3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）4H．SiCPVT生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。