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先进的叠层式3D封装技术及其应用前景
被引量:
3
1
作者
陆晋
成立
+3 位作者
王振宇
李岚
李加元
汪建敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期692-695,共4页
采用叠层3D封装技术将使芯片所包含晶体管数目成倍的增加,它不但具有体积小、性能高、功耗低等优点,而且拥有无可比拟的封装效率。对其叠层3D封装的发展趋势、技术特点、技术优势、散热问题以及应用前景等几个方面进行了探讨。
关键词
叠
层
3
d
封装
技术
裸片堆
叠
3
d
-多芯片模块
封装
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职称材料
晶圆叠层3D封装中晶圆键合技术的应用
被引量:
4
2
作者
田芳
《电子工业专用设备》
2013年第1期5-7,42,共4页
论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。
关键词
晶圆
叠
层
3
d
封装
键合
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职称材料
3D叠层封装集成电路的芯片分离技术
被引量:
2
3
作者
林晓玲
梁朝辉
温祺俊
《电子产品可靠性与环境试验》
2016年第2期36-40,共5页
3D叠层封装是高性能器件的一种重要的封装形式,其鲜明的特点为器件的物理分析带来了新的挑战。介绍了一种以微米级区域研磨法为主、化学腐蚀法为辅的芯片分离技术,包括制样方法及技术流程,并给出了实际的应用案例。该技术实现了3D叠层...
3D叠层封装是高性能器件的一种重要的封装形式,其鲜明的特点为器件的物理分析带来了新的挑战。介绍了一种以微米级区域研磨法为主、化学腐蚀法为辅的芯片分离技术,包括制样方法及技术流程,并给出了实际的应用案例。该技术实现了3D叠层芯片封装器件内部多层芯片的逐层暴露及非顶层芯片中缺陷的物理观察分析,有助于确定最终的失效原因,防止失效的重复出现,对于提高集成度高、容量大的器件的可靠性具有重要的意义。
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关键词
3
d
叠
层
封装
集成电路
芯片分离技术
区域研磨法
化学腐蚀法
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职称材料
射频微系统2.5D/3D封装技术发展与应用
被引量:
29
4
作者
崔凯
王从香
胡永芳
《电子机械工程》
2016年第6期1-6,共6页
2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射...
2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射频微系统领域的应用及挑战,为射频微系统集成封装技术研究提供参考。
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关键词
2.5
d/
3
d
封装
射频微系统
硅通孔
圆片级
封装
热管理
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职称材料
射频系统2.5D/3D封装结构的研究进展
被引量:
5
5
作者
王豪杰
崔碧峰
+3 位作者
王启东
许建荣
王翔媛
李彩芳
《电子与封装》
2021年第9期32-42,共11页
射频系统封装已经成为无线通信系统重要的集成技术,对于不断向高速率、小型化、多功能方向发展的无线通信系统,先进射频系统封装结构为其提供了坚实的基础。介绍了2.5D/3D射频系统封装结构的研究进程,重点分析了中介层结构、埋入结构、...
射频系统封装已经成为无线通信系统重要的集成技术,对于不断向高速率、小型化、多功能方向发展的无线通信系统,先进射频系统封装结构为其提供了坚实的基础。介绍了2.5D/3D射频系统封装结构的研究进程,重点分析了中介层结构、埋入结构、堆叠结构中的关键工艺,并从信号传输、电磁干扰、结构集成度等多角度出发,对不同封装结构做了深入剖析。探讨了射频系统封装结构发展遇到的难题,并对当今先进封装结构在未来射频系统中的应用做了简单的展望。
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关键词
射频系统
封装
中介
层
堆
叠
埋入
3
d
封装
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职称材料
新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
6
作者
范汉华
成立
+2 位作者
植万江
王玲
伊廷荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期409-413,共5页
为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后...
为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后用Cu/Sn混合凸点互连芯片和基板,从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试,结果表明,100μm^2Cu/Sn混合凸点接触电阻约为6.7mΩ,高90μm的斜通孔电阻在20~30mΩ,该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。
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关键词
超大规模集成电路
3
d
堆
叠
式
封装
铜互连
贯穿硅通孔
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职称材料
适用于3D裸芯片叠层塑封器件的DPA试验方法研究
7
作者
王斌
江凯
+1 位作者
周帅
王小强
《电子产品可靠性与环境试验》
2019年第5期49-54,共6页
由于3D叠层塑封器件的封装类型的特殊性和复杂性,传统的破坏性物理分析试验方法无法满足对该类型器件的芯片开裂、分层和键合失效(开路或短路)等失效模式的完整考核。因此,结合3D叠层塑封器件独特的结构和工艺,针对3D裸芯片叠层塑封器...
