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2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用 被引量:1
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作者 欧祥鹏 杨在利 +4 位作者 唐波 李志华 罗军 王文武 杨妍 《光通信研究》 2023年第1期1-16,共16页
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电... 全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势,能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸,从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展,并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。 展开更多
关键词 光通信 硅光 光电集成 2.5d/3d集成 硅通孔 转接板
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Mechanical Behavior and Failure Mechanism of 2.5D(Shallow Bend-joint, Deep Straight-joint) and 3D Orthogonal UHWMPE Fiber/Epoxy Composites by Vacuum-assistant-resin-infused 被引量:2
2
作者 赵晓琳 DU Jianhua +4 位作者 YANG Hongwei JIA Chengchang GAO Heng WANG Dafeng Lü Yingying 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2016年第6期1240-1244,共5页
Ultra-high molecular weight polyethylene(UHMWPE) fiber/epoxy composites were fabricated by a vacuum assisted resin infused(VARI) processing technology. The curing condition of composites was at a cure temperature ... Ultra-high molecular weight polyethylene(UHMWPE) fiber/epoxy composites were fabricated by a vacuum assisted resin infused(VARI) processing technology. The curing condition of composites was at a cure temperature of 80 ℃ for 3h in a drying oven. The characteristics of 2.5D(shallow bend-joint and deep straight-joint) structure and 3D orthogonal structure were compared. The failure behavior, flexural strength, and microstructures of both composites were investigated. It was found that the flexural property was closely related to undulation angle θ. The flexural strength of 3D orthogonal structure composite was superior to the other two structures composites with the same weave parameters and resin. 展开更多
关键词 2.5d shallow bend-joint 2.5d deep straight-joint 3d orthogonal flexural property
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射频微系统2.5D/3D封装技术发展与应用 被引量:25
3
作者 崔凯 王从香 胡永芳 《电子机械工程》 2016年第6期1-6,共6页
2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射... 2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射频微系统领域的应用及挑战,为射频微系统集成封装技术研究提供参考。 展开更多
关键词 2.5d/3d封装 射频微系统 硅通孔 圆片级封装 热管理
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基于2.5D模型和3D模型的重震联合反演对比分析 被引量:5
4
作者 刘小龙 刘天佑 《工程地球物理学报》 2008年第4期458-463,共6页
由于三维可视化显示技术的复杂性和任意形状、多个沉积层模型三维正演计算的复杂性,目前国内外大多采用2.5D模型。本文根据南方海相油气勘探的实际情况,编制了基于3D模型的可视化重震交互反演系统。通过理论模型的验证,对实际资料处理... 由于三维可视化显示技术的复杂性和任意形状、多个沉积层模型三维正演计算的复杂性,目前国内外大多采用2.5D模型。本文根据南方海相油气勘探的实际情况,编制了基于3D模型的可视化重震交互反演系统。通过理论模型的验证,对实际资料处理结果的对比,3D重震联合反演克服了2D或2.5D模型难以模拟复杂地质构造带的问题,较好地解决了海相地区地震资料品质差、信噪比低导致地震解释模糊甚至无法给出解释的困难,取得了明显的地质解释效果。 展开更多
关键词 重震联合反演 2.5d模型 3d模型 人机交互
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A transceiver frequency conversion module based on 3D micropackaging technology 被引量:4
5
作者 LIU Boyuan WANG Qingping +1 位作者 WU Weiwei YUAN Naichang 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 2020年第5期899-907,共9页
The idea of Ku-band transceiver frequency conversion module design based on 3D micropackaging technology is proposed. By using the double frequency conversion technology,the dual transceiver circuit from Ku-band to L-... The idea of Ku-band transceiver frequency conversion module design based on 3D micropackaging technology is proposed. By using the double frequency conversion technology,the dual transceiver circuit from Ku-band to L-band is realized by combining with the local oscillator and the power control circuit to complete functions such as amplification, filtering