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2-氨基吡啶修饰电极的电化学性质及对抗坏血酸的测定 被引量:22
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作者 吴婧 刘国东 +1 位作者 黄杉生 俞汝勤 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1140-1143,共4页
研究了2-氨基吡啶聚合膜修饰玻碳电极的制备及其电化学性质,并用于抗坏血酸(AA)的测定。在pH5.7BR缓冲溶液中,AA在 2-氨基吡啶修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与AA浓度在4 × 10-6~10-3mo... 研究了2-氨基吡啶聚合膜修饰玻碳电极的制备及其电化学性质,并用于抗坏血酸(AA)的测定。在pH5.7BR缓冲溶液中,AA在 2-氨基吡啶修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与AA浓度在4 × 10-6~10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检测下限为 1.3 × 10-6mol/L。该电极对 AA有增敏作用,对多巴胺(DA)有排斥作用,重现性良好,可用于AA的测定。 展开更多
关键词 2-氨基吡淀 化学修饰电极 抗坏血酸 计时电流法 循环伏安法 电化学性质 测定
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