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2.5D器件中硅通孔结构设计
被引量:
3
1
作者
赵文中
樊帆
+2 位作者
林鹏荣
谢晓辰
杨俊
《电子与封装》
2020年第12期26-31,共6页
通过ANSYS有限元仿真技术对2.5D器件中的硅通孔结构进行结构设计、仿真分析。通过对比仿真结果,得出更适用于宇航用高低温循环场景下的硅通孔结构。首先通过对比热循环载荷条件下不同2.5D器件中硅通孔结构的热力学性能;其次选取不同的...
通过ANSYS有限元仿真技术对2.5D器件中的硅通孔结构进行结构设计、仿真分析。通过对比仿真结果,得出更适用于宇航用高低温循环场景下的硅通孔结构。首先通过对比热循环载荷条件下不同2.5D器件中硅通孔结构的热力学性能;其次选取不同的封装材料对硅通孔结构进行建模,研究不同硅通孔模型中的应力集中行为,并对其长期可靠性进行分析;最终得到更适用于宇航环境的2.5D器件的硅通孔结构。
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关键词
2.5d器件
硅通孔
ANSYS仿真
结构设计
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职称材料
题名
2.5D器件中硅通孔结构设计
被引量:
3
1
作者
赵文中
樊帆
林鹏荣
谢晓辰
杨俊
机构
北京微电子技术研究所
出处
《电子与封装》
2020年第12期26-31,共6页
文摘
通过ANSYS有限元仿真技术对2.5D器件中的硅通孔结构进行结构设计、仿真分析。通过对比仿真结果,得出更适用于宇航用高低温循环场景下的硅通孔结构。首先通过对比热循环载荷条件下不同2.5D器件中硅通孔结构的热力学性能;其次选取不同的封装材料对硅通孔结构进行建模,研究不同硅通孔模型中的应力集中行为,并对其长期可靠性进行分析;最终得到更适用于宇航环境的2.5D器件的硅通孔结构。
关键词
2.5d器件
硅通孔
ANSYS仿真
结构设计
Keywords
2.5
d
d
evices
through silicon via
ANSYS simulation
structure
d
esign
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
2.5D器件中硅通孔结构设计
赵文中
樊帆
林鹏荣
谢晓辰
杨俊
《电子与封装》
2020
3
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