and gain. In order to achieve the performance optimization and a high level of integration of the Ku-band monolithic microwave integrated circuits(MMIC) operating chip, the 3 D vertical interconnection micro-assembly technology is used. By stacking solder balls on the printed circuit board(PCB), the technology decreases the volume of the original transceiver to a miniaturized module. The module has a good electromagnetic compatibility through special structure designs. This module has the characteristics of miniaturization, low power consumption and high density, which is suitable for popularization in practical application. 展开更多
关键词 KU-Band frequency conversion 3d packaging CHIP electromagnetic compatibility
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基于信号与电源完整性的有效分析优化2.5D-3D的设计 被引量:3
6
作者 何永松 秦祖立 +1 位作者 林麟 吴凯 《电子技术应用》 2021年第8期64-67,71,共5页
HBM(高带宽内存)存储系统与传统的DRAM接口相比,具有高速率和低功耗特性。在2.5D/3D的设计中,随着HBM速率的提高,对信号与电源完整性的设计的考量越来越重要,如何通过有效的仿真指导产品的设计是一个挑战。首先从信号完整性的角度讨论... HBM(高带宽内存)存储系统与传统的DRAM接口相比,具有高速率和低功耗特性。在2.5D/3D的设计中,随着HBM速率的提高,对信号与电源完整性的设计的考量越来越重要,如何通过有效的仿真指导产品的设计是一个挑战。首先从信号完整性的角度讨论了设计的考量点,其次从电源完整性的角度讨论电源噪声在高速传输信号中的影响,并提出了如何仿真与预测大量同步开关噪声等电源噪声对眼图的影响,最后基于芯片的测试结果对比仿真,给出结论。 展开更多
关键词 2.5d/3d设计 信号完整性 电源完整性 同步开关噪声 电源噪声预测
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重磁2.5D/3D互相约束反演技术在三维地质填图中的应用研究 被引量:1
7
作者 王成龙 王诚煜 +2 位作者 刘长纯 杨忠杰 姚志宏 《地质找矿论丛》 CAS CSCD 2019年第2期274-279,共6页
三维地质填图为我国启动的新一轮地质调查项目,为提高重磁资料在三维地质填图中的应用效果,笔者提出重磁资料2.5D/3D相互约束重磁反演技术方案:利用重磁资料2.5D剖面反演结果、3D物性反演结果作为彼此反演约束条件,并通过了理论模型试... 三维地质填图为我国启动的新一轮地质调查项目,为提高重磁资料在三维地质填图中的应用效果,笔者提出重磁资料2.5D/3D相互约束重磁反演技术方案:利用重磁资料2.5D剖面反演结果、3D物性反演结果作为彼此反演约束条件,并通过了理论模型试验。试验结果表明,该技术方案使反演结果中物性参数、空间位置更接近理论模型体。通过对本溪—临江地区思山岭铁矿磁异常及酸性岩体重力异常进行反演实践——估算磁异常铁矿资源量、研究酸性侵入岩深部展布形态的效果良好,可为大面积三维填图提供有效途径。 展开更多
关键词 3d物性反演 重磁2.5d反演 三维填图 重磁反演
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基于Cadence 3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计 被引量:1
8
作者 张成 李晴 赵佳 《电子技术应用》 2022年第8期46-50,59,共6页
2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂。而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能... 2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂。而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能、可实现性等多种因素。介绍了基于Cadence 3D-IC平台的Interposer设计方法,并结合HBM接口的自动布线脚本可以快速实现Interposer设计;同时通过仿真分析确定了基于格芯65 nm三层金属硅工艺的HBM2e 3.2 Gb/s互连设计规则,权衡了性能和可实现性,又兼具成本优势。 展开更多
关键词 2.5d先进封装 硅中介层 高带宽存储 3d-IC
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2.5D/3D芯片-封装-系统协同仿真技术研究 被引量:4
9
作者 褚正浩 张书强 候明刚 《电子与封装》 2021年第10期30-39,共10页
2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿... 2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目标,并进行电热耦合、热应力耦合分析,指出了仿真技术的未来发展方向。 展开更多
关键词 2.5d/3d芯片 芯片-封装-系统 多物理场 仿真 ANSYS
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Design and characterization of a 3D encapsulation with silicon vias for radio frequency micro-electromechanical system resonator
10
作者 赵继聪 袁泉 +6 位作者 王凤祥 阚骁 韩国威 孙玲 孙海燕 杨晋玲 杨富华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期119-123,共5页
In this paper, we present a three-dimensional(3D) vacuum packaging technique at a wafer level for a radio frequency micro-electromechanical system(RF MEMS) resonator, in which low-loss silicon vias is used to tran... In this paper, we present a three-dimensional(3D) vacuum packaging technique at a wafer level for a radio frequency micro-electromechanical system(RF MEMS) resonator, in which low-loss silicon vias is used to transmit RF signals.Au–Sn solder bonding is adopted to provide a vacuum encapsulation as well as electrical conductions. A RF model of the encapsulation cap is established to evaluate the parasitic