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3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器(英文)
被引量:
3
1
作者
陈普锋
李志强
+2 位作者
黄水龙
张海英
叶甜春
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2106-2109,共4页
利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作于2.83至3.25GHz频段内,调谐范围达到13.8%.当工...
利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作于2.83至3.25GHz频段内,调谐范围达到13.8%.当工作于3.22GHz时,测得的相位噪声在1MHz频偏处为-111dBc/Hz.在1.8V电源电压下,核心模块消耗电流小于2mA.表明该电路适合5GHz的无线局域网接收机以及3.4至3.6GHz的全球微波互联接入(WiMAX)应用.
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关键词
3ghz
lc
压控振荡器
相位噪声
自偏置电流源
互补-MOS型集成电路
原文传递
题名
3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器(英文)
被引量:
3
1
作者
陈普锋
李志强
黄水龙
张海英
叶甜春
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2106-2109,共4页
基金
the National Natural Science Foundation of China(No.60276021)
the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2002CB311901)~~
文摘
利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作于2.83至3.25GHz频段内,调谐范围达到13.8%.当工作于3.22GHz时,测得的相位噪声在1MHz频偏处为-111dBc/Hz.在1.8V电源电压下,核心模块消耗电流小于2mA.表明该电路适合5GHz的无线局域网接收机以及3.4至3.6GHz的全球微波互联接入(WiMAX)应用.
关键词
3ghz
lc
压控振荡器
相位噪声
自偏置电流源
互补-MOS型集成电路
Keywords
3ghz lc vco
phase noise
self-biasing current source
CMOS
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器(英文)
陈普锋
李志强
黄水龙
张海英
叶甜春
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
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