Al2O3掺杂SO4^2-/SnO2固体酸催化剂上的酯化和酯交换反应

用共沉淀法制备了一系列不同Al2O3掺杂量(0.5%-3.0%,摩尔分数)的SO24-/SnO2催化剂.采用N2吸附、热重(TG)分析、X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、漫反射红外光谱(DRIFTS)、拉曼(Raman)光谱、魔角旋转固体核磁共振(27AlMASNMR)对催化剂的结构和织构性质进行了表征,用正丁胺电位滴定法测定了催化剂的酸量,并评价了这些催化剂对月桂酸与甲醇的酯化和三乙酸甘油酯与甲醇的酯交换反应性能.实验结果表明SO24-/SnO2催化剂中掺杂少量Al2O3能明显提高催化活性,这是由催化剂的酸性位增加而引起的,添加Al2O3的摩尔分数为1.0%的催化剂表现出最高的反应活性,在酯化反应中6h后月桂酸转化率高达92.7%,在酯交换反应中8h后三乙酸甘油酯转化率高达91.1%.

WO_3掺杂对MnO_x/TiO_2催化剂低温选择性催化还原NO_x的影响

采用一步浸渍法制备不同WO3含量的MnOx／WO3／TiO2催化剂，并采用XRD，BET,HRTEM，H2-TPR和insitu FTIR等技术进行表征。结果表明：适度添加WO3可以显著提高锰系催化剂的反应活性，其中15％MnOx／5％WO3／TiO2表现出了较好的低温活性，80～240℃的温度窗口内NOx转化率超过85％。添加5％WO3可以有效地提高活性物种的分散，大大降低H2的还原温度，有效地增强催化剂的氧化还原能力；增强催化剂的表面酸性，特别是Brensted酸，并且出现活性中间物质—NH2，有利于SCR反应的进行。Mn物种主要以Mn2O3形式存在，但随着钨含量的增加，逐渐出现MnO2。在单独的NO气氛中时，NO会在催化剂表面氧化活性中心形成大量单齿和双齿配位型硝酸盐，占据在氧化活性中心上阻碍NH3的吸附和活化，对后续反应不利。

高效WO_3掺杂MCF催化剂的合成及其在环戊烯选择氧化制戊二醛反应中的应用(英文)

以钨酸钠和正硅酸乙酯为前驱体直接合成高含量WO3掺杂介孔氧化硅泡沫(MCF)催化剂.在773K焙烧后显示出更高的热稳定性.小角X射线散射,N2-物理吸附和透射电子显微镜结果表明钨物种嵌入后,材料仍保持MCF特征的三维织构介孔特征.紫外拉曼和紫外可见漫反射光谱结果表明钨物种主要以孤立的或者低聚态的氧化钨形式存在,所以在氧化钨质量分数(w)低于20%时氧化钨物种能够高度分散在载体上.在环戊烯选择氧化制戊二醛反应中,反应16h后环戊烯的转化率达到100%,戊二醛的产率达到83.5%.催化剂重复利用实验表明催化剂的稳定性较好,没有钨物种的脱落.这种优异的催化性能归结于合适的氧化钨含量和高分散的钨物种.

低温烧结B_2O_3掺杂Y_(1.05)Bi_(0.75)Ca_(1.2)Fe_(4.4)V_(0.6)O_(12)铁氧体的微结构研究

用传统陶瓷工艺制备了0.025wt%B2O3掺杂的Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4V0.6O12铁氧体,并对其低温烧结特性进行了研究。结果表明,烧结温度对B2O3掺杂的Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4V0.6O12铁氧体的密度影响显著:样品在1040℃烧结,固相反应完全,且具有晶粒大小均匀、结构致密的显微结构。

Al_2O_3掺杂钼基合金混合粉末的制备

采用溶胶-凝胶法和二次还原工艺制备了Al2O3/Mo超细粉末,利用XRD、SEM、TEM对还原后粉末的相结构、形貌、粒度进行了分析,并讨论了成胶过程中相关因素的影响。结果表明,在溶液pH<2,柠檬酸与钼酸铵质量比为1.5时,所得粉末质量较好。

