纳米结构TiO_2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩(ITO/P3HT)膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89eV,价带位置为-5.4eV.在ITO/TiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.

染污绝缘子表面流注放电特性的实验研究

为了研究绝缘子表面污秽对流注传播的影响,在海拔高度为2 100 m的特高压实验基地,利用3电极结构进行了实验研究,比较了涂覆不同盐密和灰密污秽的绝缘子上的流注传播特性,并用Ansoft电磁场分析软件对涂覆污层前后绝缘子表面的电场分布进行了仿真计算。实验结果表明:流注的稳定传播电场强度随盐密的增大而先增大,在盐密超过0.10 mg/cm2后保持不变,随灰密的增大而升高;在外加电场强度大于稳定传播电场强度后,相同电场强度下,变化污秽层盐密、灰密对应的流注传播平均速度相差不大。通过仿真计算发现:污层的存在使得绝缘子表面的电场分布发生畸变,污区的电场明显减弱,污层两端电场增强;污层电导率的变化使得电场分布改变,从而导致涂污前后绝缘子表面流注放电脉冲波形在盐密、灰密变化时的稳定传播电场强度变化。

绝缘子表面污层位置对流注放电的影响

为研究流注的产生和传播对污闪过程的影响因素,利用3电极结构,通过光电倍增管得到的光脉冲信号来检测流注在极板间的传播过程,得到了流注的传播概率曲线和传播速度。通过比较测量结果,对绝缘子表面不同位置涂覆污秽层时的传播特性进行研究。研究表明:污秽带的位置对流注的稳定传播电场影响很大,污秽带涂覆在绝缘子表面上、中、下3个位置时,流注放电的稳定传播电场分别为503、598、646 kV/m;外加电场相同时,流注的传播速度随着污秽带向下移动而不断减小。仿真计算的结果表明:污秽带涂覆不同位置时绝缘子表面电场分布畸变很明显,污秽带位置不同,电场畸变也有所不同,在污层区域平均电场有明显减小。污层影响绝缘子表面的电场分布,导致流注传播特性产生变化。