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3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算
被引量:
3
1
作者
林龙
李先宏
+4 位作者
张波
张战营
张志华
陶华龙
何明
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期1668-1673,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。...
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-Si C的结构中,Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。
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关键词
稀磁半导体
电子结构
磁性
第一性原理
3c-碳化硅
原文传递
Co纳米颗粒低温催化合成3C-SiC纳米线及其光致发光性能
2
作者
王慧芳
张海军
+4 位作者
郝世明
李海生
毕玉保
姜威
柳菊荟
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期2483-2492,共10页
以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO_(3))_(3)·6H_(2)O为催化剂前驱体,在流动Ar气中合成了3C-SiC纳米线。研究了反应温度、催化剂用量对合成3C-SiC粉体反应的影响。用第一性原理计算分析了Co纳米颗粒的催化机理,研究了3C-SiC纳米线的...
以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO_(3))_(3)·6H_(2)O为催化剂前驱体,在流动Ar气中合成了3C-SiC纳米线。研究了反应温度、催化剂用量对合成3C-SiC粉体反应的影响。用第一性原理计算分析了Co纳米颗粒的催化机理,研究了3C-SiC纳米线的光致发光性能。结果表明:催化剂Co的引入降低了硅粉碳化反应生成SiC的开始反应温度和完全反应温度。催化剂Co的加入量为3%(质量分数)时,1573 K保温3 h反应后合成的3C-SiC纳米线的直径为50~60 nm,长度约几十微米,其生长机理主要为气-固反应。Co纳米颗粒与反应物之间的吸附作用降低了C=C键、C—O键和Si—O键的结合,从而促进了SiC的成核与生长。激发波长为254 nm时,3C-SiC纳米线的室温光致发光谱的特征峰在307 nm,该纳米线在光电子纳米材料领域有良好的应用前景。
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关键词
3c-碳化硅
纳米线
光致发光
第一性原理计算
钴纳米颗粒催化剂
膨胀石墨
原文传递
题名
3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算
被引量:
3
1
作者
林龙
李先宏
张波
张战营
张志华
陶华龙
何明
机构
河南理工大学材料科学与工程学院
大连交通大学材料科学与工程学院
河南理工大学数学与信息科学学院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期1668-1673,共6页
基金
国家自然科学基金(51172065)资助项目
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-Si C的结构中,Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。
关键词
稀磁半导体
电子结构
磁性
第一性原理
3c-碳化硅
Keywords
diluted magnetic semiconductor
electronic structure
magnetic
first principle
3
c-
silicon carbide
分类号
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
Co纳米颗粒低温催化合成3C-SiC纳米线及其光致发光性能
2
作者
王慧芳
张海军
郝世明
李海生
毕玉保
姜威
柳菊荟
机构
山西工程技术学院-矿区生态修复与固废资源化省市共建山西省重点实验室培育基地
武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室
河南科技大学物理工程学院
河南科技大学高温材料研究院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期2483-2492,共10页
基金
国家自然科学基金(11404098)
山西省基础研究计划自由探索类面上项目(20210302123427)
+2 种基金
山西省留学回国人员科技活动择优资助项目(20220038)
山西省回国留学人员科研资助(2020-151)
省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室开放基金(G202006,G202008)。
文摘
以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO_(3))_(3)·6H_(2)O为催化剂前驱体,在流动Ar气中合成了3C-SiC纳米线。研究了反应温度、催化剂用量对合成3C-SiC粉体反应的影响。用第一性原理计算分析了Co纳米颗粒的催化机理,研究了3C-SiC纳米线的光致发光性能。结果表明:催化剂Co的引入降低了硅粉碳化反应生成SiC的开始反应温度和完全反应温度。催化剂Co的加入量为3%(质量分数)时,1573 K保温3 h反应后合成的3C-SiC纳米线的直径为50~60 nm,长度约几十微米,其生长机理主要为气-固反应。Co纳米颗粒与反应物之间的吸附作用降低了C=C键、C—O键和Si—O键的结合,从而促进了SiC的成核与生长。激发波长为254 nm时,3C-SiC纳米线的室温光致发光谱的特征峰在307 nm,该纳米线在光电子纳米材料领域有良好的应用前景。
关键词
3c-碳化硅
纳米线
光致发光
第一性原理计算
钴纳米颗粒催化剂
膨胀石墨
Keywords
3
c-
silicon carbide nanowires
optoelectronic property
first-principles calculations
cobalt-nanoparticle catalysts
expanded graphite
分类号
TQ174.7 [化学工程—陶瓷工业]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算
林龙
李先宏
张波
张战营
张志华
陶华龙
何明
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
原文传递
2
Co纳米颗粒低温催化合成3C-SiC纳米线及其光致发光性能
王慧芳
张海军
郝世明
李海生
毕玉保
姜威
柳菊荟
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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