Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)纳米管的制备工艺研究

研究了一种Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电存储材料纳米管的简单有效合成方法。通过阳极氧化铝模板(AAO)辅助溶胶凝胶法,合成了BLT纳米管。其基本过程是以次硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料,以冰醋酸和乙二醇甲醚为溶剂配制BLT溶胶,然后将BLT溶胶滴在AAO模板表面,浸润后烘干并反复多次,而后将材料在500℃下保温1 h,除去有机物,最后在750℃下保温30 min晶化,用KOH腐蚀去除氧化铝模板,即得到BLT纳米管。结果表明,BLT纳米管具有[117]择优取向;BLT纳米管管壁光滑,直径与模板孔径相当,约300 nm,且分布均匀,管壁厚度约25 nm,纳米管是多晶体,由粒径为8～12 nm晶粒组成。

La,V共掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备出Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12(BLTV)铁电薄膜,研究了La,V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向,BLTV薄膜为随机取向,拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6(或VO6)八面体的对称性,也增强了Ti—O键(或V—O键)杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4μC/cm2,远大于BIT薄膜的9.2μC/cm2,表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性,表明La,V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.

Bi_(0.5)Ca_(0.25)La_(0.25)Fe_xMn_(1-x)O_3(x=0.3,0.4,0.5)的熔融盐合成及磁性表征

以KCl为熔剂,通过环境友好的熔融盐法在相对较低的反应温度下合成了系列组成可调变的化合物Bi0.5Ca0.25La0.25FexMn1-xO3(x=0.3,0.4,0.5),同时借助于XRD、ICP元素分析和磁强计对样品进行表征。XRD表征结果显示所有样品都具有钙钛矿型正交结构,属于pbnm空间群;元素分析结果证实熔融盐合成得到的样品其组成符合最初反应物的投料比;磁性表征结果显示低铁含量样品(x=0.3)低温区存在典型Hopkinson效应,样品随Fe含量的增加,该效应减弱,同时样品的反铁磁性逐渐增强。