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多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉
被引量:
4
1
作者
邓丽荣
王晓刚
+4 位作者
陆树河
樊子民
王嘉博
王行博
裴志辉
《中国粉体技术》
CAS
CSCD
2020年第2期29-34,共6页
采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同),90.87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-S1C微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明...
采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同),90.87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-S1C微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明:碳与硅物质的量比为1.05:1时,合成的3C-S1C微粉SiC的纯度达到99.99%;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-S1C微粉,微粉的平均粒径2。可达21.7叩;在1300~1800内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3.212 g/cm3.
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关键词
多热源真空合成法
高纯度
高密度
大粒径
3c-sic微粉
下载PDF
职称材料
题名
多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉
被引量:
4
1
作者
邓丽荣
王晓刚
陆树河
樊子民
王嘉博
王行博
裴志辉
机构
西安科技大学材料科学与工程学院
西安博尔新材料有限责任公司
出处
《中国粉体技术》
CAS
CSCD
2020年第2期29-34,共6页
基金
国家自然科学基金项目,编号:51074123
陕西省科技统筹计划项目,编号:2016KTCQ01-97
文摘
采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同),90.87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-S1C微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明:碳与硅物质的量比为1.05:1时,合成的3C-S1C微粉SiC的纯度达到99.99%;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-S1C微粉,微粉的平均粒径2。可达21.7叩;在1300~1800内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3.212 g/cm3.
关键词
多热源真空合成法
高纯度
高密度
大粒径
3c-sic微粉
Keywords
vacuum synthesis with multiple heat sources
high purity
high density
large particle size
3
c-sic
micropowder
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉
邓丽荣
王晓刚
陆树河
樊子民
王嘉博
王行博
裴志辉
《中国粉体技术》
CAS
CSCD
2020
4
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