(1-x)CaTiO_3-xLi_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷的微波介电性能研究

采用固相法制备了(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Sm_(1/2))TiO_3系列微波介质陶瓷材料,研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系.结果表明。在x=0.1～0.9mol范围内,(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Sm_(1/2))TiO_3体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构;x=0.1～0.5和x=0.6～0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃;介电常数ε_r,、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数T_f均随着x的增大而减小.当x=0.7时,1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为:ε_r=116.5,Qf=3254GHz,T_f=42.43×10^(-6)/℃.

Sr^(2+)置换改性Ca_(0.25)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.75)TiO_3陶瓷的微波介电性能研究

采用固相法制备了(Ca1-xSrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75TiO3(CSLST-x)(x=0～1/10)系列微波介质陶瓷材料,研究不同含量的Sr2+含量对该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能影响。在x=1/22～1/10范围内,Sr2+的掺杂不会改变晶体的结构;在1175～1200℃烧结时,相同烧结温度下随着Sr2+含量的增加,介电常数εr增大,无载品质因数与谐振频率乘积Qf值降低;置换离子Sr2+的添加使该体系的烧结温度降低了近200℃,并保持良好的微波介电性能。其中,x=1/16的CSLST陶瓷在1200℃烧结,保温5h时具有较好的微波介电性能:εr=97.2,Qf=2490GHz,τf=14.74ppm/℃。

Ca_(0．3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0．7)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结研究

采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na_2O-CaO-B_2O_3(NCB)氧化物的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3(CLST)陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明:复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15wt%范围内没有杂相生成,晶相仍呈斜方钙钛矿结构.随着NCB添加量的增加,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数ε~r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势,频率温度系数T_f向正方向增大.NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃.添加12.5wt%NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能:ε_r=73.7,Qf=1583GHz,T_f=140.1×10^(-6)/℃,满足高介多层微波器件的设计要求.

Ca_(0.125)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.875)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结

研究了复合烧结助剂Na2O-CaO-B2O3（NCB）氧化物和Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3（LBSCA）玻璃料的添加量对Ca0.125（Li1/2Sm1/2）0.875TiO3陶瓷相结构、烧结性能及介电性能的影响。当w（NCB）为10%，w（LBSCA）为1%~5%时，该陶瓷为斜方钙钛矿结构。随w（LBSCA）的增加，致密化温度和饱和体积密度降低，εr、Q·f值及τf呈下降趋势。当w（NCB）为10%，w（LBSCA）为2%时，陶瓷可在900℃烧结获得最佳性能：εr为63.00，Q·f为1260GHz，τf为-9.02×10^-6℃^-1。

Ca_(1-x)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_xTiO_3体系微波介质陶瓷的低温烧结研究

采用传统陶瓷制备工艺,制备了添加10wt%NCB(Na2O-CaO-B2O3)复合氧化物的Ca1-x(Li1/2Sm1/2)xTiO(3x=0.700-0.875)(CLST-x)体系陶瓷,研究了添加NCB后CLST-x体系的晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能与组成关系。研究结果表明,添加复合氧化物NCB后,CLST-x体系各组成主晶相仍呈斜方钙钛矿结构,没有其它杂相。添加10wt%NCB后,CLST-x体系陶瓷均可在950℃下烧结致密,在此温度下材料具有较佳的微波介电性能,其中CLST-0.875陶瓷在950℃保温5h烧结后具有良好的微波介电性能:εr=63.6,Qf=1591GHz,τf=0ppm/℃,可满足高介多层微波器件的设计要求。

Ca_(0.2)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.8)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结研究

以Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3(CLST-0.8)为基料,添加质量分数10%的CaO-B2O3-SiO2(CBS)复合氧化物、4%的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料和0～2%的CuO氧化物为复合烧结助剂,研究了CuO含量的变化对CLST-0.8陶瓷的低温烧结行为及微波介电性能的影响。随着CuO添加量的增加,陶瓷体积密度、介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值,都呈先增加后降低,谐振频率温度系数τf则呈先降低后升高的趋势。添加10%CBS、4.0%LBSCA和1.0%CuO的CLST-0.8微波介质陶瓷,可在900℃下保温5h烧结,并具有较佳的微波介电性能:εr=58.36,Qf=2011GHz,τf=3.44ppm/℃。

