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功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及应用
被引量:
2
1
作者
唐晓颖
叶婵
宫艳娟
《森林工程》
北大核心
2003年第4期36-37,共2页
本文主要阐述了功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及正面多层金属的光刻技术 ,并通过对2CK3891、 2CK390 1硅大电流开关二极管的成功应用 ,证明了该技术的科学性、合理性。
关键词
功率半导体器件芯片
双面多层金属化技术
正面多层金属化技术
光刻技术
蒸镀技术
2CK3891
2ck3901
硅大电流开关二极管
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职称材料
题名
功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及应用
被引量:
2
1
作者
唐晓颖
叶婵
宫艳娟
机构
哈尔滨晶体管厂
出处
《森林工程》
北大核心
2003年第4期36-37,共2页
基金
黑龙江省自然科学基金项目 (F0 0 0 1)资助
文摘
本文主要阐述了功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及正面多层金属的光刻技术 ,并通过对2CK3891、 2CK390 1硅大电流开关二极管的成功应用 ,证明了该技术的科学性、合理性。
关键词
功率半导体器件芯片
双面多层金属化技术
正面多层金属化技术
光刻技术
蒸镀技术
2CK3891
2ck3901
硅大电流开关二极管
Keywords
Double-side multilayer metallization,evaporative deposition,photofabrication
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及应用
唐晓颖
叶婵
宫艳娟
《森林工程》
北大核心
2003
2
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