期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响
1
作者
邓发明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第22期348-356,共9页
使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-Si...
使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体,当Te超过2.25 eV达到2.5 eV以上时,2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度Te大于3.5 eV以后,价带顶穿越费米能级;电子温度Te在0—2.0 eV变化时,带隙随电子温度升高而增大;Te在2.0—3.5 eV范围变化时,带隙随电子温度升高而快速地减少,表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度Te的继续升高而增强.在Te=0,5.0 eV处,计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度.电子结构表明Te=0 eV时,2H-SiC是一个带隙为2.3 eV的半导体;在Te=5.0 eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过程,过渡到金属状态.
展开更多
关键词
2h-sic
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
下载PDF
职称材料
强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响
2
作者
邓发明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期270-278,共9页
使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增...
使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增大后又快速减小,当电子温度T_e大于4.25 eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.
展开更多
关键词
6
h-sic
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
下载PDF
职称材料
强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究
3
作者
邓发明
高涛
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期240-246,共7页
为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—...
为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。
展开更多
关键词
激光技术
电子特性
密度泛函微扰理论
4H—SiC
激光照射
下载PDF
职称材料
强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响
4
作者
邓发明
高涛
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期681-687,共7页
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移...
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当T_e>1.5e V以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当T_e在0e V^5e V范围内时,带隙随电子温度升高也增大。T_e超过5.1e V后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强。在T_e=0e V和T_e=8e V处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明T_e=0e V时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31e V的间接带隙半导体;在T_e=8e V时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态。
展开更多
关键词
3C-SIC
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
下载PDF
职称材料
题名
强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响
1
作者
邓发明
机构
四川民族学院数学系
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第22期348-356,共9页
基金
国家科技部支撑计划(批准号:2014GB111001
2014GB125000)资助的课题~~
文摘
使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体,当Te超过2.25 eV达到2.5 eV以上时,2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度Te大于3.5 eV以后,价带顶穿越费米能级;电子温度Te在0—2.0 eV变化时,带隙随电子温度升高而增大;Te在2.0—3.5 eV范围变化时,带隙随电子温度升高而快速地减少,表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度Te的继续升高而增强.在Te=0,5.0 eV处,计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度.电子结构表明Te=0 eV时,2H-SiC是一个带隙为2.3 eV的半导体;在Te=5.0 eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过程,过渡到金属状态.
关键词
2h-sic
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
Keywords
2h-sic
,
electronic properties
,
laser irradiation
,
density functional perturbation theory
分类号
O76 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响
2
作者
邓发明
机构
四川民族学院数学系
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期270-278,共9页
基金
国家科技部支撑计划(批准号:2014GB111001
2014GB125000)
四川省教育厅自然科学项目(批准号:16ZA0363)资助的课题~~
文摘
使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增大后又快速减小,当电子温度T_e大于4.25 eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.
关键词
6
h-sic
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
Keywords
6
h-sic
electronic properties
laser irradiation
density functional perturbation theory
分类号
O73 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究
3
作者
邓发明
高涛
机构
四川民族学院数学系
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期240-246,共7页
基金
国家科技支撑计划资助项目(2014GB111001
2014GB125000)
四川省教育厅自然科学基金重点资助项目(16ZA0363)
文摘
为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。
关键词
激光技术
电子特性
密度泛函微扰理论
4H—SiC
激光照射
Keywords
laser
technique
electronic
property
density
functional
perturbation
theory
4H—SiC
laser
irradiation
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响
4
作者
邓发明
高涛
机构
四川民族学院数学系
四川大学原子与分子物理研究所
出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期681-687,共7页
基金
国家科技支撑计划项目(2014GB111001
2014GB125000)资助
四川省教育厅自然科学项目(16ZA0363)资助
文摘
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当T_e>1.5e V以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当T_e在0e V^5e V范围内时,带隙随电子温度升高也增大。T_e超过5.1e V后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强。在T_e=0e V和T_e=8e V处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明T_e=0e V时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31e V的间接带隙半导体;在T_e=8e V时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态。
关键词
3C-SIC
电子特性
激光照射
密度泛函微扰理论
Keywords
3c-SiC
electronic
properties
laser
irradiation
density
functional
perturbation
theory
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响
邓发明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
2
强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响
邓发明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究
邓发明
高涛
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
4
强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响
邓发明
高涛
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部