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A NEW DE-NOISING METHOD BASED ON 3-BAND WAVELET AND NONPARAMETRIC ADAPTIVE ESTIMATION
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作者 Li Li Peng Yuhua +1 位作者 Yang Mingqiang Xue Peijun 《Journal of Electronics(China)》 2007年第3期358-362,共5页
Wavelet de-noising has been well known as an important method of signal de-noising. Recently,most of the research efforts about wavelet de-noising focus on how to select the threshold,where Donoho method is applied wi... Wavelet de-noising has been well known as an important method of signal de-noising. Recently,most of the research efforts about wavelet de-noising focus on how to select the threshold,where Donoho method is applied widely. Compared with traditional 2-band wavelet,3-band wavelet has advantages in many aspects. According to this theory,an adaptive signal de-noising method in 3-band wavelet domain based on nonparametric adaptive estimation is proposed. The experimental results show that in 3-band wavelet domain,the proposed method represents better characteristics than Donoho method in protecting detail and improving the signal-to-noise ratio of reconstruction signal. 展开更多
关键词 NONPARAMETRIC Adaptive estimation 3-band wavelet Signal de-noising
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Zn_(3)(VO_(4))_(2):xDy^(3+)黄色荧光粉的制备与性能
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作者 张辉霞 吴同华 +1 位作者 孙芳 贾相华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期33-37,共5页
以氧化锌和五氧化二钒为原料,氧化镝为掺杂离子,利用高温固相法合成了一系列的掺杂稀土镝的钒酸锌黄色荧光粉。对其光学性能进行了研究,结果表明,所制备的粉体都保持了矾酸锌的结构,并且荧光粉的发射光是VO_(4)^(3+)基团和Dy所致。当激... 以氧化锌和五氧化二钒为原料,氧化镝为掺杂离子,利用高温固相法合成了一系列的掺杂稀土镝的钒酸锌黄色荧光粉。对其光学性能进行了研究,结果表明,所制备的粉体都保持了矾酸锌的结构,并且荧光粉的发射光是VO_(4)^(3+)基团和Dy所致。当激发波长为350 nm时,其发射峰是位于510~595 nm的宽带状光谱,主峰位于563 nm处。研究了合成温度和Dy掺杂浓度对发光性能的影响,结果表明,当合成温度为800℃和Dy掺杂摩尔分数为6%时,Dy^(3+)能很好地进入到矾酸锌的晶格中,减小了荧光材料光学带隙,增强了光的吸收性能。暗室环境下封装后的荧光粉LED芯片具有良好的黄色发光性能。 展开更多
关键词 氧化镝 光学带隙 发光性能 黄色荧光粉 钒酸锌
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基于全无机CsPbBr_(3)钙钛矿太阳能电池的光电性能研究 被引量:1
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作者 王传坤 郝艳玲 +1 位作者 张星 陆成伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期128-133,共6页
