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3-D寄生电容直接边界元提取的预条件方法
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作者 魏洪川 王光辉 王泽毅 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2002年第16期207-209,共3页
集成电路密度的不断提高对寄生电容提取的精度和速度提出了越来越高的要求,文章应用直接边界元法提取互连电容,对一种GMRES预条件算法做出修改并应用于实际计算中。两个典型算例的理论分析和实际计算表明,这种预条件方法可以降低方程的... 集成电路密度的不断提高对寄生电容提取的精度和速度提出了越来越高的要求,文章应用直接边界元法提取互连电容,对一种GMRES预条件算法做出修改并应用于实际计算中。两个典型算例的理论分析和实际计算表明,这种预条件方法可以降低方程的迭代次数约30%,明显减少方程求解时间。 展开更多
关键词 3-d寄生电容 边界元素法 预条件 参数提取 GMRES 多层布式 集成电路
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