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300mm圆片后抛光清洗——满足纳米微粒去除的挑战(英文)
1
作者
Ping-chung Chen
Stcven He Wang
+1 位作者
Yi Wu
Quan Zhang
《电子工业专用设备》
2004年第1期51-56,共6页
随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战...
随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。
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关键词
300mm
圆片
湿式批量清洗
兆声单片清洗
纳米微粒去除
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职称材料
题名
300mm圆片后抛光清洗——满足纳米微粒去除的挑战(英文)
1
作者
Ping-chung Chen
Stcven He Wang
Yi Wu
Quan Zhang
机构
Semiconductor Precision Machinery Shangha
出处
《电子工业专用设备》
2004年第1期51-56,共6页
文摘
随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm^2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。
关键词
300mm
圆片
湿式批量清洗
兆声单片清洗
纳米微粒去除
Keywords
300mm wefer
Wet batch cleaning
Megasonic Single wafer cleaning
nano-particle removal
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
300mm圆片后抛光清洗——满足纳米微粒去除的挑战(英文)
Ping-chung Chen
Stcven He Wang
Yi Wu
Quan Zhang
《电子工业专用设备》
2004
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