钙钛矿太阳能电池具有制作工艺简单和光电转换效率高等优点,成为光伏领域研究的热点。而全无机钙钛矿太阳能材料CsPbBr_(3)具有较强的稳定性,是具有竞争力的钙钛矿光吸收材料。主要利用SCAPS-1D软件构建了FTO/TiO_(2)/CsPbBr_(3)/Cu2ZnS... 钙钛矿太阳能电池具有制作工艺简单和光电转换效率高等优点,成为光伏领域研究的热点。而全无机钙钛矿太阳能材料CsPbBr_(3)具有较强的稳定性,是具有竞争力的钙钛矿光吸收材料。主要利用SCAPS-1D软件构建了FTO/TiO_(2)/CsPbBr_(3)/Cu2ZnSnS4(CZTS)/Ag平面异质结结构。研究了全无机钙钛矿材料CsPbBr_(3)厚度和带隙对钙钛矿太阳能电池的影响。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 全无机CsPbBr_(3) 带隙 光电转换效率
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非层状二维γ-In_(2)Se_(3)的各向异性生长及其光学特性
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作者 雷子煊 张文婷 +1 位作者 夏晓凤 王红艳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期58-65,共8页
非层状二维(2D)γ-In_(2)Se_(3)具有优异的光学和电学性能,在超薄柔性器件和光电探测领域具有广泛的应用前景.然而,相较于层状的类石墨烯材料,非层状材料固有的各向同性化学键,使得其二维各向异性生长面临较大的挑战.本研究构建了一种... 非层状二维(2D)γ-In_(2)Se_(3)具有优异的光学和电学性能,在超薄柔性器件和光电探测领域具有广泛的应用前景.然而,相较于层状的类石墨烯材料,非层状材料固有的各向同性化学键,使得其二维各向异性生长面临较大的挑战.本研究构建了一种新的化学气相沉积(CVD)生长策略,成功制备了高质量的2Dγ-In_(2)Se_(3).首次选用低熔点的铟粉为前驱体,有效降低了生长温度.此外,生长过程去除了CVD法合成二维硒化物时不可避免的危险气体H_(2),这不仅能有效抑制InSe副产物的形成,还降低了实验危险性.通过探究原料用量、生长温度及时间等参数对样品形貌和厚度的影响,获得了最佳生长窗口.详细表征了2Dγ-In_(2)Se_(3)的微观形貌、化学组分、晶体结构和光学特性等.结果表明,样品具有强烈的光致发光(PL)效应,与γ-In_(2)Se_(3)的直接带隙属性相吻合.随着厚度的减小,PL峰会发生蓝移,说明光学带隙随之增大.Raman光谱显示,不同厚度的样品其特征峰也会发生移动,说明厚度会影响2Dγ-In_(2)Se_(3)的分子振动行为.由此可见,通过生长参数调控2Dγ-In_(2)Se_(3)的厚度,可实现对其光学带隙和分子振动行为的调控,这将为相关的理论研究和光电器件应用提供基本的材料平台. 展开更多
关键词 非层状材料 二维γ-In_(2)Se_(3) 化学气相沉积 各向异性生长 带隙
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一种基于LTCC技术的3 dB电桥设计与制作
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作者 边丽菲 周文瑾 +2 位作者 袁野 何舒玮 王栋 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第1期58-61,共4页
针对当前通信系统对3 dB电桥等多种无源器件多频带和小型化等要求,利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺设计了一款具有新型结构的3 dB 90°电桥,采用蛇形和螺旋宽边耦合带状线的方式,实现了电桥的小型化和超宽带。通过软件ANSYS HFSS对电桥... 针对当前通信系统对3 dB电桥等多种无源器件多频带和小型化等要求,利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺设计了一款具有新型结构的3 dB 90°电桥,采用蛇形和螺旋宽边耦合带状线的方式,实现了电桥的小型化和超宽带。通过软件ANSYS HFSS对电桥进行三维建模,并在LTCC工艺线加工制作,实际制作的电桥的测量结果与仿真结果几乎一致。研制的3 dB电桥的工作频率为1~2.7 GHz,尺寸为3.2 mm×1.6 mm×0.95 mm,相位不平衡度小于±5°,幅度不平衡度小于2 dB,带内插损小于2 dB,隔离度大于15 dB,输入电压驻波比小于1.5。 展开更多
关键词 3 dB电桥 低温共烧陶瓷 宽边耦合 小型化 超宽带