La_2O_3掺杂WO_3纳米粉体的制备及气敏性能

以胶溶法制备的WO3和sol-gel法制备的La2O3为原料,采用固相研磨法制备了掺杂剂质量分数w(La2O3)为0.5%～7.0%的La2O3-WO3纳米粉体,利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对丙酮的气敏性能。结果表明,制得的La2O3-WO3纳米粉体结晶良好,平均粒径为60nm;当工作电压为4.5V,w(La2O3)为5.0%时,粉体在600℃下烧结制得的气敏元件对体积分数为50×10–6的丙酮的灵敏度可达37.6,响应时间和恢复时间分别是1s和11s。

CeF_3掺杂增强纳米晶Si光致发光强度的研究

真空蒸发SiO粉末,在Si(100)基体上制备SiOx薄膜,后续氮气中1100℃退火制备镶嵌在SiO2基体中的纳米晶Si体系(nc-Si/SiO2),然后将该样品放入真空室,在其上沉积CeF3薄膜,不同温度下热处理使Ce3+扩散到nc-Si附近,实现对纳米晶Si的掺杂。通过改变CeF3薄膜厚度调节掺杂浓度,在一定的掺杂浓度下纳米晶Si的光致发光强度明显改善,激发光谱证实荧光增强机制是Ce3+通过强耦合过程对纳米晶Si的能量传递。

Sm_2O_3掺杂BaTiO_3陶瓷的结构与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的.

Co_2O_3掺杂0.85PZT-0.15PZN压电陶瓷的性能

研究了添加Co2O3对0．85PZT-0．15PZN陶瓷的压电和介电性能的影响．研究结果表明：随着Co2O3掺杂量从0增加到0．4％，介电损耗因子tanδ大幅降低，同时压电常数d33和介电常数εr降低．当添加质量分数为0．4％的Co2O3时，tanδ，d33,εr分别由未掺杂时的0．024，360pC／N，1100降低到0．003，220pC／N，600．当添加Co2O3超过0．4％时，d33,εr，tanδ的下降趋于平缓；当添加Co2O3超过0．7％时，陶瓷的漏电流增加，难以极化．实验发现，添加质量分数为0．4％的Co2O3比未掺杂陶瓷的烧成温度降低了近100℃，并且形成了晶粒尺度在1．0～2．5μm均匀致密的陶瓷．

Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响

为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .

Y_2O_3掺杂对(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3无铅压电陶瓷性能的影响研究

采用传统固相反应法制备了Y2O3掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(简写为BNBT6)陶瓷[简称为BNBT6-x(wt%)Y2O3陶瓷]。研究了Y2O3(0.2wt%～0.8wt%)掺杂对BNBT6陶瓷的结构、介电、压电、铁电性能的影响。结果表明,所有Y2O3掺杂陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构;陶瓷的介电、压电、铁电性能受Y2O3掺杂的影响较为显著:当掺杂0.4wt%Y2O3时,10kHz频率下测得的室温εr达到1530,且tanδ较小,为0.050,d33达到152pC/N,kp=0.27,Qm=134。掺杂0.2wt%的Y2O3时BNBT6陶瓷的d33为145pC/N,kp增大到0.29,Qm达到173,tanδ为0.053;掺杂适量YO的BNBT6陶瓷铁电性能也得到改善。

Dy_2O_3掺杂对纳米锂铁氧体微波吸收特性的影响

采用机械合金化的方法制备纳米晶 L i Fe5O8和 L i Fe4.994Dy0 .0 0 6O8,在不同温度下进行热处理 ,并研究了它们的吸波性能 .实验结果表明 :Li Fe5O8在 7～ 1 2 GHz频段内有三个吸收峰 ,具有一定的吸波性能 .当加入少量的 Dy2 O3 后 ,吸收峰的位置发生了变化 ,其吸波性能得到显著的提高 .

Al(OH)_3掺杂非晶态氢氧化镍的制备及其电化学性能

采用微乳液法合成了Al(OH)3掺杂非晶态Ni(OH)2粉体.研究了温度、pH值和掺杂剂的含量等各种因素对其电化学性能的影响并分析了其作用机理.实验表明样品制备的工艺条件为t=50℃、pH=12、Al(OH)3掺杂含量为5%时,样品电极容易活化,循环性能较好.采用以100mA/g恒电流充电4h,以50mA/g恒电流放电,终止电压为1.0V的充放电制度,其比容量达346.1mA·h/g,放电工作电位平稳于1.24V.