由于3D叠层塑封器件的封装类型的特殊性和复杂性,传统的破坏性物理分析试验方法无法满足对该类型器件的芯片开裂、分层和键合失效(开路或短路)等失效模式的完整考核。因此,结合3D叠层塑封器件独特的结构和工艺,针对3D裸芯片叠层塑封器件的典型失效模式,研究了2D与3D相结合的X射线检查方法、C扫描/B扫描/透射模式相结合的声学扫描显微镜检查方法和基于芯片减层和分离技术的内部目检方法等新型DPA试验方法,并为3D叠层塑封器件的样品开封和层间分离等提供了指导性意见,满足了对3D叠层封装器件的设计、结构、材料、制造质量和工艺情况等进行完整考核的需要。
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关键词
3
d
叠
层
塑封器件
破坏性物理分析
X射线检查
声学扫描显微镜检查
内部目检
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职称材料
集成硅基转接板的PDN供电分析
8
作者
何慧敏
廖成意
+2 位作者
刘丰满
戴风伟
曹睿
《电子与封装》
2024年第6期69-80,共12页
集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2...
集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2.5D/3D封装下PDN的建模与优化。通过将整块的大尺寸硅桥拆分为多个小硅桥、硅桥集成硅通孔(TSV)、增加TSV数量等方式减少电源噪声。最后,对比采用不同集成方案的DC-DC电源管理模块的PDN性能,结果表明,片上集成方案在交流阻抗、电源噪声以及直流压降等指标上都优于传统的基板集成方案,是3D Chiplet中具有潜力的供电方案。
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关键词
2.5
d/
3
d
封装
芯粒
电源分配网络
硅通孔
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职称材料
基于Cadence 3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计
被引量:
1
9
作者
张成
李晴
赵佳
《电子技术应用》
2022年第8期46-50,59,共6页
2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂。而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能...
2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂。而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能、可实现性等多种因素。介绍了基于Cadence 3D-IC平台的Interposer设计方法,并结合HBM接口的自动布线脚本可以快速实现Interposer设计;同时通过仿真分析确定了基于格芯65 nm三层金属硅工艺的HBM2e 3.2 Gb/s互连设计规则,权衡了性能和可实现性,又兼具成本优势。
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关键词
2.5
d
先进
封装
硅中介
层
高带宽存储
3
d
-IC
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职称材料
2.5D/3D芯片-封装-系统协同仿真技术研究
被引量:
7
10
作者
褚正浩
张书强
候明刚
《电子与封装》
2021年第10期30-39,共10页
2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿...
2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目标,并进行电热耦合、热应力耦合分析,指出了仿真技术的未来发展方向。
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关键词
2.5
d/
3
d
芯片
芯片-
封装
-系统
多物理场
仿真
ANSYS
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职称材料
3D封装的发展动态与前景
被引量:
13
11
作者
翁寿松
《电子与封装》
2006年第1期8-11,共4页
3D封装是手机等便携式电子产品小型化和多功能化的必然产物。3D封装有两种形式,芯片堆叠和封装堆叠。文章介绍了芯片堆叠和封装堆叠的优缺点、关键技术、最新动态和发展前景。
关键词
3
d
封装
芯片堆
叠
封装
堆
叠
智能堆
叠
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职称材料
CF/ABS的3D打印与TPU注射复合成型技术
12
作者
林建铭
王嘉硕
+3 位作者
肖建华
尹志强
宋仕强
王锦成
《塑料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期173-176,共4页
采用3D打印制备CF/ABS试样,置于在模具内进行TPU注塑成型,形成注塑层全包裹或半包裹3D打印层的复合结构。结果表明,与全包裹的芯壳结构相比,半包裹的上下叠层结构更稳定,成型过程更容易控制,成型质量更高。其拉伸强度和断裂伸长率分别为...
采用3D打印制备CF/ABS试样,置于在模具内进行TPU注塑成型,形成注塑层全包裹或半包裹3D打印层的复合结构。结果表明,与全包裹的芯壳结构相比,半包裹的上下叠层结构更稳定,成型过程更容易控制,成型质量更高。其拉伸强度和断裂伸长率分别为16.47 MPa和464%,与全包裹式相比,分别提高了18%和40%。3D打印与注塑复合成型的上下叠层制件表面平整,3D打印层与注塑层层间粘接效果较好,拉伸前未出现分层现象。
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关键词
3
d
打印
注塑成型
复合成型
芯壳结构
上下
叠
层
结构
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职称材料
3D封装技术
被引量:
1
13
作者
郭以嵩
俞宏坤
《集成电路应用》
2003年第4期15-15,共1页
一般的微电子封装技术均是在X、Y平面内实现的二维(Two-Dimensional-2D)封装。由于电子整机和系统在航空、航天、计算机等领域对小型化、轻型化、薄型化等高密度组装要求的不断提高,在MCM发展的基础上,对有限的面积。
关键词
3
d
封装
埋置型
有源基板型
叠
层
型
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职称材料
3D NAND闪存的层间差异特性的研究
14
作者
黄三维
李英阁
韩国军
《应用科技》
CAS
2021年第5期70-75,共6页
3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆叠层数的增加,不同层的存储单元的特性差异将更加明显。为了研究制程差异对闪存层间性能的影响,通过硬件...
