稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu^(3+)位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。

双核双配体稀土配合物Tb_(1-x)Eu_x(TTA)_3Phen的合成及光学性能研究

合成了系列铕铽双核稀土有机稀土配合物Tb1-xEux(TTA)3Phen,通过差热-热重分析、XRD、红外光谱、紫外光谱和荧光光谱等测试手段研究了配合物的组成、结构和发光性质。由紫外可见光谱可以看出,稀土有机配合物的吸收峰主要来自有机配体HTTA和1,10-Phen;差热-热重分析证明,稀土有机配合物热稳定性较好。荧光光谱和电致发光表明,铽对铕配合物的发光有协同作用。在该系列配合物中,不仅有机配体可以将吸收的能量传递给发光的铕离子使其发光,而且铽离子也可将其吸收的能量通过分子内能量传递给铕离子,增强铕的发光强度。同时就双核稀土有机配合物光致发光和电致发光的特性及掺杂体系的能量传递过程进行了讨论。

共掺杂稀土配合物Tb_(0.5)Eu_(0.5)(asprin)_3phen电致发光的研究

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构为ITO PVK∶RE配合物 PBD Al的电致发光器件。与PVK∶Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比,我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光,增强铕的发光,而Tb3+本身的发光很弱,几乎看不到,说明Tb3+在其中起到能量的中间传递作用,促进了PVK到Eu3+的能量传递。本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。

Eu(BA)_3phen的晶体结构和荧光光谱

标题配合物晶体属三斜晶系，Ｐ１空间群，晶胞参数ａ＝１０７９２（２）ｎｍ，ｂ＝１１８９６（２）ｎｍ，ｃ＝１２４４６ｎｍ，α＝１０５１２（３）°，β＝９３７６（３）°，γ＝１１３１９（３）°，Ｖ＝１３９２（１）ｎｍ－３，Ｚ＝２，Ｄｘ＝１６５９ｇ·ｃｍ－３。配合物晶体由双核分子组成，两个中心Ｅｕ３＋通过羧基桥联，它们的化学环境相同。Ｅｕ３＋的配位数为８，其配位多面体为一畸变的四方反棱柱体。在７７Ｋ配合物的荧光光谱说明配合物中仅存在一种Ｅｕ３＋格位。

静电纺丝制备Eu(BA)_3phen/PANI/PVP光电双功能复合纳米纤维及其性能

采用静电纺丝技术将聚苯胺(PANI)和稀土配合物Eu(BA)3phen掺杂到高分子材料聚乙烯吡咯烷酮(PVP)中,制备出新型的具有光电双功能的Eu(BA)3phen/PANI/PVP复合纳米纤维.采用扫描电子显微镜、X射线能量色散谱仪、荧光光谱仪及宽频介电松弛谱仪对样品进行了表征.实验结果表明,复合纳米纤维直径为(270±31)nm.在275 nm紫外光激发下,Eu(BA)3phen/PANI/PVP复合纳米纤维发射出主峰位于580,594和617 nm的红光,对应于Eu3+的5D0→7F0,5D0→7F1和5D0→7F2跃迁.当m[Eu(BA)3phen]∶m(PANI)∶m(PVP)=15∶10∶100时,复合纳米纤维的荧光发射最强.复合纤维的电导率随PANI含量的增大而升高.在m(PANI)∶m(PVP)=50∶100时,其电导率在高频(106Hz)下达到1.5×10-6S/cm.

稀土配合物Eu(TTA)_3Phen掺杂的PMMA树脂的制备及其发光性能研究

用新的合成方法合成了稀土配合物Eu(TTA) 3Phen。研究了该配合物的IR、UV、TGA、元素分析和荧光光谱。该配合物具有良好的发光性能和热稳定性。采用加热方法将Eu(TTA) 3Phen掺入PMMA树脂中 ,制成发光塑料树脂 ,并测定其发光性能。结果表明 ,Eu(TTA) 3Phen掺入PMMA树脂后仍保持该稀土配合物原有的发光特性 ,制成的Eu(TTA) 3Phen -PMMA树脂复合材料具有良好的发光性能 ,其发光强度与Eu(TTA) 3Phen掺入的含量有关。

新型无机/有机复合发光材料Eu(aspirin)_3phen-MCM-41的光学性能

在室温下,将MCM-41和热处理后的发光客体Eu(aspirin)3phen进行组装,通过XRD、N2-吸脱附和PL等表征技术对组装体进行了研究,考察其光致发光性能。结果表明:Eu(aspirin)3phen进入MCM-41孔道后,充当了'二次模板剂',使MCM-41的骨架有序性增加。经热处理后Eu(aspirin)3phen与MCM-41组装后,组装体的发光强度与相应Eu(aspi-rin)3phen粉末相当。未焙烧的MCM-41表面和稀土有机配合物成键后,Eu(aspirin)3phen分子出现反演中心,5D0→7F2跃迁明显减弱,而焙烧后MCM-41表面对Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁强度没有影响。

