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用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计
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作者 张东晖 张万荣 +3 位作者 谢红云 丁春宝 赵昕 刘波宇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期224-228,共5页
偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大... 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8~2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。 展开更多
关键词 双有源偏置电路 低噪声放大器 线性度 噪声系数 输入3阶交调点
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一种L频段高线性度低噪声放大器的设计 被引量:4
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作者 崔伟 刘自成 陈志铭 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期174-177,共4页
对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析。基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流。采用TSMC 90nm CMOS工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交... 对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析。基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流。采用TSMC 90nm CMOS工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交调点达30.6dBm,增益为14.54dB,噪声系数为1.63dB,功耗为45mA@3.3V。 展开更多
关键词 低噪声放大器 线性度 3阶交调点 导数
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