3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆叠层数的增加,不同层的存储单元的特性差异将更加明显。为了研究制程差异对闪存层间性能的影响,通过硬件设备对闪存芯片特性进行实测,得到了不同层的存储单元在不同噪声下的原始误码率和阈值电压分布关系。实验结果显示,随着编程/擦除次数的增加和数据保持时间的增长,不同层的存储单元的性能差异将更加明显,需要借助先进的信道检测技术来改善存储性能。
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关键词
与非型闪存
闪存测试
层
间制程差异
3
d
堆
叠
技术
串堆
叠
阈值电压分布
可靠性
固态硬盘
存储系统
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职称材料
叠层封装技术
被引量:
3
15
作者
刘静
潘开林
+1 位作者
朱玮涛
任国涛
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期161-164,共4页
首先介绍叠层封装技术的发展现状及最新发展趋势,然后采用最传统的两层叠层封装结构进行分析,包括描述两层叠层封装的基本结构和细化两层叠层封装技术的SMT组装工艺流程。最后重点介绍了目前国际上存在并投入使用的六类主要的叠层封装...
首先介绍叠层封装技术的发展现状及最新发展趋势,然后采用最传统的两层叠层封装结构进行分析,包括描述两层叠层封装的基本结构和细化两层叠层封装技术的SMT组装工艺流程。最后重点介绍了目前国际上存在并投入使用的六类主要的叠层封装方式范例,同时进一步分析了叠层封装中出现的翘曲现象以及温度对翘曲现象的影响。分析结果表明:由于材料属性不同会引起正负两种翘曲现象;从室温升高到150℃左右的时候易发生正变形的翘曲现象,在150℃升高至260℃的回流焊温度过程中多发生负变形的翘曲现象。
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关键词
叠
层
封装
3
d
封装
翘曲
材料属性
回流焊
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职称材料
混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
被引量:
1
16
作者
赵心然
袁渊
+1 位作者
王刚
王成迁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期190-198,共9页
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了...
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。
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关键词
混合键合(HB)
先进
封装
三维(
3
d
)堆
叠
无凸点键合
范德华力
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职称材料
3D打印技术在牙科制造领域中的应用及未来
被引量:
12
17
作者
姚路
胡培鑫
+3 位作者
刘武
吕启涛
聂子林
何正娣
《中国组织工程研究》
CAS
北大核心
2020年第4期637-642,共6页
背景:对于牙齿缺损或缺失的病例,需通过个性化制作修复物达到治疗目的。传统的制作工艺耗时长、费用高、精准度差。3D打印技术引入牙科制造后,能一定程度提高制作效率和品质。目的:介绍3D打印技术在牙科制造中的应用现状,讨论目前应用...
背景:对于牙齿缺损或缺失的病例,需通过个性化制作修复物达到治疗目的。传统的制作工艺耗时长、费用高、精准度差。3D打印技术引入牙科制造后,能一定程度提高制作效率和品质。目的:介绍3D打印技术在牙科制造中的应用现状,讨论目前应用中存在的技术瓶颈,展望未来3D打印技术在牙科制造应用的发展方向。方法:作者以"3D printing,metal implant,dental manufacturing,dental restorations,3D打印,骨缺损,金属内植物,牙科制造,牙科修复"等为关键词,检索1980至2019年期间的Web of Science、万方、CNKI数据库中的相关文献。初检文章261篇,筛选后对60篇文章进行参考总结。结果与结论:3D打印牙模、数字化种植导板、蜡型等已在牙科制造中得到应用和推广,3D打印技术在牙科制造已得到较广泛的应用,使用最为广泛的6种工艺分别是树脂光固化成型、叠层实体制造、熔融沉积成型、选择性激光烧结、选择性激光熔化、立体喷墨技术。目前3D打印技术在牙科制造领域的应用存在着一定的技术瓶颈,突破技术瓶颈后,3D打印技术在未来的牙科制造领域将能发挥更大作用。
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关键词
3
d
打印技术
牙科制造
修复物
树脂光固化成型
叠
层
实体制造
熔融沉积成型
选择性激光烧结
选择性激光熔化
立体喷墨技术
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职称材料
叠层芯片引线键合技术在陶瓷封装中的应用
被引量:
4
18
作者
廖小平
高亮
《电子与封装》
2016年第2期5-8,共4页
随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中...