沉积法自组装三维有序的Eu(DBM)_3Phen/SiO_2胶体球(英文)

采用修饰的St ber法合成了300 nm的Eu(DBM)3Phen/SiO2胶体杂化球,并通过沉积法将这种胶体杂化球组装成厚度为5 mm,面积为12 cm2的三维有序结构。通过扫描电子显微镜观察发现这些胶体球在垂直于烧杯底面的所有层面中都显示了立方密堆积的结构。元素分析进一步证实了荧光分子被包埋在SiO2胶体球中。在355 nm的激发下,这种三维有序结构具有铕离子的特征发射。

Tb(DBM)_3phen/APTES-SBA-15介孔复合体系的制备与表征

以三嵌段化合物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为无机硅源合成了有序介孔分子筛SBA-15.选择Tb(DBM)3phen为客体,纳米级介孔分子筛为主体,在氯仿中进行分子组装,制备具有强发光性能的超分子纳米复合材料Tb(DBM)3phen/APTES-SBA-15.采用XRD,HRTEM,N2吸附/脱附,FTIR和荧光光谱分析等对复合材料的结构与性能进行了研究.

Eu（MBA）_2NO_3Phen配合物的发光光谱

在７７Ｋ测定了Ｅｕ（ｏ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ和Ｅｕ（ｍ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物的激发光谱，发光光谱和时间分辨光谱。光谱数据说明由于邻甲基的位阻影响，在Ｅｕ（ｏ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物里存在化学环境稍有不同的两种Ｅｕ￣（３＋）格位，它们的局部对称性分别为ｃ＿２ｖ和ｃ＿１，ｃ＿２或ｃ＿ｓ。在Ｅｕ（ｍ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物里，仅存在一种Ｅｕ￣（３＋）格位，它类似于前一个配合物的ｃ＿２ｖ对称性的Ｅｕ￣（３＋）格位。

聚甲基丙烯酸甲酯对Eu(DBM)_3Phen配合物荧光性质的影响

通过将合成的稀土络合物Eu(DBM)3Phen掺杂到等离子法合成的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,制备出含不同分子量PMMA的Eu(DBM)3Phen/PMMA复合膜,并研究了PMMA聚合度对复合膜荧光性能的影响.结果表明,Eu(DBM)3Phen能够很好地分散在PMMA聚合膜中,这种复合膜显示出很强的橙红色荧光,并且复合膜的荧光强度随着聚合物分子量的增加而增强.

稀土配合物Gd(TTA)_3Phen的两种不同效应

研究了稀土配合物Gd(TTA) 3Phen(TTA =噻吩甲酰三氟丙酮 ;Phen =邻菲咯啉 )的 2种不同效应 ,即作为光致发光中分子间能量转移的能量给体和电致发光中的电子转移层的性质 ,这些性质是由配合物中的中心离子Gd(Ⅲ )的电子层结构决定 .

可聚合稀土荧光配合物Eu(MAA)_3Phen的制备及表征

以甲基丙烯酸为第一配体、邻菲罗啉为第二配体、铕离子为中心离子,合成一种可聚合稀土荧光配合物单体,通过元素测试、FT-IR对其组成、结构进行分析,证明配合物中含有能够进行聚合反应的双键,并确定其结构式为Eu(MAA)3Phen.通过TGA和溶解性测试对配合物性能进行研究,结果表明:配合物具有良好的热稳定性,初始分解温度达到297℃;配合物溶解性能良好,可溶于常见极性溶剂.采用荧光分光光度计测试配合物的荧光性能,结果表明其具有较高的荧光强度和色纯度,可作为一种高效的稀土红光材料.

Eu(Sal)_3Phen的荧光性能及其合成工艺的研究

详细考察了合成工艺(加料方式和加料顺序)对稀土有机三元配合物铕-啉菲咯啉-水杨酸(Eu(Sal)3Phen)荧光性能的影响,发现单体的添加方式和添加顺序对Eu(Sal)3Phen的荧光性能有影响;对Eu(Sal)3Phen做了红外光谱表征(IR),表明所采用的工艺条件可以生成Eu(Sal)3Phen配合物;且对各种工艺条件下合成的Eu(Sal)3Phen做了相态结构观察(SEM)、X射线衍射分析(XRD),发现凡是在能合成荧光性能较好的Eu(Sal)3Phen的工艺条件下合成的Eu(Sal)3Phen的结构较规整,结晶性好。从而表明,合成结构规整,结晶性好的稀土有机配合物是提高其荧光性能的重要因素之一。