Y_2O_3掺杂对WO_3压敏非线性及介电性能的影响

在Y2O3掺杂量(摩尔分数)为0.2%～2%的范围内研究了Y2O3掺杂对WO3的非线性伏安特性及介电性能的影响.实验结果表明:随Y2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Y2O3掺杂量为0.8%附近达到最大值(3.61);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)也是先增大后减小,其最大值(1.16×104)出现在Y2O3摩尔分数为1.2%附近的样品中.测量了各样品的阻抗频率依赖关系,并由此估算了不同Y2O3含量样品的晶粒电阻,利用德拜弛豫关系式解释了Y2O3掺杂引起WO3介电常数与晶粒电阻变化的关系.Y2O3掺杂的WO3陶瓷是一种新型的压敏电容材料.

Nd_2O_3掺杂对纳米锂铁氧体微波吸收特性的影响

采用机械合金化方法制备了纳米晶LiFe5O8和LiFe4.994Nd0.006O8材料,并研究了它们的吸波性能。实验结果表明:LiFe5O8在7～12GHz频段内有三个吸收峰,但吸收值较低。当加入少量的Nd2O3后,吸收值增大,吸波性能得到有效的提高。将LiFe4.994Nd0.006O8与少量的Fe粉混合,吸收值增大,频带展宽,其吸波性能得到进一步的提高。它是一种有发展前景的吸波材料。

高浓度Sm_2O_3掺杂的BIT陶瓷微结构与电性能研究

采用固相烧结工艺制备了高浓度Sm2O3掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)基陶瓷材料。研究了不同的Sm2O3掺杂浓度和温度对BIT基陶瓷材料的显微结构及电性能的影响。结果表明:当Sm2O3浓度为12.0 mol%时,有Bi0.56Sm1.44Ti2O7第二相出现,BIT陶瓷室温介电常数为114,室温介质损耗(tanδ)为0.002;当Sm2O3浓度为6.0mol%时,陶瓷材料的室温介电常数为119,室温介质损耗(tanδ)为0.0027。

La_2O_3掺杂MoSi_2的SHS合成及其性能研究

以Mo粉、Si粉和La2O3为原料,通过自蔓延高温燃烧合成(SHS)的方法制备了La2O3掺杂的MoSi2材料.研究表明,掺杂剂La2O3的加入对MoSi2燃烧合成过程的热力学和动力学具有明显的影响.并通过XRD和SEM对燃烧合成产物的物相组成和形貌进行了分析,发现La2O3的加入对合成产物的物相组成没有明显影响,但可以大大降低合成产物的晶粒尺寸.同时,力学性能研究结果表明,La2O3的加入可以提高MoSi2材料的室温断裂韧性.

B_2O_3掺杂Co_2Z的低温烧结及磁性能研究

以掺杂B2O3与Cu2+取代相结合对Co2Z型高频软磁铁氧体材料的低温烧结规律进行了研究,并分析了掺杂B2O3降低Co2Z烧结温度及对磁性能影响的机理。研究表明,B2O3掺杂引起Co2Z型铁氧体材料中Z相向M相转化,且随着B2O3掺杂量的增大M相增多,磁导率减小。掺杂B2O3与Cu2+取代显著地降低了Co2Z陶瓷的烧结温度。950℃烧结时,其体积密度为5.02 g/cm3,相对密度为94%,起始磁导率为2.5,是制造高频多层片式电感器的理想介质材料。

Fe_2O_3掺杂TiO_2催化超声降解染料工业废水的研究

以Fe2O3掺杂TiO2为催化剂、超声辐照为主要手段对染料工业废水进行了降解实验研究,考察了各种反应参数对染料废水降解效果的影响。结果表明,Fe2O3掺杂TiO2对染料工业废水的超声降解效果具有明显的促进作用。在超声波频率为45 kHz、功率为200 W、溶液初始pH为2.63、超声反应时间为150 min的条件下,染料工业废水的COD去除率为67%,而同样条件下,加入750 mg/L Fe2O3掺杂质量分数为1.0%的Fe2O3掺杂TiO2,其超声降解废水COD去除率可达92%。

B_2O_3掺杂钇铁氧体的低温烧结及磁性能研究

用传统陶瓷工艺制备了B2O3掺杂的Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4V0.6O12铁氧体,并对其低温烧结特性进行了研究。结果表明:掺杂适量的B2O3能够明显降低铁氧体的烧结温度且对磁性能影响显著。当B2O3掺杂量为0.025wt%、烧结温度为1040℃时,可获得晶粒大小均匀、结构致密的铁氧体,其饱和磁感应强度为4.82×10-2T。