随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中的应用进行了具体实施与探讨,并进行了引线键合可靠性考核试验。通过试验研究表明叠层芯片引线键合技术也可广泛应用于陶瓷封装产品中。
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关键词
叠
层
芯片
悬空键合
低弧键合
3
d
封装
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职称材料
先进封装Chiplet技术
19
作者
吴蝶
《软件》
2024年第4期154-156,180,共4页
随着先进制程技术迭代到5nm、3nm,摩尔定律的效应逐渐趋缓,制程开发成本和复杂度也在不断攀升。在芯片散热、传输带宽、制造良率等面临挑战的背景下,单颗芯片的性能提升遇到了“功耗墙、存储墙、面积墙”等瓶颈。而Chiplet技术的出现,...
随着先进制程技术迭代到5nm、3nm,摩尔定律的效应逐渐趋缓,制程开发成本和复杂度也在不断攀升。在芯片散热、传输带宽、制造良率等面临挑战的背景下,单颗芯片的性能提升遇到了“功耗墙、存储墙、面积墙”等瓶颈。而Chiplet技术的出现,为这一问题提供了新的解决思路。本文概述Chiplet芯片的底层封装技术,阐述我国先进封装领域发展的现状,对我国先进封装发展提出建议。
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关键词
Chiplet
2.5
d
封装
3
d
封装
先进
封装
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职称材料
3D打印技术将“颠覆”仪器制造模式?
20
《工业仪表与自动化装置》
2013年第2期30-30,共1页
3D打印技术是利用光固化和纸层叠等一系列快速成型技术的统称,其基本原理都是叠层制造。与普通打印机的工作原理基本一致,打印机内装有液体或粉末等“打印材料”,与电脑连接后,通过电脑控制把“打印材料”一层层叠加起来,最终把计...
3D打印技术是利用光固化和纸层叠等一系列快速成型技术的统称,其基本原理都是叠层制造。与普通打印机的工作原理基本一致,打印机内装有液体或粉末等“打印材料”,与电脑连接后,通过电脑控制把“打印材料”一层层叠加起来,最终把计算机上的蓝图变成实物。
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关键词
打印技术
制造模式
3
d
仪器
快速成型技术
工作原理
打印材料
叠
层
制造
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职称材料
题名
先进的叠层式3D封装技术及其应用前景
被引量:
3
1
作者
陆晋
成立
王振宇
李岚
李加元
汪建敏
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期692-695,共4页
基金
江苏大学高级人才启动项目(1283000149)
江苏省高校自然科学研究基金项目(04KJB310171)
文摘
采用叠层3D封装技术将使芯片所包含晶体管数目成倍的增加,它不但具有体积小、性能高、功耗低等优点,而且拥有无可比拟的封装效率。对其叠层3D封装的发展趋势、技术特点、技术优势、散热问题以及应用前景等几个方面进行了探讨。
关键词
叠
层
3
d
封装
技术
裸片堆
叠
3
d
-多芯片模块
封装
Keywords
stacke
d
3
d
packaging technology
stacke
d
-
d
ie
3
d
-MCM packaging
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
晶圆叠层3D封装中晶圆键合技术的应用
被引量:
4
2
作者
田芳
机构
中国电子科技集团公司第二研究所
出处
《电子工业专用设备》
2013年第1期5-7,42,共4页
文摘
论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。
关键词
晶圆
叠
层
3
d
封装
键合
Keywords
wafer on wafer
3
d
package
bon
d
ing
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
3D叠层封装集成电路的芯片分离技术
被引量:
2
3
作者
林晓玲
梁朝辉
温祺俊
机构
工业和信息化部电子第五研究所
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2016年第2期36-40,共5页
文摘
3D叠层封装是高性能器件的一种重要的封装形式,其鲜明的特点为器件的物理分析带来了新的挑战。介绍了一种以微米级区域研磨法为主、化学腐蚀法为辅的芯片分离技术,包括制样方法及技术流程,并给出了实际的应用案例。该技术实现了3D叠层芯片封装器件内部多层芯片的逐层暴露及非顶层芯片中缺陷的物理观察分析,有助于确定最终的失效原因,防止失效的重复出现,对于提高集成度高、容量大的器件的可靠性具有重要的意义。
关键词
3
d
叠
层
封装
集成电路
芯片分离技术
区域研磨法
化学腐蚀法
Keywords
3
d
stacke
d
package
IC
chip separation technology
regional grin
d
ing metho
d
chemical etching metho
d
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
射频微系统2.5D/3D封装技术发展与应用
被引量:
29
4
作者
崔凯
王从香
胡永芳
机构
南京电子技术研究所
出处
《电子机械工程》
2016年第6期1-6,共6页
文摘
2.5D/3D封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2.5D/3D封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2.5D/3D封装技术在射频微系统领域的应用及挑战,为射频微系统集成封装技术研究提供参考。
关键词
2.5
d/
3
d
封装
射频微系统
硅通孔