effect of the packaging, which provides an effective design solution of 3D RF MEMS encapsulation. With the proposed packaging structure, the signal-to-background ratio(SBR) of 24 dB is achieved, as well as the quality factor(Q-factor) of the resonator increases from 8000 to 10400 after packaging.The packaged resonator has a linear frequency–temperature( f –T) characteristic in a temperature range between 0℃ and 100℃. And the package shows favorable long-term stability of the Q-factor over 200 days, which indicates that the package has excellent hermeticity. Furthermore, the average shear strength is measured to be 43.58 MPa among 10 samples. 展开更多
关键词 3d packaging coupling noise Q-factor RF MEMS resonator
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Integrated 3D Fan-out Package of RF Microsystem and Antenna for 5G Communications
11
作者 XIA Chenhui WANG Gang +1 位作者 WANG Bo MING Xuefei 《ZTE Communications》 2020年第3期33-41,共9页
A 3D fan-out packaging method for the integration of 5G communication RF microsystem and antenna is studied.First of all,through the double-sided wiring technology on the glass wafer,the fabrication of 5G antenna arra... A 3D fan-out packaging method for the integration of 5G communication RF microsystem and antenna is studied.First of all,through the double-sided wiring technology on the glass wafer,the fabrication of 5G antenna array is realized.Then the low power devices such as through silicon via(TSV)transfer chips,filters and antenna tuners are flip-welded on the glass wafer,and the glass wafer is reformed into a wafer permanently bonded with glass and resin by the injection molding process with resin material.Finally,the thinning resin surface leaks out of the TSV transfer chip,the rewiring is carried out on the resin surface,and then the power amplifier,low-noise amplifier,power management and other devices are flip-welded on the resin wafer surface.A ball grid array(BGA)is implanted to form the final package.The loss of the RF transmission line is measured by using the RF millimeter wave probe table.The results show that the RF transmission loss from the chip end to the antenna end in the fan-out package is very small,and it is only 0.26 dB/mm when working in 60 GHz.A slot coupling antenna is designed on the glass wafer.The antenna can operate at 60 GHz and the maximum gain can reach 6 dB within the working bandwidth.This demonstration successfully provides a feasible solution for the 3D fan-out integration of RF microsystem and antenna in 5G communications. 展开更多
关键词 AIP fan‐out package RF microsystem 3d integration 5G communications
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集成硅基转接板的PDN供电分析
12
作者 何慧敏 廖成意 +2 位作者 刘丰满 戴风伟 曹睿 《电子与封装》 2024年第6期69-80,共12页
集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2... 集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2.5D/3D封装下PDN的建模与优化。通过将整块的大尺寸硅桥拆分为多个小硅桥、硅桥集成硅通孔(TSV)、增加TSV数量等方式减少电源噪声。最后,对比采用不同集成方案的DC-DC电源管理模块的PDN性能,结果表明,片上集成方案在交流阻抗、电源噪声以及直流压降等指标上都优于传统的基板集成方案,是3D Chiplet中具有潜力的供电方案。 展开更多
关键词 2.5d/3d封装 芯粒 电源分配网络 硅通孔
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2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究 被引量:1
13
作者 刘玉奎 崔伟 +2 位作者 毛儒焱 孙士 殷万军 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第2期270-275,共6页
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结... 硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。 展开更多
关键词 2.5d硅转接板 铜再布线 硅通孔 电阻测试 3d集成电路
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三维电镀陶瓷基板激光封焊技术
14
作者 罗霖 丁勇杰 +3 位作者 苏鹏飞 赵九洲 彭洋 陈明祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期506-515,共10页
