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4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性
被引量:
1
1
作者
祁金伟
田凯
+1 位作者
张勇
张安平
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第8期609-616,共8页
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(...
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(Vth),而动态特性则重点研究了开关能量损耗(ESW)随温度的变化。首次在低温下针对与沟道缺陷相关的4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET的动态导通电阻退化机理进行了定量化分析。实验结果发现4H-SiC平面型MOSFET器件的开启瞬态的延迟较小短,而4H-SiC沟槽型MOSFET器件表现出显著的开启瞬态延迟和动态导通电阻退化现象,在低温下动态电阻退化现象更为严重。CV特性曲线显示动态导通电阻退化是由于沟槽型器件沟道中与工艺相关的缺陷造成的。随着4HSiC沟槽型MOSFET器件制备工艺的不断成熟,工艺相关的缺陷有望得到缓解,从而从根本上消除动态导通电阻的退化。
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关键词
4
h-
碳化硅(
sic
)
平面型MOSFET
沟槽型MOSFET
温度效应
动态导通电阻退化
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性
被引量:
1
1
作者
祁金伟
田凯
张勇
张安平
机构
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
东莞清芯半导体科技有限公司
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第8期609-616,共8页
基金
National Key Research and Development Program(2017YFB1200902-09)
Dongguan Introduction Program of Leading Innovative and Entrepreneurial Talents。
文摘
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(Vth),而动态特性则重点研究了开关能量损耗(ESW)随温度的变化。首次在低温下针对与沟道缺陷相关的4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET的动态导通电阻退化机理进行了定量化分析。实验结果发现4H-SiC平面型MOSFET器件的开启瞬态的延迟较小短,而4H-SiC沟槽型MOSFET器件表现出显著的开启瞬态延迟和动态导通电阻退化现象,在低温下动态电阻退化现象更为严重。CV特性曲线显示动态导通电阻退化是由于沟槽型器件沟道中与工艺相关的缺陷造成的。随着4HSiC沟槽型MOSFET器件制备工艺的不断成熟,工艺相关的缺陷有望得到缓解,从而从根本上消除动态导通电阻的退化。
关键词
4
h-
碳化硅(
sic
)
平面型MOSFET
沟槽型MOSFET
温度效应
动态导通电阻退化
Keywords
4
h-
silicon carbide(
sic
)
planar MOSFET
trench MOSFET
temperature effect
degradation of dynamic on-resistance
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性
祁金伟
田凯
张勇
张安平
《微纳电子技术》
北大核心
2020
1
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职称材料
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