圆片级
封装
热管理
Keywords
2.5
d/
3
d
packaging
RF microsystem
through silicon via(TSV)
wafer level package(WLP)
thermal management
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
射频系统2.5D/3D封装结构的研究进展
被引量:
5
5
作者
王豪杰
崔碧峰
王启东
许建荣
王翔媛
李彩芳
机构
北京工业大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
出处
《电子与封装》
2021年第9期32-42,共11页
文摘
射频系统封装已经成为无线通信系统重要的集成技术,对于不断向高速率、小型化、多功能方向发展的无线通信系统,先进射频系统封装结构为其提供了坚实的基础。介绍了2.5D/3D射频系统封装结构的研究进程,重点分析了中介层结构、埋入结构、堆叠结构中的关键工艺,并从信号传输、电磁干扰、结构集成度等多角度出发,对不同封装结构做了深入剖析。探讨了射频系统封装结构发展遇到的难题,并对当今先进封装结构在未来射频系统中的应用做了简单的展望。
关键词
射频系统
封装
中介
层
堆
叠
埋入
3
d
封装
Keywords
RF system packaging
interposer
stack
embe
d
d
e
d
3
d
packaging
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
6
作者
范汉华
成立
植万江
王玲
伊廷荣
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期409-413,共5页
基金
国家863计划资助项目(2006AA10Z258)
文摘
为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后用Cu/Sn混合凸点互连芯片和基板,从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试,结果表明,100μm^2Cu/Sn混合凸点接触电阻约为6.7mΩ,高90μm的斜通孔电阻在20~30mΩ,该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。
关键词
超大规模集成电路
3
d
堆
叠
式
封装
铜互连
贯穿硅通孔
Keywords
VLSI
3
d
chip stacke
d
packages
Cu interconnection
TSV
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
适用于3D裸芯片叠层塑封器件的DPA试验方法研究
7
作者
王斌
江凯
周帅
王小强
机构
工业和信息化部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2019年第5期49-54,共6页
文摘
由于3D叠层塑封器件的封装类型的特殊性和复杂性,传统的破坏性物理分析试验方法无法满足对该类型器件的芯片开裂、分层和键合失效(开路或短路)等失效模式的完整考核。因此,结合3D叠层塑封器件独特的结构和工艺,针对3D裸芯片叠层塑封器件的典型失效模式,研究了2D与3D相结合的X射线检查方法、C扫描/B扫描/透射模式相结合的声学扫描显微镜检查方法和基于芯片减层和分离技术的内部目检方法等新型DPA试验方法,并为3D叠层塑封器件的样品开封和层间分离等提供了指导性意见,满足了对3D叠层封装器件的设计、结构、材料、制造质量和工艺情况等进行完整考核的需要。
关键词
3
d
叠
层
塑封器件
破坏性物理分析
X射线检查
声学扫描显微镜检查
内部目检
Keywords
3
d
laminate
d
plastic packaging
d
evice
d
PA
X -ray inspection
acoustical scanning microscope examination
internal inspection
分类号
TB114.3 [理学—概率论与数理统计]
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职称材料
题名
集成硅基转接板的PDN供电分析
8
作者
何慧敏
廖成意
刘丰满
戴风伟
曹睿
机构
中国科学院微电子研究所
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第6期69-80,共12页
基金
基于单光子成像的高集成感存算一体芯片研发与示范应用(Z221100007722028)。
文摘
集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2.5D/3D封装下PDN的建模与优化。通过将整块的大尺寸硅桥拆分为多个小硅桥、硅桥集成硅通孔(TSV)、增加TSV数量等方式减少电源噪声。最后,对比采用不同集成方案的DC-DC电源管理模块的PDN性能,结果表明,片上集成方案在交流阻抗、电源噪声以及直流压降等指标上都优于传统的基板集成方案,是3D Chiplet中具有潜力的供电方案。
关键词
2.5
d/
3
d
封装
芯粒
电源分配网络
硅通孔
Keywords
2.5
d/
3
d
package
Chiplet
power
d
elivery network
through silicon via
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于Cadence 3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计
被引量:
1
9
作者
张成
李晴
赵佳
机构
格芯半导体(上海)有限公司中国研发中心(上海)
出处
《电子技术应用》
2022年第8期46-50,59,共6页
文摘
2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂。而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能、可实现性等多种因素。介绍了基于Cadence 3D-IC平台的Interposer设计方法,并结合HBM接口的自动布线脚本可以快速实现Interposer设计;同时通过仿真分析确定了基于格芯65 nm三层金属硅工艺的HBM2e 3.2 Gb/s互连设计规则,权衡了性能和可实现性,又兼具成本优势。