气密封装是推动电子器件高可靠发展的一项重要技术,传统气密封装技术存在焊接温度高、热冲击大、应用范围窄等问题,无法满足三维电镀陶瓷基板气密封装要求。本文结合脉冲激光焊接的技术优势,研究了脉冲激光焊接三维电镀陶瓷基板实现气... 气密封装是推动电子器件高可靠发展的一项重要技术,传统气密封装技术存在焊接温度高、热冲击大、应用范围窄等问题,无法满足三维电镀陶瓷基板气密封装要求。本文结合脉冲激光焊接的技术优势,研究了脉冲激光焊接三维电镀陶瓷基板实现气密封装,重点探讨了焊接过程中脉冲激光与材料相互作用模式,分析了焊接样品界面微观形貌、气密性、力学性能等。研究表明,焊接金属区裂纹的出现与基底金属铜向可伐侧的扩散密切相关;焊接过程稳定、焊接熔深小的热传导模式和过渡模式可以避免焊接裂纹出现。通过试验优化了焊接工艺参数,当激光峰值功率为120 W、脉冲宽度为1 ms、重叠率为80%时,三维陶瓷基板腔体结构获得了最佳高气密性,泄漏率为5.2×10^(-10)Pa·m^(3)/s,接头剪切强度为278.06 MPa,满足第三代半导体器件高可靠气密封装需求。 展开更多
关键词 脉冲激光 焊接模式 气密封装 三维电镀铜陶瓷基板(3-D DPC)
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3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术 被引量:23
15
作者 郎鹏 高志方 牛艳红 《电子工艺技术》 2009年第6期323-326,共4页
在IC制造技术受到物理极限挑战的今天,3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键合技术的发展作了论述,对过去几年国际上硅通孔(TSV)技术发展动态给与了重点的关注。尤其就... 在IC制造技术受到物理极限挑战的今天,3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键合技术的发展作了论述,对过去几年国际上硅通孔(TSV)技术发展动态给与了重点的关注。尤其就硅通孔关键工艺技术如硅片减薄技术、通孔制造技术和键合技术等做了较详细介绍。同时展望了在强大需求牵引下2015年前后国际硅通孔技术进步的蓝图。 展开更多
关键词 3d封装 硅通孔 IC制造
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先进封装Chiplet技术
16
作者 吴蝶 《软件》 2024年第4期154-156,180,共4页
随着先进制程技术迭代到5nm、3nm,摩尔定律的效应逐渐趋缓,制程开发成本和复杂度也在不断攀升。在芯片散热、传输带宽、制造良率等面临挑战的背景下,单颗芯片的性能提升遇到了“功耗墙、存储墙、面积墙”等瓶颈。而Chiplet技术的出现,... 随着先进制程技术迭代到5nm、3nm,摩尔定律的效应逐渐趋缓,制程开发成本和复杂度也在不断攀升。在芯片散热、传输带宽、制造良率等面临挑战的背景下,单颗芯片的性能提升遇到了“功耗墙、存储墙、面积墙”等瓶颈。而Chiplet技术的出现,为这一问题提供了新的解决思路。本文概述Chiplet芯片的底层封装技术,阐述我国先进封装领域发展的现状,对我国先进封装发展提出建议。 展开更多
关键词 Chiplet 2.5d封装 3d封装 先进封装
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基于硅通孔互连的芯粒集成技术研究进展
17
作者 张爱兵 李洋 +2 位作者 姚昕 李轶楠 梁梦楠 《电子与封装》 2024年第6期95-108,共14页
通过先进封装技术实现具有不同功能、工艺节点的异构芯粒的多功能、高密度、小型化集成是延续摩尔定律的有效方案之一。在各类的先进封装解决方案中,通过硅通孔(TSV)技术实现2.5D/3D封装集成,可以获得诸多性能优势,如极小的产品尺寸、... 通过先进封装技术实现具有不同功能、工艺节点的异构芯粒的多功能、高密度、小型化集成是延续摩尔定律的有效方案之一。在各类的先进封装解决方案中,通过硅通孔(TSV)技术实现2.5D/3D封装集成,可以获得诸多性能优势,如极小的产品尺寸、极短的互连路径、极佳的产品性能等。对TSV技术的应用分类进行介绍,总结并分析了目前业内典型的基于TSV互连的先进集成技术,介绍其工艺流程和工艺难点,对该类先进封装技术的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 硅通孔 先进封装 芯粒 异构集成 2.5d封装 3d封装
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集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
18
作者 黎科 张鑫硕 +2 位作者 夏启飞 钟毅 于大全 《电子与封装》 2024年第6期109-118,共10页
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供... 集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供电,可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题,提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新,微纳米尺度TSV技术在一些领域取得了显著进展,为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV技术,并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结,同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。 展开更多
关键词 先进互连技术 2.5d/3d芯粒集成 背面供电 高深宽比TSV
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Seismic analysis of underground tunnels subjected to 3D oblique incident P and SV waves by 2.5D approach
19
作者 Yeong-Bin Yang Xiaoli Wang +2 位作者 Zeyang Zhou Xiongfei Zhang Zhi Li 《Underground Space》 SCIE EI CSCD 2023年第5期271-286,共16页
This paper presents,for the first time,the consideration of three-dimensional(3D)oblique incident P and SV waves in calculating the 3D seismic response of a lined tunnel embedded in a half-space by the 2.5D finite/inf... This paper presents,for the first time,the consideration of three-dimensional(3D)oblique incident P and SV waves in calculating the 3D seismic response of a lined tunnel embedded in a half-space by the 2.5D finite/infinite element method(FIEM).Firstly,the applicability of the 2.5D FIEM for 3D seismic analysis is summarized.With the exact solutions obtained for the free field in the Appendix,the equivalent seismic forces are rationally computed for the near-field boundary,considering the horizontal and vertical excitations of the Chi-Chi Earthquake.By performing seismic analysis of the half space embedded with a tunnel using the 2.5D FIEM,the time-domain responses of the tunnel are obtained.The accuracy of the present solutions is verified against those of de Barros and Luco.Conclusions drawn from the parametric study include:(1)Stress concentration for the principal stress under oblique incident seismic waves occurs at the polar angles of 0(vault),90,180(inverted arch),and 270of the lining wall.