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功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及应用 被引量:2
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作者 唐晓颖 叶婵 宫艳娟 《森林工程》 北大核心 2003年第4期36-37,共2页
本文主要阐述了功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及正面多层金属的光刻技术 ,并通过对2CK3891、 2CK390 1硅大电流开关二极管的成功应用 ,证明了该技术的科学性、合理性。
关键词 功率半导体器件芯片 双面多层金属化技术 正面多层金属化技术 光刻技术 蒸镀技术 2CK3891 2ck3901 硅大电流开关二极管
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