BBS掺杂的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷的中温烧结研究

采用传统电子陶瓷制备工艺,以42BaO-45B2O3-13SiO(2BBS)玻璃为烧结助剂,制备了可以中温烧结的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3微波介质陶瓷,对陶瓷的晶相组成、烧结性能及微波介电性能进行了系统研究。结果表明:通过液相烧结,BBS玻璃能有效降低Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3陶瓷的烧结温度,由1300℃降低至1000℃。XRD结果显示陶瓷主晶相为斜方钙钛矿,没有发现杂相。随着BBS添加量的增大,陶瓷的介电常数,品质因素以及频率温度系数均呈下降趋势,当BBS的添加量为10wt%时,1000℃下保温5h烧结的陶瓷的致密度、体积密度以及介电常数达到最大值,并具有良好的微波介电性能:εr=62.5,Qf=1019GHz,τf=21.6ppm/℃。

掺杂Nd^3＋对CLST陶瓷微波介电性能的影响

用固相法制备了x(Ca0.61Nd0.26)TiO3-(1-x)(Li1/2Sm1/2)TiO3(CNLST)(x=0.3~0.6)微波介质陶瓷,研究了掺杂Nd3+对CaTiO3-Li1/2Sm1/2TiO3(CLST)陶瓷介电性能的影响。结果发现,该体系在掺杂Nd3+后均形成钙钛矿结构,其介电常数εr和谐振频率温度系数τf均随x的增大而增加,品质因数与谐振频率的乘积Qf值随x的增大而降低;当x=0.48时,在1 150℃预合成,1 250℃烧结保温3h得到材料的微波介电性能:εr=123,Qf=4 122GHz(f=1.5GHz),τf=0.8μ℃-1。

HDDR处理的Sm2Fe16Ti1Nx化合物高能球磨的研究

在用HDDR法制备Sm2Fe16Ti1Nx氮化物过程中,研究了高能球磨对氮化物粉末的形貌、物相结构及磁性能的影响.发现高能球磨Sm2Fe16Ti1Nx氮化物使粉末颗粒细化的过程可描述为:大粉末颗粒→压延成层片状→断裂成短棒状及球形颗粒→压延成层片状→断裂成球形小颗粒,并在球磨一定时间后使粉末中的Sm2(FeTi)17Nx主相完全非晶化,α-Fe含量增高且没有非晶化.球磨后粉末的矫顽力随着球磨时间的延长而降低,而剩磁在球磨短时间时降低,再延长球磨时间又增高,在球磨较长时间到Sm2(FeTi)17Nx主相完全非晶化后又使剩磁降低,最高磁场下的磁化强度值则随着球磨时间的延长而增加.手研磨后粉末的矫顽力随研磨时间的延长而逐渐升高而剩磁及最高场下磁化强度值变化不大.

添加W元素对Sm-Fe合金相组成及微观结构的影响

使用XRD,SEM,金相显微镜等手段研究了添加W元素对Sm-Fe合金相组成及微观结构的影响。结果表明:W元素的添加改善了Sm-Fe铸态合金的微观结构,有效地抑制了α-Fe的生成和长大,减少了铸锭中的富Sm相和α-Fe相等杂相含量,Sm-Fe-W合金均匀化热处理4h即可达到未加W元素的Sm-Fe合金均匀化热处理16h相同的效果。

Sr和Mn复合掺杂对Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3微波介电性能的影响

采用固相法,选择SrCO_3和MnO_2通过A/B位复合掺杂Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3体系,制备了(Ca_(15/16)Sr_(1/16))_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)Ti_(1-x)Mn_xO_3微波介质陶瓷,研究了Sr^(2+)含量固定为1/16时,不同Mn^(4+)含量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明,复合掺杂使陶瓷致密化温度由1 300℃逐渐降低至1 200℃,随着Mn掺杂量增加,晶胞体积和晶粒尺寸均略有减小,陶瓷致密度逐渐提高。(Ca_(15/16)Sr_(1/16))_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)Ti_(0.94)Mn_(0.06)O_3陶瓷在1200℃烧结5h具有优良的微波介电性能:相对介电常数ε_r=113,品质因数Q_f=4705 GHz,谐振频率温度系数τ_f=36 ppm/℃。