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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
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作者 钟琼丽 王绪 +1 位作者 马奎 杨发顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1352-1360,共9页
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 AL掺杂 磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构 光吸收 光学带隙
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具有Ruddlesden-Popper结构的杂化非本征铁电体(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)陶瓷的制备及其物理性能
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作者 MARCO Antonio López-Aguila 柳志旭 +2 位作者 王守宇 黄聪 刘卫芳 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期19-25,共7页
为探究稀土离子掺杂对Ca_(3)Ti_(2)O_(7)物理性能的调控,采用固相反应法制备了Sm^(3+)掺杂的(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,通过XRD、XPS、紫外-可见光吸收光谱以及第一性原理计算等方法对样品的晶体结构、... 为探究稀土离子掺杂对Ca_(3)Ti_(2)O_(7)物理性能的调控,采用固相反应法制备了Sm^(3+)掺杂的(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,通过XRD、XPS、紫外-可见光吸收光谱以及第一性原理计算等方法对样品的晶体结构、光学性能、电学性能和磁学性能进行分析.结果表明:随着Sm^(3+)含量的增加,(Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)的晶胞参数逐渐增大.Sm^(3+)掺杂导致氧空位减少,因此样品的漏电流随着Sm^(3+)掺杂量的增加而减小.同时,随着Sm^(3+)掺杂量的增加,样品的光学带隙呈现增大趋势.此外,第一性原理研究表明,Sm^(3+)掺杂可在体系中诱导出磁性能,进一步丰富了该材料的物理性能. 展开更多
关键词 (Ca_(1-x)Sm_(x))_(3)Ti_(2)O_(7)陶瓷 铁电性 氧空位 光学带隙 第一性原理
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宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展 被引量:1
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作者 沈乐昀 张涛 +4 位作者 刘云泽 吴慧珊 王凤志 潘新花 叶志镇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期13-26,共14页
β-Ga_(2)O_(3)是一种超宽禁带半导体材料,对应太阳光谱的深紫外波段,可用于制备日盲紫外探测器。日盲紫外探测器抗干扰能力强、探测灵敏度高、背景噪声低,在军事和航空航天领域具有极大的应用前景。本文主要介绍Ga_(2)O_(3)材料的基本... β-Ga_(2)O_(3)是一种超宽禁带半导体材料,对应太阳光谱的深紫外波段,可用于制备日盲紫外探测器。日盲紫外探测器抗干扰能力强、探测灵敏度高、背景噪声低,在军事和航空航天领域具有极大的应用前景。本文主要介绍Ga_(2)O_(3)材料的基本性质,包括不同的晶相结构及其制备方法,并总结不同结构的Ga_(2)O_(3)器件在日盲紫外探测领域的研究进展。其中,金属-半导体-金属(MSM)结构的Ga_(2)O_(3)器件最为普遍,特别是基于薄膜材料的器件已具备了商业化参数,有望实现产业化应用。基于Ga_(2)O_(3)的异质结和肖特基结日盲紫外探测器也表现出优异的性能,并呈现出自供电特性。此外,薄膜晶体管结构Ga_(2)O_(3)器件结合MSM结构和晶体管结构的工作机制,可获得更大的光增益,适用于微弱信号的探测,成为一种极具潜力的日盲紫外探测器件。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带氧化物 日盲紫外 光电探测器
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Al_(x)Ga_(1-x)_(2)O_(3)结构、电子和光学性质的第一性原理研究 被引量:1
