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带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源
被引量:
4
1
作者
刘云涛
魏锡盟
邵雷
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期38-41,共4页
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。...
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。
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关键词
带隙基准源
温度系数
2阶补偿
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职称材料
一种带2阶补偿的高精度带隙基准源
被引量:
1
2
作者
张林
徐世六
+1 位作者
胡永贵
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期45-48,共4页
介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路。通过增加预基准电路,提高了电源抑制比。通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55℃~125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为...
介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路。通过增加预基准电路,提高了电源抑制比。通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55℃~125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为114 dB。
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关键词
带隙基准源
2阶补偿
预基准电路
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职称材料
带2阶温度补偿的多输出带隙基准电压源
被引量:
2
3
作者
贾鹏
丁召
杨发顺
《现代电子技术》
2013年第24期156-159,163,共5页
基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极.发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55~125℃的温度范...
基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极.发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内,带隙基准电压源的温度系数为3.1ppm/℃,在5V电源电压下,输出基准电压为1.2994V;带隙基准电压源的电源抑制比在低频时为84.5dB;在5v电源电压下,可以同时输出0—5V多个基准电压。
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关键词
带隙基准源
2阶补偿
多输出
温度系数
折叠式共源共栅
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职称材料
一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源
被引量:
3
4
作者
尹勇生
易昕
邓红辉
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第6期774-778,共5页
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电...
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对该电路进行了仿真,电源电压为2V,在-40℃110℃温度范围内温度系数为4.199×10^(-6)/℃,输出基准电压为1.308 V,低频下电源抑制比为78.66 dB,功耗为120μW,总输出噪声为0.12mV/(Hz)^(1/2)。
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关键词
带隙基准电压源
负反馈
2
阶
温度
补偿
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职称材料
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
被引量:
3
5
作者
杨晗
侯晨琛
+2 位作者
钟泽
谢家志
廖书丹
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期1-4,共4页
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过...
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。
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关键词
65
nm
CMOS工艺
亚阈区
电流镜技术
2
阶
温度
补偿
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职称材料
一种带高阶补偿的低温漂基准电压源
被引量:
3
6
作者
田金鹏
秦少宏
+2 位作者
李儒章
臧剑栋
彭毅德
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期162-166,共5页
在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真...
在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃~125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10^(–6)/℃。
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关键词
带隙基准电压源
低温漂系数
2阶补偿
高
阶
补偿
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职称材料
一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器
被引量:
8
7
作者
董春雷
宁振球
+2 位作者
金星
张正民
万文艳
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期58-62,共5页
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应...
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40℃~125℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。
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关键词
RC振荡电路
2
阶
温度
补偿
工艺漂移
数字修调
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职称材料
汽车电压调节器低频振荡电路的设计
被引量:
2
8
作者
王建卫
黄连帅
+1 位作者
方润
傅兴华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期323-326,共4页
针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器。通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电。在该振荡电路中,引入一个简单的参考电压电路,使电容充放...
针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器。通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电。在该振荡电路中,引入一个简单的参考电压电路,使电容充放电的电压随充放电电流的微小变化而变化,以实现电压对电流变化的补偿,从而更加有效地提高振荡器频率的稳定性。基于CSMC 40VBCD工艺,采用Spectre进行仿真,在5V电源电压、-40℃~160℃温度范围内,其频率最大误差小于0.96%;在4~6V电源电压下,温度为0℃时,其频率最大误差小于1.33%。
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关键词
张弛振荡器
恒定电流源
2阶补偿
参考电压电路
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职称材料
题名
带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源
被引量:
4
1
作者
刘云涛
魏锡盟
邵雷
机构
中国科学院微电子研究所
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期38-41,共4页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(HEUCF110801)
文摘
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的"饱和电流与过驱动电压成平方关系"产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。
关键词
带隙基准源
温度系数
2阶补偿
Keywords
Bandgap reference voltage
Temperature coefficient
Second-order compensation
分类号
