应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计

自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。