(2)The vault and inverted arch are the weakest parts of the tunnel during earthquakes.(3)The accelerations of the tunnel during earthquakes can be regarded as of the rigid body type.(4)The responses of the tunnel lining caused by SV waves of an earthquake are much more critical than those by P waves.(5)For arbitrary seismic waves,the maximum longitudinal acceleration azmax is of the same order of magnitude as the maximum horizontal acceleration axmax. 展开更多
关键词 EARTHQUAKE Finite/infinite element method 3d oblique incident waves Time domain response TUNNEL 2.5d approach
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Impact of Urban 3D Morphology on Particulate Matter 2.5(PM2.5) Concentrations:Case Study of Beijing, China 被引量:5
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作者 LUAN Qingzu JIANG Wei +1 位作者 LIU Shuo GUO Hongxiang 《Chinese Geographical Science》 SCIE CSCD 2020年第2期294-308,共15页
Urban particulate matter 2.5(PM2.5)pollution and public health are closely related,and concerns regarding PM2.5 are widespread.Of the underlying factors,the urban morphology is the most manageable.Therefore,investigat... Urban particulate matter 2.5(PM2.5)pollution and public health are closely related,and concerns regarding PM2.5 are widespread.Of the underlying factors,the urban morphology is the most manageable.Therefore,investigations of the impact of urban three-dimensional(3D)morphology on PM2.5 concentration have important scientific significance.In this paper,39 PM2.5 monitoring sites of Beijing in China were selected with PM2.5 automatic monitoring data that were collected in 2013.This data set was used to analyze the impacts of the meteorological condition and public transportation on PM2.5 concentrations.Based on the elimination of the meteorological conditions and public transportation factors,the relationships between urban 3D morphology and PM2.5 concentrations are highlighted.Ten urban 3D morphology indices were established to explore the spatial-temporal correlations between the indices and PM2.5 concentrations and analyze the impact of urban 3D morphology on the PM2.5 concentrations.Results demonstrated that road length density(RLD),road area density(RAD),construction area density(CAD),construction height density(CHD),construction volume density(CVD),construction otherness(CO),and vegetation area density(VAD)have positive impacts on the PM2.5 concentrations,whereas water area density(WAD),water fragmentation(WF),and vegetation fragmentation(VF)(except for the 500 m buffer)have negative impacts on the PM2.5 concentrations.Moreover,the correlations between the morphology indices and PM2.5 concentrations varied with the buffer scale.The findings could lay a foundation for the high-precision spatial-temporal modelling of PM2.5 concentrations and the scientific planning of urban 3D spaces by authorities responsible for controlling PM2.5 concentrations. 展开更多
关键词 URBAN three-dimensional(3d)morphology PARTICULATE matter 2.5(PM2.5) air pollution URBAN planning Beijing China
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