Li_2Ca_(1-x)Sr_xSiO_4∶Sm^(3+)的制备及发光性能

高温固相法合成Li2Ca1-xSrxSiO4∶Sm3+发光材料。通过XRD、SEM和PL表征物质结构、形貌和发光性能。研究表明,在近紫外光激发下,Li2CaSiO4∶Sm3+、Li2SrSiO4∶Sm3+和Li2Ca1-xSrxSiO4∶Sm3+(x=0.3~0.6)分别发出位于(563nm、607nm、649nm)、(559nm、599nm、645nm)和(563nm、599nm、645nm)的发射峰,其CIE位于红橙光区域。Sr2+部分取代Ca2+后,Li2Ca1-xSrxSiO4∶Sm3+(x=0.3~0.6)发射峰的位置不变,Sm3+发光强度降低,其中Li2Ca0.5Sr0.5SiO4∶Sm3+相对较高。加入4.5%Na2CO3电荷补偿剂后,Li2Ca0.5Sr0.5SiO4∶Sm3+发光强度提高了2.8倍,表明Li2Ca0.5Sr0.5SiO4∶Sm3+可作为LED用发光材料。

复合添加剂掺杂对CLST微波介质陶瓷性能的影响研究

采用传统电子陶瓷制备工艺,以Li2CO3-B2O3-SiO2-CaO-Al2O(3LBSCA)玻璃料42BaO-45B2O3-13SiO2(BBS)玻璃料和Na2CO3为复合烧结助剂,制备了可以中温烧结的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3(CLST)陶瓷,对其晶相组成、烧结性能及微波介电性能进行了系统研究。结果表明:通过液相烧结,复合烧结助剂能有效降低CLST陶瓷的烧结温度,由1300℃降低至950～1000℃。XRD结果显示陶瓷主晶相为斜方钙钛矿,没有发现杂相。添加复合烧结助剂比单独添加一种烧结助剂更能降低陶瓷的烧结温度,但陶瓷的微波介电性能略有下降。添加5wt%LBSCA,12.5wt%BBS和2.5wt%Na2CO3复合烧结助剂的CLST陶瓷在950℃保温5h烧结时具有较好的微波介电性能:εr=57.56,Qf=1338GHz,τf=59.72ppm/℃。

掺Bi_2O_3,B_2O_3,V_2O_5和B_2CuO_4对Sm(Mg_(1/2)Ti_(1/2))O_3性质及显微结构的影响

实验添加多种助烧结剂于以固态反应法制备的钐镁钛微波介电陶瓷Sm(Mg1/2Ti1/2)O3,并研究对烧结体的相对密度、相变化、介电常数、频率温度系数(TCF)、品质因子及微观结构性质的影响。尝试分别加入10 mol%的Bi2O3、B2O3、V2O5及B2CuO4可有效降低陶瓷孔隙率使其致密化,更可大幅下降块材烧结温度,使之可以顺利导入低温共烧陶瓷制程(Low-Temperature Co-fired Ceramics;LTCC),但会破坏钙钛矿晶体结构,引起材料微波特性降低。在实验中原料混合粉末以1 100℃煅烧2 h后研磨,再成型后以1 300℃烧结6 h。结果显示以添加Bi2O3具有最高的密度及Q×f与介电常数,达6.47 g/cm3和26 000 GHz及30.19。

苄基取代茚基二价稀土配合物的合成与表征

无水EuCl_3与1-苄基茚基钾在四氢呋喃(THF)中以1/2的摩尔比反应,尔后用Na/K合金原位进行还原,得到了一种新的中性的二(1-苄基茚基)稀土(II)配合物(1-PhCH_2C_9H_6)_2Eu(THF)_2;而用SmI_2与1-苄基茚基钾在THF中以1/2的摩尔比反应,合成了一种新的苄基取代茚基稀土二价配合物(1-phCH_2C_9H_6)_2Sm(THF)_2,并对其进行了元素分析及红外光谱的表征。