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作者 高妍 董海涛 +1 位作者 张小可 冯文然 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第9期1674-1680,1719,共8页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了不同Al掺杂浓度β-Ga_(2)O_(3)(即Al_(x)Ga_(1-x)_(2)O_(3))的晶体结构、电荷密度分布、能带结构、态密度和光学性质,并对本征β-Ga_(2)O_(3)和不同Al掺杂浓度的β-Ga_(2)O_(3)的计算结果进... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了不同Al掺杂浓度β-Ga_(2)O_(3)(即Al_(x)Ga_(1-x)_(2)O_(3))的晶体结构、电荷密度分布、能带结构、态密度和光学性质,并对本征β-Ga_(2)O_(3)和不同Al掺杂浓度的β-Ga_(2)O_(3)的计算结果进行了分析对比。结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的晶格常数和键长均单调减小,而带隙逐渐增大。β-Ga_(2)O_(3)导带底上方存在主要由Ga 4s和Al 3p轨道组成的中间带,Al掺杂在此中间带引入杂质能级,从而导致带隙增加。同时,Al的引入使态密度向高能侧偏移了近3 eV,也导致了带隙的增加。根据光学性质的计算结果,在掺杂Al后,介电函数的虚部和吸收系数均观察到明显的蓝移现象。这是由价带顶中的O 2p态和导带底中的Ga 4s态之间的跃迁产生的。并且,随着Al掺杂浓度的增加,蓝移现象加剧。本文研究可为基于Al_(x)Ga_(1-x)_(2)O_(3)光电器件的设计提供思路和理论指导。 展开更多
关键词 第一性原理 掺杂 Al掺杂β-Ga_(2)O_(3) 能带结构 电子结构 光学性质
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g-C_(3)N_(4)基异质结光催化剂研究进展 被引量:1
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作者 秦建宇 贾密英 张艳峰 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第3期275-286,共12页
石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))是一种典型的非金属n型聚合物半导体光催化剂.因其具有合适的带隙(2.7 eV),高的热稳定性和化学稳定性,较强的可见光响应等优良特性而被广泛关注.基于g-C_(3)N_(4)构建出2种或2种以上的半导体异质结,具有提高... 石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))是一种典型的非金属n型聚合物半导体光催化剂.因其具有合适的带隙(2.7 eV),高的热稳定性和化学稳定性,较强的可见光响应等优良特性而被广泛关注.基于g-C_(3)N_(4)构建出2种或2种以上的半导体异质结,具有提高可见光利用率,增强氧化还原能力,促进光生载流子转移和分离等作用,因而成为一种提高光催化活性的可行和高效策略.综述了近年来g-C_(3)N_(4)基异质结的构建及其光催化机理的研究进展,并进一步展望了研究前景. 展开更多
关键词 g-C_(3)N_(4) 异质结 能带结构 光催化机理
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Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
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作者 张弘鹏 贾仁需 +3 位作者 陈铖颖 元磊 张宏怡 彭博 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1062-1070,共9页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 表面钝化 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 能带工程 表面边缘终端 高k介质
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特高压GIS隔离开关开合母线方式3试验中暂态电压波形解析 被引量:1
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作者 李敬雄 丁登伟 +5 位作者 卢贵有 李强 廖钧 刘卫东 李星 何雨峰 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期193-200,共8页
