0℃时,其频率最大误差小于1.33%。 展开更多
关键词 张弛振荡器 恒定电流源 2阶补偿 参考电压电路
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