Dy^(3+),Sm^(3+)共掺杂Ca_2A1[AlSiO_7]荧光粉的发光性质研究

采用高温固相反应法合成了一系列Dy^(3+)、Sm^(3+)单掺杂和共掺杂铝方柱石发光材料,详细地研究了Dy^(3+)、Sm^(3+)掺杂对铝方柱石的结构和发光性质的影响。XRD结果表明Dy^(3+)、Sm^(3+)离子单掺杂和共掺杂样品均形成了单相的铝方柱石结构化合物,并没有改变基质的晶体结构。发光光谱表明,通过调节Dy^(3+)、Sm^(3+)离子的掺杂比例,发光颜色可实现从黄色到黄白色的可控调节。此外,发射和激发光谱表明,Dy^(3+)与Sm^(3+)离子之间存在有效的光谱重叠,暗示着Dy^(3+)→Sm^(3+)的能量传递。荧光寿命衰减结果进一步证实Dy^(3+)与Sm^(3+)离子之间是一种无辐射共振能量传递方式。

Sm_2Ce_2O_7-Gd_2Zr_2O_7复合材料制备及热导率

目的探讨了Gd_2Zr_2O_7的颗粒度和含量对(Sm_2Ce_2O_7)1-x(Gd_2Zr_2O_7)x复合材料热导率的影响。方法用纳米级和微米级粉体制备了两个系列的(Sm_2Ce_2O_7)1-x(Gd_2Zr_2O_7)x复合材料。用X射线衍射技术分析了材料的相组成,用扫描电镜观察了复合材料的显微形貌,用纽曼科普定律计算了复合材料的比热,用激光脉冲法测试了材料的热扩散系数。根据比热、密度和热扩散系数计算了复合材料的热导率,并根据最终热导率结果,分析了Gd_2Zr_2O_7颗粒度和含量对复合材料热导率的影响。结果所合成的粉体均具有单一的萤石晶体结构,纳米级Gd_2Zr_2O_7粉体最大比表面积为15.413 m^2/g,微米级Sm_2Ce_2O_7粉体最小比表面积为0.226 m^2/g。所制备的两个系列的(Sm_2Ce_2O_7)1-x(Gd_2Zr_2O_7)x复合材料也表现出单一的萤石晶体结构,但晶粒大小不均匀。结论当x=0.5时,纳米粉体制备的复合材料存在明显的纳米晶。微米级Gd_2Zr_2O_7对复合材料声子热导率抑制不明显,但可以抑制高温光子热导率;纳米级Gd_2Zr_2O_7的引入可明显降低复合材料的声子热导率,但对高温光子热导率抑制不明显。两个系列复合材料的热导率均低于YSZ。

用V_2O_5和Na_2SO_4制备的(Sm_(1-x)Yb_x)_2Zr_2O_7热障涂层材料热腐蚀行为的研究

本文采用ZrOCl_2·8H_2O、Sm_2O_3和Yb_2O_3粉体作为原材料,用化学共沉淀法制备出(Sm_(1-x)Yb_x)_2Zr_2O_7(x=0,0.5,1.0)粉体。粉体经煅烧后,用无压烧结工艺获得(Sm_(1-x)Yb_x)_2Zr_2O_7块体材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS),对在不同热处理条件和不同腐蚀剂作用下(Sm_(1-x)Yb_x)_2Zr_2O_7块体材料的相组成和微观组织结构进行比较和分析,系统地研究了(Sm_(1-x)Yb_x)_2Zr_2O_7材料热腐蚀机理。

千兆国产化商用密码卡技术

随着国产可编程逻辑芯片、国产存储器件及国产处理器芯片的飞速发展,紧跟国家主管部门的技术要求,基于自主研制的高效安全密码产品的设计思想,研制开发了一款国产化的商用千兆PCIE密码卡(以下简称:密码卡)。该密码卡的主控制器采用国产的X1000E芯片、各算法实现引擎、各存储器件、物理噪声源及配套外设USBKey均实现国产化,满足国密局相关的技术要求和准入行业相关标准,高效实现了SM1/2/3/4算法。对称算法和哈希算法性能接近1Gb/s,非对称运算签名性能大于50000tps,设备驱动程序自主开发,兼容性和稳定性好。密码卡成本较低,具有很好的商用前景。

引黄工程SM1/SM2泵站供水系统自控PLC技改方案及实施效果

介绍了万家寨引黄工程SM1/SM2泵站供水系统运行方式及存在的问题,分析了产生问题的原因,提出了相应的解决办法。