为分析特高压GIS隔离开关方式3试验中暂态电压与断口间动态绝缘特性的关联,文中构建了超宽频暂态电压监测系统和电弧形态观测系统,全过程监测了特高压GIS隔离开关开合过程中电源和负载侧的暂态电压,以及动静触头间击穿时的电弧形态。试... 为分析特高压GIS隔离开关方式3试验中暂态电压与断口间动态绝缘特性的关联,文中构建了超宽频暂态电压监测系统和电弧形态观测系统,全过程监测了特高压GIS隔离开关开合过程中电源和负载侧的暂态电压,以及动静触头间击穿时的电弧形态。试验发现,隔离开关方式3试验合闸和分闸过程中电弧重燃和熄灭交替出现的持续时间分别为140 ms和240 ms。电压峰值附近发生的电弧熄灭,将引发过电压,但幅值低于1.4 p.u.。分合闸过程中产生的暂态电压持续时间约12μs,波头时间约25 ns,其频率主要分布在1 MHz以下,最高瞬时频率接近50 MHz。方式3试验中,断口间击穿不会产生特快速暂态过电压,与方式1存在较大区别。文中研究揭示了隔离开关分合闸过程中暂态电压的激发机理和时频特征,以及对断口间动态绝缘的影响,为GIS隔离开关的性能考核和优化设计提供了有力支撑。 展开更多
关键词 特高压GIS隔离开关 开合母线 方式3试验 暂态电压 超宽频电压测量 时频特征
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SrSnO_(3)作为透明导电氧化物的第一性原理研究
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作者 丁莉洁 张笑天 +3 位作者 郭欣宜 薛阳 林常青 黄丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期51-59,共9页
SrSnO_(3)是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO_(3)的电子结构,着重讨论了SrSnO_(3)的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级... SrSnO_(3)是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO_(3)的电子结构,着重讨论了SrSnO_(3)的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级,筛选出适宜的掺杂元素并指出了对应的实验制备环境,进一步根据带边能量位置对其电导性能机制进行了探讨.计算结果表明,SrSnO_(3)是一种基础带隙为3.55 eV、光学带隙为4.10 eV的间接带隙半导体,具有良好的透明性,电子的有效质量轻,利于n型电导.在富金属贫氧条件下,As,Sb掺杂SrSnO_(3)可以提升n型电导率;SrSnO_(3)的价带顶位于-7.5 eV处,导带底位于-4.0 eV处,其价带顶和导带底的能量位置均相对较低,解释了其易于n型掺杂而难于p型掺杂,符合宽带隙半导体材料的掺杂规律,最后,Sb掺杂SrSnO_(3)被提出为有前景的廉价n型透明导电材料. 展开更多
关键词 第一性原理计算 n型透明导电氧化物SrSnO_(3) 缺陷形成能 带边能量位置
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1英寸CsPbCl_(3)晶体的生长及其发光性能研究
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作者 王卿 武书凡 +3 位作者 陆枳岑 钱露 潘尚可 潘建国 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第4期578-583,612,共7页
CsPbX_(3)(X=Cl^(-), Br^(-), I^(-))钙钛矿单晶具有优异的光电性能,有望成为下一代光电探测材料。由于CsCl在前驱体中的溶解度过小,通过低温溶液法较难生长得到CsPbCl_(3)晶体。本工作采用坩埚下降法成功生长了1英寸完整的CsPbCl_(3)晶... CsPbX_(3)(X=Cl^(-), Br^(-), I^(-))钙钛矿单晶具有优异的光电性能,有望成为下一代光电探测材料。由于CsCl在前驱体中的溶解度过小,通过低温溶液法较难生长得到CsPbCl_(3)晶体。本工作采用坩埚下降法成功生长了1英寸完整的CsPbCl_(3)晶体,并对晶体进行了一系列加工,得到了ϕ10 mm×10 mm和厚度为2 mm的单晶片。测试了晶体的X射线粉末衍射图谱、TG/DTA曲线、X射线激发发射光谱、透过光谱和低温荧光光谱。在X射线的激发下,在430和575 nm观察到两个X射线激发发射峰,晶体的透过率达到75%;光致发光(PL)强度与温度依赖性曲线中可以观察到热猝灭现象,计算得到晶体4个峰的激子结合能分别为12.59、8.21、12.41和21.59 meV。 展开更多
