3 mm波段烟幕插入损耗测量

为了满足3 mm波段烟幕辐射特性和插入损耗特性测量的需要,研制了3 mm波段烟幕特性自动测量系统-3 mm辐射源和3 mm辐射计／接收机一体机。一体机是对Dicke型辐射计的改进,在保持毫米波辐射计接收机高频前端不变的前提下,分别为辐射特性测量和插入损耗特性测量设计了独立的被动通道和主动通道,并在窄带的插入损耗测量的主动通道增加了中频锁相环路。探讨了该系统的烟幕插入损耗特性测量方法,实验结果表明:该系统能满足3 mm波段烟幕特性自动化测量的要求。

3mm波段低噪声放大器

基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能，设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构，提高器件性能。测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数，并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件，采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性，最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92～96 GHz时，带内增益大于20 dB，噪声系数小于4．0 dB。芯片面积3．07 mm×1．75 mm，直流功耗60 mW。

3mm梁式引线混频管的设计与研制

依据毫米波梁式引线混频二极管等效电路，优化设计了3mmGaAs梁式引线混频管的几何参数，确定了关系到器件性能的GaAs多层外延材料的最佳浓度、厚度等材料参数，近似采用了触须式二极管概念的一些优点和技术，以降低器件的串联电阻和寄生电容，研制出的3mm梁式引线混频管在89．5GHz时，双边带噪声系数6．1dB，并且在12．5、8、5、4mm波段取得令人满意的结果。

3mm频段InPHEMT低噪声器件研究

通过优化设计材料纵向结构,得到了满足3 mm频段工作的In P外延材料结构,最终采用外延工艺制作了In P外延材料。设计了3 mm频段In P HEMT器件横向结构,确定合适源漏间距和单指栅宽,基于In P外延材料采用自主研发流片工艺,优化了欧姆接触工艺,最终制作成功3 mm频段In P HEMT低噪声器件。测试结果表明,在频率为75~110 GHz,Uds为1.2 V,Ugs为-0.1 V时,In P HEMT单胞器件最大增益大于9 d B,噪声系数1.2 d B。

镀铜碳纤维布的制备及性能研究

为制备新型毫米波无源干扰材料,采用化学镀方法在碳纤维布表面沉积了金属铜层。测量了优化工艺条件下制得的镀铜碳纤维布的表面电阻,并采用冷热循环法检测了镀层的结合强度,应用雷达散射截面(RCS)测试系统测试了同样尺寸的镀铜碳纤维布及未改性碳纤维布的3mm波段RCS值。结果表明:镀铜碳纤维布镀覆均匀,金属光泽强,有良好的镀层结合强度及较强的导电性能。镀铜碳纤维布在3mm波段的RCS值较未改性碳纤维布有很大提高,且与理论计算值接近。

新型柔性毫米波材料导电布的制备与测试

提出一种新型柔性毫米波材料导电布的制备方法,采用真空磁控溅射复合镀膜技术在涤纶基布表面沉积金属镀层。检验导电布的导电性能和镀层附着力,并应用毫米波辐射计测试系统测试导电布与金属铝板的3 mm波段毫米波辐射特性。结果表明,导电布镀覆均匀,质地柔软轻薄,有良好的镀层结合强度及较强的导电性能。导电布在3 mm波段的毫米波辐射与金属板的性能相当。