空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响

为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(Xnm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm:质量分数4.5%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光器件,其中X为空穴注入层2T-NATA厚度。分析了2T-NATA的蒸镀厚度分别0,5,10,15,20,25,30,35nm时器件的发光性能。结果表明,2T-NATA的HOMO能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,引入空穴注入层2T-NATA提高了器件的发光亮度和效率。当2T-NATA厚度为15nm时,器件的效果最好,起亮电压只需2.87V,亮度最高达到18000cd/m2,是不引入空穴注入层亮度的5倍多,在12V时发光效率可达11.4cd/A。

空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响

在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。

基于TBP掺杂的蓝光有机电致发光器件

采用真空蒸镀法,制备了结构为ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBP(30nm,X)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的蓝光器件,X为TBP的掺杂浓度(质量分数),分别取0%,1%,2%,3%,4%,5%。实验结果表明:采用2T-NATA作为空穴注入层和掺杂TBP能够改善器件的发光亮度和发光效率,当TBP掺杂浓度为3%时,器件的效果最好,可获得稳定的蓝光器件,亮度最高达到5840cd/m2,比不掺杂TBP的亮度提高约0.7倍;7V时器件的最大电流效率为5.29cd/A,流明效率为21m/W,色坐标为(0.1529,0.2254)。

BePP_2沉积速率以及厚度对蓝光OLED性能的影响

实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPB（30nm）／BePP2（Xnm）／A1q3（30nm）／LiF（0．6nm）／Al（80nm）的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究．结果表明：当束源炉孔径为垂1．5mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0．02nm／s（蒸发温度为135oC），且发光层厚度为35nm时，可获得启亮电压为5．34V、发光亮度为9100cd／m2、发光效率达4．4cd／A的较理想蓝光器件．

空穴注入层对OLED性能的影响(英文)

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件(OLED)性能的影响,将酞菁铜(CuPc)、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件,然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性,并进行了对比.结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2.94cd/A,2.4cd/A和18cd/A;2T-NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低.由此得出结论:在实验研究的3种材料中,2T-NaTa最适合作为空穴传输层.