关键词 钙钛矿单晶 CsPbCl_(3)晶体 坩埚下降法 光学带隙 低温荧光光谱 激子结合能
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N3敏化SrCO_(3)修饰纳米晶TiO_(2)电极的光电化学性质研究
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作者 王纪超 邓开坊 《河南化工》 CAS 2023年第11期25-30,共6页
研究了SrCO_(3)表面修饰对纳米晶TiO_(2)电极的光电性能的影响。SrCO_(3)修饰层的存在对电极的能带结构和陷肼态分布具有显著影响,能够有效抑制半导体电极表面的电荷复合,从而提高染料敏化太阳能电池的光电压和光电转化效率。结果显示,N... 研究了SrCO_(3)表面修饰对纳米晶TiO_(2)电极的光电性能的影响。SrCO_(3)修饰层的存在对电极的能带结构和陷肼态分布具有显著影响,能够有效抑制半导体电极表面的电荷复合,从而提高染料敏化太阳能电池的光电压和光电转化效率。结果显示,N3敏化一层SrCO_(3)修饰层的纳米晶TiO_(2)太阳能电池在100 mW/cm^(2)白光照射下的光电转化效率达7.46%,而未修饰的TiO_(2)电极的转化效率为6.12%,效率提高了21.9%。 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 SrCO_(3) 能带结构 陷阱态 光电转化效率
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LaRu_(3)Si_(2)中电子关联效应对完美笼目晶格和铁磁涨落的影响
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作者 王义林 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期8-13,69,共7页
一个完美的笼目晶格具有平带,这通常会导致强烈的电子关联效应,但是电子关联效应如何反过来稳定一个完美的笼目晶格却很少被探索。在本文中我们利用密度泛函理论结合U和动力学平均场理论,研究了由纯Ru离子组成的具有畸变笼目晶格的超导(... 一个完美的笼目晶格具有平带,这通常会导致强烈的电子关联效应,但是电子关联效应如何反过来稳定一个完美的笼目晶格却很少被探索。在本文中我们利用密度泛函理论结合U和动力学平均场理论,研究了由纯Ru离子组成的具有畸变笼目晶格的超导(T_(c)~7.8 K)笼目金属LaRu_(3)Si_(2)。我们发现,增加电子关联性可以稳定一个完美的笼目晶格,并在LaRu_(3)Si_(2)中诱导可观的铁磁涨落。通过将计算得到的磁化率与实验数据进行比较,我们发现LaRu_(3)Si_(2)正处于成为完美笼目晶格的边缘。因此,LaRu_(3)Si_(2)显示了可观的但不可忽略的电子关联效应和铁磁涨落,这对于理解实验观察到的非费米液体行为和相当高的超导转变温度是至关重要的。 展开更多
关键词 电子关联 笼目晶格 LaRu_(3)Si_(2) 铁磁涨落 平带
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Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉及其研究进展 被引量:32
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作者 张亮亮 张家骅 +4 位作者 郝振东 吴昊 潘国徽 武华君 张霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1449-1459,共11页
具有非损伤、快速检测特点的近红外光谱技术与近红外成像技术在食品成分检测、癌症早期诊断、脑科学等领域获得了越来越多应用,其面临的技术瓶颈之一就是缺乏一种具有小型化、快速响应特点的宽带近红外光源。为解决该问题,荧光粉转化的... 具有非损伤、快速检测特点的近红外光谱技术与近红外成像技术在食品成分检测、癌症早期诊断、脑科学等领域获得了越来越多应用,其面临的技术瓶颈之一就是缺乏一种具有小型化、快速响应特点的宽带近红外光源。为解决该问题,荧光粉转化的宽带近红外LED(pc-LED)逐渐在众多技术方案中脱颖而出。本综述重点总结了宽带近红外pc-LED核心材料Cr 3+掺杂的宽带近红外荧光粉的研究进展,并详细介绍了宽带近红外光源的应用背景及光源种类,总结了Cr 3+的发光特性。本综述针对Cr 3+掺杂的宽带近红外荧光粉需要解决的重要问题展开讨论,包含了效率提升、发射谱带展宽、电声耦合问题和应用探索四个方面,以帮助读者了解该研究课题的现状、面临问题及未来发展趋势。 展开更多
关键词 LED 近红外 荧光粉 宽带