关键词
2.5
d
先进
封装
硅中介
层
高带宽存储
3
d
-IC
Keywords
2.5
d
a
d
vance
d
package
Si-interposer
HBM
3
d
-IC
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
2.5D/3D芯片-封装-系统协同仿真技术研究
被引量:
7
10
作者
褚正浩
张书强
候明刚
机构
安似科技(上海)有限公司
出处
《电子与封装》
2021年第10期30-39,共10页
文摘
2.5D/3D芯片包含Interposer/硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)等复杂结构,通过多物理场仿真可以提前对2.5D/3D芯片的设计进行信号完整性(Signal Integrity,SI)、电源完整性(Power Integrity,PI)及可靠性优化。总结了目前2.5D/3D芯片仿真进展与挑战,介绍了基于芯片模型的Ansys芯片-封装-系统(CPS)多物理场协同仿真方法,阐述了如何模拟芯片在真实工况下达到优化芯片信号完整性、电源完整性以及优化散热方式、提高结构可靠性的设计目标,并进行电热耦合、热应力耦合分析,指出了仿真技术的未来发展方向。
关键词
2.5
d/
3
d
芯片
芯片-
封装
-系统
多物理场
仿真
ANSYS
Keywords
2.5
d/
3
d
chip
chip-package-system
multiphysics
simulation
Ansys
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
3D封装的发展动态与前景
被引量:
13
11
作者
翁寿松
机构
无锡市罗特电了有限公司
出处
《电子与封装》
2006年第1期8-11,共4页
文摘
3D封装是手机等便携式电子产品小型化和多功能化的必然产物。3D封装有两种形式,芯片堆叠和封装堆叠。文章介绍了芯片堆叠和封装堆叠的优缺点、关键技术、最新动态和发展前景。
关键词
3
d
封装
芯片堆
叠
封装
堆
叠
智能堆
叠
Keywords
3
d
packaging
Chip Stacking
Package Stacking
Smart Stacking
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CF/ABS的3D打印与TPU注射复合成型技术
12
作者
林建铭
王嘉硕
肖建华
尹志强
宋仕强
王锦成
机构
上海工程技术大学化学化工学院化学实验中心
南昌航空大学材料科学与工程学院
出处
《塑料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期173-176,共4页
基金
国家自然科学基金(52063021)。
文摘
采用3D打印制备CF/ABS试样,置于在模具内进行TPU注塑成型,形成注塑层全包裹或半包裹3D打印层的复合结构。结果表明,与全包裹的芯壳结构相比,半包裹的上下叠层结构更稳定,成型过程更容易控制,成型质量更高。其拉伸强度和断裂伸长率分别为16.47 MPa和464%,与全包裹式相比,分别提高了18%和40%。3D打印与注塑复合成型的上下叠层制件表面平整,3D打印层与注塑层层间粘接效果较好,拉伸前未出现分层现象。
关键词
3
d
打印
注塑成型
复合成型
芯壳结构
上下
叠
层
结构
Keywords
3
d
printing
injection mol
d
ing
over mol
d
ing
core shell structure
upper an
d
lower laminate
d
structure
分类号
TQ325.2 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
3D封装技术
被引量:
1
13
作者
郭以嵩
俞宏坤
机构
复旦大学材料科学系
出处
《集成电路应用》
2003年第4期15-15,共1页
文摘
一般的微电子封装技术均是在X、Y平面内实现的二维(Two-Dimensional-2D)封装。由于电子整机和系统在航空、航天、计算机等领域对小型化、轻型化、薄型化等高密度组装要求的不断提高,在MCM发展的基础上,对有限的面积。
关键词
3
d
封装
埋置型
有源基板型
叠
层
型
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
3D NAND闪存的层间差异特性的研究
14
作者
黄三维
李英阁
韩国军
机构
广东工业大学信息工程学院
出处
《应用科技》
CAS
2021年第5期70-75,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61471131,61871136)。
文摘
3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆叠层数的增加,不同层的存储单元的特性差异将更加明显。为了研究制程差异对闪存层间性能的影响,通过硬件设备对闪存芯片特性进行实测,得到了不同层的存储单元在不同噪声下的原始误码率和阈值电压分布关系。实验结果显示,随着编程/擦除次数的增加和数据保持时间的增长,不同层的存储单元的性能差异将更加明显,需要借助先进的信道检测技术来改善存储性能。
关键词
与非型闪存
闪存测试
层
间制程差异
3
d
堆
叠
技术
串堆
叠
阈值电压分布
可靠性
固态硬盘
存储系统
Keywords
NAN
d
flash
flash memory testing
layer-to-layer process variation
3
d
stacking technology
string stacking
threshol
d
voltage
d
istribution
reliability
soli
d
-state
d
rive
storage system
分类号
TN919.5 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
叠层封装技术
