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国家科技重大专项40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片项目在上海临港产业区启动
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《集成电路应用》 2015年第8期F0003-F0003,共1页
科技部曹健林副部长、上海市周波副市长专程来临港调研了临港产业区科技创新工作。同时出席了国家科技重大专项“40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片”项目的启动揭牌仪式。上海市经济和信息化委副主任傅新华、临港集团刘家平董事长出... 科技部曹健林副部长、上海市周波副市长专程来临港调研了临港产业区科技创新工作。同时出席了国家科技重大专项“40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片”项目的启动揭牌仪式。上海市经济和信息化委副主任傅新华、临港集团刘家平董事长出席揭牌仪式。揭牌仪式由上海市科委干频副主任主持,参加仪式的还有02专项咨询委员会马俊如主任、总体专家组王曦院士以及上海市科委、市发改委、市重大办、浦东新区政府、临港管委会等部门的相关领导。 展开更多
关键词 300毫米硅片 上海市科委 集成电路制造 临港产业 科技部 纳米 大专 揭牌仪式
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应用材料公司发布突破性300毫米铜电镀系统
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期79-79,共1页
关键词 应用材料公司 铜电镀 300毫米硅片 电化学镀
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应用材料公司发布突破性300毫米铜电镀系统推动互连技术突破90纳米界限
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《集成电路应用》 2003年第7期22-22,共1页
关键词 应用材料公司 300毫米硅片 电化学镀系统 90纳米
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莱迪思推出LatticeECP2系列低成本FPGA
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《电子测试(新电子)》 2006年第4期107-107,共1页
莱迪思半导体公司(Lardce)日前公布了其第二代EConomy Plus FPGA器件,LatticeECP2系列。采用富士通90纳米CMOS工艺和300毫米硅片,与130纳米的LatticeECP相比,新系列逻辑密度增加到70KLUT,18×18乘法器的数目增加到88个,I/O... 莱迪思半导体公司(Lardce)日前公布了其第二代EConomy Plus FPGA器件,LatticeECP2系列。采用富士通90纳米CMOS工艺和300毫米硅片,与130纳米的LatticeECP相比,新系列逻辑密度增加到70KLUT,18×18乘法器的数目增加到88个,I/O性能提高了50%多,还增强了配置能力,另外还首次增加了预置的400Mbps DDR2接口支持、配置位流加密和双重配置支持等功能。 展开更多
关键词 FPGA器件 莱迪思半导体公司 300毫米硅片 成本 CMOS工艺 90纳米 I/O性能 PLUS 逻辑密度 DDR2
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内存修正系统
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《集成电路应用》 2006年第5期44-44,共1页
紫外线激光内存修正设备9835能够用于200毫米和300毫米硅片。设备用于提升90纳米工艺以及更先进生产技术制造的动态随机存取存储器、静态随机存取存储器、嵌入式内存和其它应用激光熔断技术的产品的合格率,并且能够兼容下一代半导体器... 紫外线激光内存修正设备9835能够用于200毫米和300毫米硅片。设备用于提升90纳米工艺以及更先进生产技术制造的动态随机存取存储器、静态随机存取存储器、嵌入式内存和其它应用激光熔断技术的产品的合格率,并且能够兼容下一代半导体器件。0.35微米的激光波长光斑使设备可以满足90纳米以下的设计规则的需求。 展开更多
关键词 修正系统 内存 动态随机存取存储器 静态随机存取存储器 90纳米工艺 300毫米硅片 技术制造 应用激光 半导体器件 设计规则
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FPGA集成高速I/O、SERDES和结构化ASIC
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《电子设计技术 EDN CHINA》 2006年第4期24-24,共1页
莱迪思半导体公司最近推出针对高端应用的LatticeSC系统芯片FPGA系列。莱迪思称,该产品具备理想的整体性能。LatticeSC FPGA采用了富士通的90纳米CMOS工艺技术和300毫米硅片制造,能够加速芯片至芯片、芯片至存储器、高速串行、背板及... 莱迪思半导体公司最近推出针对高端应用的LatticeSC系统芯片FPGA系列。莱迪思称,该产品具备理想的整体性能。LatticeSC FPGA采用了富士通的90纳米CMOS工艺技术和300毫米硅片制造,能够加速芯片至芯片、芯片至存储器、高速串行、背板及网络数据通道的连通性。 展开更多
关键词 FPGA SERDES ASIC 高速 I/O 结构化 莱迪思半导体公司 300毫米硅片 系统芯片 集成
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