多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉

采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同),90.87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-S1C微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明:碳与硅物质的量比为1.05:1时,合成的3C-S1C微粉SiC的纯度达到99.99%;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-S1C微粉,微粉的平均粒径2。可达21.7叩;在1300~1800内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3.212 g/cm3.