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人类红细胞膜带3蛋白C端域Lys892~Phe895在Cl^-转运过程中作用的研究 被引量:6
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作者 刘利梅 傅国辉 +3 位作者 王天英 姜晓姝 郭卓维 史从宁 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-250,共6页
采用酵母表面展示系统 ,表达带 3蛋白膜段结构域 (Gln4 0 4~Val911)至酵母细胞膜 ,功能研究表明 ,表达后的膜段结构域具有离子转运的活性 ,同时 ,带 3蛋白抑制剂 4 ,4′ 二异硫氰 2 ,2′ 二黄酸芪 (DIDS)能够抑制其离子转运的功能 .利... 采用酵母表面展示系统 ,表达带 3蛋白膜段结构域 (Gln4 0 4~Val911)至酵母细胞膜 ,功能研究表明 ,表达后的膜段结构域具有离子转运的活性 ,同时 ,带 3蛋白抑制剂 4 ,4′ 二异硫氰 2 ,2′ 二黄酸芪 (DIDS)能够抑制其离子转运的功能 .利用PCR方法 ,以 pFAST Bac mdb3为模板扩增出带 3蛋白膜段结构域的 4种截断突变体 ,分别去除带 3蛋白C端域后 4个 (Ala90 8~Val911)、 16个 (Asp896~Val911)、 2 0个 (Lys892~Val911)、 32个(Asn880~Val911)氨基酸序列 ,测序后将其克隆至表达载体 pYD1上 ,构建酵母表达质粒 pYD1 Trunc4、pYD1 Trunc16、pYD1 Trunc2 0和 pYD1 Trunc32 ,诱导 4组突变体的蛋白质表达 .然后测定Cl-的转运活性 ,结果发现去除后 2 0个 (Lys892~Val911)氨基酸残基后 ,离子转运活性明显下降 ,而去除后 32个 (Asn880~Val911)后 ,离子转运没有进一步下降 ,说明Lys892~Phe895 4个氨基酸残基在带 展开更多
关键词 人类红细脑膜 3蛋白 C端域Lys892-Phe895 Cl-转运过程 截断突变体 酵母表面展示系统
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铁缺乏对红细胞膜带3蛋白结构相关酶的影响 被引量:4
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作者 李津婴 孙爱华 +2 位作者 沈小华 郭俊生 孟沛霖 《营养学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期25-30,共6页
方法:测定了10种红细胞酶。结果:1.缺铁性贫血大鼠红细胞中大多数胞浆酶活力呈代偿性增高,而带3膜绑酶无显著增高表现。2.酶的稳定性在胞浆酶和膜绑酶均明显下降,稳定性测值可作为反映红细胞寿命的一项指标。3.铁缺乏使与... 方法:测定了10种红细胞酶。结果:1.缺铁性贫血大鼠红细胞中大多数胞浆酶活力呈代偿性增高,而带3膜绑酶无显著增高表现。2.酶的稳定性在胞浆酶和膜绑酶均明显下降,稳定性测值可作为反映红细胞寿命的一项指标。3.铁缺乏使与CDB3结合的PFK、G3PD的活力与稳定性显著下降;带3蛋白分子降解、含量下降可能是缺铁红细胞膜绑酶病变的直接原因。4.适当的铁剂治疗对于缺铁红细胞酶稳定性的恢复有肯定作用。 展开更多
关键词 铁缺乏 3蛋白 红细胞
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3 mm波段烟幕插入损耗测量 被引量:2
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作者 彭树生 赵刚锋 +2 位作者 郭建广 殷兴辉 徐之材 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期626-629,652,共5页
为了满足3 mm波段烟幕辐射特性和插入损耗特性测量的需要,研制了3 mm波段烟幕特性自动测量系统-3 mm辐射源和3 mm辐射计/接收机一体机。一体机是对Dicke型辐射计的改进,在保持毫米波辐射计接收机高频前端不变的前提下,分别为辐射特性... 为了满足3 mm波段烟幕辐射特性和插入损耗特性测量的需要,研制了3 mm波段烟幕特性自动测量系统-3 mm辐射源和3 mm辐射计/接收机一体机。一体机是对Dicke型辐射计的改进,在保持毫米波辐射计接收机高频前端不变的前提下,分别为辐射特性测量和插入损耗特性测量设计了独立的被动通道和主动通道,并在窄带的插入损耗测量的主动通道增加了中频锁相环路。探讨了该系统的烟幕插入损耗特性测量方法,实验结果表明:该系统能满足3 mm波段烟幕特性自动化测量的要求。 展开更多
关键词 插入损耗 测量方法 3 mm波段 波辐射计 接收机 烟幕
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