系列稀土配合物Re_(1-x)Tb_x(TTFA)_3Phen的合成及光学性能研究

合成了以TTFA、1,10-Phen为第一和第二配体的系列铕和钐、铽(用Re表示钐、铕)双核稀土有机配合物Re1-xTbx(TTFA)3Phen,测试了不同掺杂浓度的各个配合物的紫外吸收光谱和荧光光谱。由紫外吸收光谱可以看出,稀土有机配合物的吸收峰主要来自有机配体。讨论了配合物的传能机理。荧光光谱表明,铽离子对钐离子有敏化效应,铽离子对铕离子有强烈的敏化效应。

Eu(dbm)_3phen/SiO_2@KH570-NH_2核壳结构微球的制备及其性能表征

将由二苯甲酰甲烷、1,10-菲罗啉及氯化铕三者合成的荧光配合物Eu(dbm)3phen嵌入于用水刻蚀法制得的二氧化硅微球,得到Eu(dbm)3phen/SiO_2复合微球。为解决上述复合微球易泄漏的问题,在微球表面包覆了一层约10nm厚的γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷,形成核-壳结构,并通过与甲基丙烯酸缩水甘油酯的聚合反应,使微球表面带上环氧基团。通过环氧基团与乙二胺的开环反应,使微球表面带有氨基,其荧光强度可保持为原强度的72%,并便于与抗体连接。通过激发粒径仪、扫描电镜等多种方法对此材料的结构及性能作了表征。结果表明该材料有条件用作荧光免疫检测中生物分子的标记。

Tb（aspirin）3phen和MCM-41组装体的光谱研究

将MCM-41和客体Tb（aspirin）3phen进行组装，采用XRD、IR和PL进行了表征，探讨了主体McM-41和客体Tb（aspirin）1phen间的相互影响。MCM-41焙烧后再进行组装，Tb（aspirin）3phen可增加MCM-41的骨架有序性，充当“二次模板剂”的作用。IR谱图中，Tb（aspirin）3phen-MCM-41组装体在波数1384cm^-1处明显保留了Tb-N键的振动吸收。405nm发射峰强度，L和544nm发射峰强度，ILn的比值I，与McM-41不同的表面环境有关，且McM-41的不同表面环境对配体phen三重态和单重态能级的影响顺序为：MCM-41B外表面〉MCM-41A外表面〉McM-41A内表面。

稀土配合物Tb(3-metho)_3phen掺杂的有机电致发光

合成了一种新型稀土配合物Tb(3 metho)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性,并对掺杂薄膜进行了荧光、电致发光和形貌的研究,实验表明,存在聚合物到稀土配合物的能量传递,利用能量传递我们得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光器件。

载体MCM-41对Tb(aspirin)_3phen发光性能的影响

在室温下,乙二胺环境中合成了高度有序的介孔材料MCM-41,并将经热处理的发光客体Tb(aspi-rin)3phen组装进其孔道,通过激发发射光谱对其光致发光性能进行了研究。结果表明,Tb(aspirin)3phen240～375 nm区间的宽激发峰归属于配体aspirin羰基n→π*跃迁、苯环π→π*跃迁,和phen的杂菲基团吸收,Tb3+的特征发射是由于Antenna效应引起的。相对于纯Tb(aspirin)3phen,Tb(aspirin)3phen-MCM-41B和Tb(aspirin)3phen/MCM-41A的激发谱带出现了明显的分裂,而Tb(aspirin)3phen-MCM-41A只在353nm处剩下了相对较窄的单峰。Tb(aspirin)3phen-MCM-41B,Tb(aspirin)3phen/MCM-41A和Tb(aspirin)3phen-MCM-41A的短波段激发峰依次减弱消失,长波段激发峰逐渐增强,而405 nm发射峰强度IL和544 nm发射峰强度ILn的比值I(I=IL/ILn)依次减小。MCM-41骨架与Tb(aspirin)3phen成键后,不同程度降低了配体aspirin和phen单重态S1和三重态T1能级,且对phen的影响大于aspirin。不同的MCM-41表面晶格场对配体能级的影响顺序为:MCM-41B外表面>MCM-41A外表面>MCM-41A内表面。I值可定性表示MCM-41表面晶格场对配体能级影响程度和MCM-41表面Tb(aspirin)3phen的含量。

掺Eu(DBM)_3phen的PE膜的发光性能研究

制备了含稀土配合物Eu(DBM)_3phen的PE荧光膜,研究了膜的紫外吸收光谱和荧光光谱,并与配合物在丙酮溶剂中的光谱作了对比。结果发现Eu(DBM)_3phen在PE膜中的紫外吸收光谱发生了红移,荧光发射谱变宽,常温下配合物及其PE膜在紫外光下发出强的红光,主要是Eu^(3+)的~5DO→~7F_2的跃迁。