被引量:
3
15
作者
刘静
潘开林
朱玮涛
任国涛
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期161-164,共4页
基金
国家自然科学基金(600866002)
广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任课题基金(0842006018_Z)
广西区研究生科研创新项目(2010105950802M07)
文摘
首先介绍叠层封装技术的发展现状及最新发展趋势,然后采用最传统的两层叠层封装结构进行分析,包括描述两层叠层封装的基本结构和细化两层叠层封装技术的SMT组装工艺流程。最后重点介绍了目前国际上存在并投入使用的六类主要的叠层封装方式范例,同时进一步分析了叠层封装中出现的翘曲现象以及温度对翘曲现象的影响。分析结果表明:由于材料属性不同会引起正负两种翘曲现象;从室温升高到150℃左右的时候易发生正变形的翘曲现象,在150℃升高至260℃的回流焊温度过程中多发生负变形的翘曲现象。
关键词
叠
层
封装
3
d
封装
翘曲
材料属性
回流焊
Keywords
package on package(PoP)
3
d
package
warpage
material properties
reflow sol
d
ering
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
被引量:
1
16
作者
赵心然
袁渊
王刚
王成迁
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期190-198,共9页
文摘
随着半导体技术的发展,传统倒装焊(FC)键合已难以满足高密度、高可靠性的三维(3D)互连技术的需求。混合键合(HB)技术是一种先进的3D堆叠封装技术,可以实现焊盘直径≤1μm、无凸点的永久键合。阐述了HB技术的发展历史、研究进展并预测了发展前景。目前HB技术的焊盘直径/节距已达到0.75μm/1.5μm,热门研究方向包括铜凹陷、圆片翘曲、键合精度及现有设备兼容等,未来将突破更小的焊盘直径/节距。HB技术将对后摩尔时代封装技术的发展起到变革性作用,在未来的高密度、高可靠性异质异构集成中发挥重要的作用。
关键词
混合键合(HB)
先进
封装
三维(
3
d
)堆
叠
无凸点键合
范德华力
Keywords
hybri
d
bon
d
ing(HB)
a
d
vance
d
packaging
three-
d
imensional(
3
d
)stacking
bumpless bon
d
ing
van
d
er Waals force
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
3D打印技术在牙科制造领域中的应用及未来
被引量:
12
17
作者
姚路
胡培鑫
刘武
吕启涛
聂子林
何正娣
机构
深圳技术大学中德智能制造学院
深圳市大族激光科技股份有限公司
出处
《中国组织工程研究》
CAS
北大核心
2020年第4期637-642,共6页
基金
深圳技术大学首批校企合作研发项目(2018010802003),项目参与者:何正娣~~
文摘
背景:对于牙齿缺损或缺失的病例,需通过个性化制作修复物达到治疗目的。传统的制作工艺耗时长、费用高、精准度差。3D打印技术引入牙科制造后,能一定程度提高制作效率和品质。目的:介绍3D打印技术在牙科制造中的应用现状,讨论目前应用中存在的技术瓶颈,展望未来3D打印技术在牙科制造应用的发展方向。方法:作者以"3D printing,metal implant,dental manufacturing,dental restorations,3D打印,骨缺损,金属内植物,牙科制造,牙科修复"等为关键词,检索1980至2019年期间的Web of Science、万方、CNKI数据库中的相关文献。初检文章261篇,筛选后对60篇文章进行参考总结。结果与结论:3D打印牙模、数字化种植导板、蜡型等已在牙科制造中得到应用和推广,3D打印技术在牙科制造已得到较广泛的应用,使用最为广泛的6种工艺分别是树脂光固化成型、叠层实体制造、熔融沉积成型、选择性激光烧结、选择性激光熔化、立体喷墨技术。目前3D打印技术在牙科制造领域的应用存在着一定的技术瓶颈,突破技术瓶颈后,3D打印技术在未来的牙科制造领域将能发挥更大作用。
关键词
3
d
打印技术
牙科制造
修复物
树脂光固化成型
叠
层
实体制造
熔融沉积成型
选择性激光烧结
选择性激光熔化
立体喷墨技术
Keywords
3
d
printing technology
d
ental manufacturing
d
ental restorations
stereo lithography appearance
laminate
d
object manufacturing
fuse
d
d
eposition mo
d
eling
selective laser sintering
selective laser melting
inkjet printing
分类号
R459.9 [医药卫生—治疗学]
R-331 [医药卫生]
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职称材料
题名
叠层芯片引线键合技术在陶瓷封装中的应用
被引量:
4
18
作者
廖小平
高亮
机构
无锡中微高科电子有限公司
出处
《电子与封装》
2016年第2期5-8,共4页
文摘
随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中的应用进行了具体实施与探讨,并进行了引线键合可靠性考核试验。通过试验研究表明叠层芯片引线键合技术也可广泛应用于陶瓷封装产品中。
关键词
叠
层
芯片
悬空键合
低弧键合
3
d
封装
Keywords
multi-stack
d
ie
wire bon
d
ing on overhang
low profile wire bon
d
ing
3
d
package
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
先进封装Chiplet技术
19
作者
吴蝶
机构
上海工程技术大学管理学院
出处
《软件》
2024年第4期154-156,180,共4页
基金