TP335 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
一种带2阶补偿的高精度带隙基准源
被引量:
1
2
作者
张林
徐世六
胡永贵
王敬
机构
重庆大学光电工程学院
模拟集成电路国家级重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期45-48,共4页
文摘
介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路。通过增加预基准电路,提高了电源抑制比。通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55℃~125℃范围内,温度系数为4.3×10-6V/℃,低频时PSRR为114 dB。
关键词
带隙基准源
2阶补偿
预基准电路
Keywords
Bandgap reference source
2
^nd -order compensation
Pre-reference circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
带2阶温度补偿的多输出带隙基准电压源
被引量:
2
3
作者
贾鹏
丁召
杨发顺
机构
贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室
出处
《现代电子技术》
2013年第24期156-159,163,共5页
文摘
基于传统带隙基准的原理,通过优化电路结构,消除双极晶体管基极.发射极电压中的非线性项,设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内,带隙基准电压源的温度系数为3.1ppm/℃,在5V电源电压下,输出基准电压为1.2994V;带隙基准电压源的电源抑制比在低频时为84.5dB;在5v电源电压下,可以同时输出0—5V多个基准电压。
关键词
带隙基准源
2阶补偿
多输出
温度系数
折叠式共源共栅
Keywords
bandgap reference voltage source
second-order compensation
multi-outpu
temperature coefficient
folded cascode
分类号
TN432-34 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源
被引量:
3
4
作者
尹勇生
易昕
邓红辉
机构
合肥工业大学微电子设计研究所
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第6期774-778,共5页
基金
安徽省科技攻关项目(JZ2014AKKG0430)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014HGCH0010)
文摘
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对该电路进行了仿真,电源电压为2V,在-40℃110℃温度范围内温度系数为4.199×10^(-6)/℃,输出基准电压为1.308 V,低频下电源抑制比为78.66 dB,功耗为120μW,总输出噪声为0.12mV/(Hz)^(1/2)。
关键词
带隙基准电压源
负反馈
2
阶
温度
补偿
Keywords
Bandgap voltage reference
Negative feedback
2
nd order temperature compensation
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
被引量:
3
5
作者
杨晗
侯晨琛
钟泽
谢家志
廖书丹
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期1-4,共4页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
文摘
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。
关键词
65
nm
CMOS工艺
亚阈区
电流镜技术
2
阶
温度
补偿
Keywords
65 nm CMOS process
subthreshold region
current mirror technology
second-order temperature compensation
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种带高阶补偿的低温漂基准电压源
被引量:
3
6
作者
田金鹏
秦少宏
李儒章
臧剑栋
彭毅德
机构
重庆邮电大学光电工程学院
模拟集成电路重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期162-166,共5页
基金
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(6142802011503)
文摘
在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃~125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10^(–6)/℃。
关键词
带隙基准电压源
低温漂系数
2阶补偿
高
阶
补偿
Keywords
voltage bandgap reference source
low temperature drift coefficient
second order compensation
high order compensation
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器
被引量:
8
7
作者
董春雷
宁振球
金星
张正民
万文艳
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心
中国科学院大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期58-62,共5页
基金
国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项(2012ZX02503-003)
文摘
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40℃~125℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。
关键词
RC振荡电路
2
阶
温度
补偿
工艺漂移
数字修调
Keywords
RC oscillator
Second-order temperature compensation
Process variations
Digital trimming
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
汽车电压调节器低频振荡电路的设计
被引量:
2
8
作者
王建卫
黄连帅
方润
傅兴华
机构
贵州大学电子科学系
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期323-326,共4页
基金
2010年贵州省重点实验室能力建设项目(黔科合计Z字[2010]4006)
贵州大学研究生创新基金资助项目(校研理工2011003)
文摘
针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器。通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电。在该振荡电路中,引入一个简单的参考电压电路,使电容充放电的电压随充放电电流的微小变化而变化,以实现电压对电流变化的补偿,从而更加有效地提高振荡器频率的稳定性。基于CSMC 40VBCD工艺,采用Spectre进行仿真,在5V电源电压、-40℃~160℃温度范围内,其频率最大误差小于0.96%;在4~6V电源电压下,温度为0℃时,其频率最大误差小于1.33%。
关键词
张弛振荡器
恒定电流源
2阶补偿
参考电压电路
Keywords
Relaxation oscillator
Constant current source
Second-order compensation
Reference voltage circuit
分类号
TN753.8 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源
刘云涛
魏锡盟
邵雷
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
2
一种带2阶补偿的高精度带隙基准源
张林
徐世六
胡永贵
王敬
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
3
带2阶温度补偿的多输出带隙基准电压源
贾鹏
丁召
杨发顺
《现代电子技术》
2013
2
下载PDF
职称材料
4
一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源
尹勇生
易昕
邓红辉
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
3
下载PDF
职称材料
5
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
杨晗
侯晨琛
钟泽
谢家志
廖书丹
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
6
一种带高阶补偿的低温漂基准电压源
田金鹏
秦少宏
李儒章
臧剑栋
彭毅德
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
7
一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器
董春雷
宁振球
金星
张正民
万文艳
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2015
8
下载PDF
职称材料
8
汽车电压调节器低频振荡电路的设计
王建卫
黄连帅
方润
傅兴华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
下载PDF
职称材料
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