基于3D动态蒙特卡罗的POM分子闪存器件充放电仿真研究

随着存储数据容量不断增加,需要更好地了解新型存储设备的工作原理才能快速发展下一代技术。基于多金属氧酸盐(POM)分子的新型闪存器件的优异特性为存储器件的持续小型化发展提供了可能。为此,文中以仿真框架NESS为基础,首次提出利用3D动态蒙特卡罗(KMC)研究基于[M18O54(SeO_(3))_(2)]^(4-)POM分子的闪存器件充放电特性,包括写、擦除和保持过程。基于POM分子闪存器件的模拟域,得到操作电压对写、擦除时间以及隧穿功耗的影响程度,从而分析器件保持特性。仿真结果表明:操作电压对隧穿功耗会产生显著影响,因此实现时间和功耗的折衷需选取合适的操作电压;同时,POM分子闪存器件具有显著的保持特性优势。