NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响

氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,对不同Ⅴ/Ⅲ比下GaN薄膜形态变化的机理进行了分析,研究了HVPE生长过程中氮源(Ⅴ族)和镓源(Ⅲ族)不同流量比对结晶质量和表面形貌的影响。实验结果表明,低Ⅴ/Ⅲ比会导致成核密度低,岛状晶胞难以合并;高Ⅴ/Ⅲ比会降低表面Ga原子的迁移率,导致表面高度差异大,结晶质量差。与Ⅴ/Ⅲ比为15.000和28.125相比,Ⅴ/Ⅲ比为21.250时更适合GaN薄膜生长,得到的晶体质量最高。

POCl_3流量与网版图形对单晶硅电池性能的影响

为减小高流量POCl3对硅片的损伤,对单晶硅扩散工艺进行了改进。在950 ml/min的基础上降低POCl3流量,并采用不同图形的正电极网版进行印刷匹配试验。采用常规生产设备进行生产得出,采用650ml/min的POCl3流量扩散和85根副栅线正电极网版印刷生产的单晶硅太阳能电池的转换效率达到18.63%,比改进工艺前生产的电池转换效率提高了0.35%。

X^3流量特性阀瓣设计

从调节阀的流量特性数学表达式出发,结合阀瓣设计的基础理论和CFD仿真,为单座式柱塞调节阀设计了一种新型流量特性——X^3流量特性,并通过拟合化工生产线的具体工况,确定了表达式中流量特性形态范围、斜率调节系数。新设计的流量特性可用以弥补线性和等百分比这两种常见流量特性的调节缺陷,为对调节阀有更高可控性要求的用户提供了一种局部调节精度较高的选择。最终通过对一台X^3流量特性DN50单座式调节阀进行流量试验,验证了此设计的可行性。

支具大流量3D打印工艺参数对挤料力的影响

大流量3D打印技术是实现支具快速成型的有效方式,然而,在大流量熔融沉积成型(FDM)的背景下,柱塞式挤出机需要更高的挤料力实现丝材的熔融挤出,更易发生丝材磨损与弯曲现象,导致打印失败。针对柱塞式挤料机在支具大流量3D打印过程中挤料不稳定以及易失效的问题,将挤料力作为挤料过程稳定性的观察指标,来研究工艺参数对挤料力的影响。通过设计大流量挤出机构、建立熔体黏度仿真模型与搭建挤料力测量装置,采用仿真与实验相结合的方式,分析不同工艺参数组合下挤料力的变化趋势,研究流道结构、挤料速度与喷头温度对挤料过程的影响。结果表明:在流道结构参数方面,提高流道过渡出口直径可以减小挤料力,有利于提高挤料过程稳定性;在挤料速度与喷头温度方面,不同的打印工艺参数组合会导致三种不同的挤料过程,通过选择合理的工艺参数,可以使挤料力保持在稳定挤料区间;当挤料力控制在113 N以下时,挤料装置能实现24867.03 mm^(3)/min的大流量稳定挤出;实际打印模型耗时测试结果表明,其相比于普通FDM打印机效率提高了约23倍。

S3-SVR雷达流量计在南宽坪水文站流量测验中的应用分析

S3-SVR型缆道雷达波测流设备采用美国ACI公司多普勒雷达波测速传感器(www.stalkerradar.com),以非接触方式测量水流表面流速,借助水文站现有过河缆道设施,测量每条垂线的水面流速,配套测流软件,计算断面流量。本文通过对S3-SVR型雷达流量计与常规流速仪测流进行比测试验,找出系数。目的是利用先进的测量技术,提高测验时效性,为防汛及实施水资源的统一调度和管理提供技术支持。同时也为该仪器在陕西省及商洛市的推广使用打好基础。

基于热点区域EVDO网络3G下切2G的优化分析

无线CDMA2000 1x EVDO网络数据业务发展迅猛,其覆盖、容量及质量直接关系着用户的感知和3G的价值体现。基于热点区域场景,分析了EVDO网络3G下切2G的原因并结合案例分析研究,给出了提升3G下切2G流量比的可行方案。

基于三氯氧磷液态源扩散技术的太阳能电池转换效率研究

通过对太阳能电池片扩散工艺中扩散端POCl3流量的控制实验,研究了POCl3流量对所制太阳能电池的等效串联电阻RS、漏电阻RSH以及转换效率的影响。结果表明:RS和RSH都随POCl3流量减小而增大。当POCl3流量为950 mL/min时,所制太阳能电池转换效率达到最大值16.69%,比常规生产(POCl3流量为1 000 mL/min)的转换效率提高了0.35%。

HVPE法制备AlN单晶薄膜

采用氢化物气相外延(HVPE)在6H-SiC衬底上生长AlN单晶薄膜。利用热力学理论计算源区Al-NH体系中的物质平衡,表明源区温度为800~900K时,HCl与AlCl3气体分压为1∶3,主要产物是对石英管腐蚀较低的AlCl_3。控制源区温度800~900K,生长区温度1 373K,HCl流量25cm^3/min,分析NH_3和HCl流量比(R)对薄膜形貌及结晶度的影响。R=0.5时,获得表面平整光滑且厚度为7μm的AlN单晶。

SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响

利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减<5%。

HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征

实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_(3)源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_(3)流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_(3)流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_(3)流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_(2)载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。