上海市2023年度决策咨询研究产业和信息化专项课题“推动上海市集成电路领域Chiplet创新发展的策略研究”(2023-Z-C02)。
文摘
随着先进制程技术迭代到5nm、3nm,摩尔定律的效应逐渐趋缓,制程开发成本和复杂度也在不断攀升。在芯片散热、传输带宽、制造良率等面临挑战的背景下,单颗芯片的性能提升遇到了“功耗墙、存储墙、面积墙”等瓶颈。而Chiplet技术的出现,为这一问题提供了新的解决思路。本文概述Chiplet芯片的底层封装技术,阐述我国先进封装领域发展的现状,对我国先进封装发展提出建议。
关键词
Chiplet
2.5
d
封装
3
d
封装
先进
封装
Keywords
Chiplet
2.5
d
package
3
d
package
a
d
vance
d
package
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
3D打印技术将“颠覆”仪器制造模式?
20
出处
《工业仪表与自动化装置》
2013年第2期30-30,共1页
文摘
3D打印技术是利用光固化和纸层叠等一系列快速成型技术的统称,其基本原理都是叠层制造。与普通打印机的工作原理基本一致,打印机内装有液体或粉末等“打印材料”,与电脑连接后,通过电脑控制把“打印材料”一层层叠加起来,最终把计算机上的蓝图变成实物。
关键词
打印技术
制造模式
3
d
仪器
快速成型技术
工作原理
打印材料
叠
层
制造
分类号
TH166 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
先进的叠层式3D封装技术及其应用前景
陆晋
成立
王振宇
李岚
李加元
汪建敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
2
晶圆叠层3D封装中晶圆键合技术的应用
田芳
《电子工业专用设备》
2013
4
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职称材料
3
3D叠层封装集成电路的芯片分离技术
林晓玲
梁朝辉
温祺俊
《电子产品可靠性与环境试验》
2016
2
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职称材料
4
射频微系统2.5D/3D封装技术发展与应用
崔凯
王从香
胡永芳
《电子机械工程》
2016
29
下载PDF
职称材料
5
射频系统2.5D/3D封装结构的研究进展
王豪杰
崔碧峰
王启东
许建荣
王翔媛
李彩芳
《电子与封装》
2021
5
下载PDF
职称材料
6
新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
范汉华
成立
植万江
王玲
伊廷荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
7
适用于3D裸芯片叠层塑封器件的DPA试验方法研究
王斌
江凯
周帅
王小强
《电子产品可靠性与环境试验》
2019
0
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职称材料
8
集成硅基转接板的PDN供电分析
何慧敏
廖成意
刘丰满
戴风伟
曹睿
《电子与封装》
2024
0
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职称材料
9
基于Cadence 3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计
张成
李晴
赵佳
《电子技术应用》
2022
1
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职称材料
10
2.5D/3D芯片-封装-系统协同仿真技术研究
褚正浩
张书强
候明刚
《电子与封装》
2021
7
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职称材料
11
3D封装的发展动态与前景
翁寿松
《电子与封装》
2006
13
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职称材料
12
CF/ABS的3D打印与TPU注射复合成型技术
林建铭
王嘉硕
肖建华
尹志强
宋仕强
王锦成
《塑料》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
13
3D封装技术
郭以嵩
俞宏坤
《集成电路应用》
2003
1
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职称材料
14
3D NAND闪存的层间差异特性的研究
黄三维
李英阁
韩国军
《应用科技》
CAS
2021
0
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职称材料
15
叠层封装技术
刘静
潘开林
朱玮涛
任国涛
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
下载PDF
职称材料
16
混合键合技术在三维堆叠封装中的研究进展
赵心然
袁渊
王刚
王成迁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
17
3D打印技术在牙科制造领域中的应用及未来
姚路
胡培鑫
刘武
吕启涛
聂子林
何正娣
《中国组织工程研究》
CAS
北大核心
2020
12
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职称材料
18
叠层芯片引线键合技术在陶瓷封装中的应用
廖小平
高亮
《电子与封装》
2016
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19
先进封装Chiplet技术
吴蝶
《软件》
2024
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职称材料
20
3D打印技术将“颠覆”仪器制造模式?
《工业仪表与自动化装置》
2013
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