4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型

采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 。

4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

采用载流子速度饱和理论 ,建立了包含“自热效应”影响的适用于 4H SiCMESFET的大信号输出I V特性解析模型 ,在模型中引入了温度变化的因素 ,提出了非恒定衬底环境温度T0 的热传导模型 ,模拟结果与实验值一致 。

SiH_4射频放电功率耗散机制的光发射研究

采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中 ,其等离子体状态分别发生性质不同的转变 ,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时 ,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应 ;而在放电功率升高的过程中 ,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析 。

基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析

在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显。

基于广义改进型Hammerstein模型的宽带射频功率放大器建模

为了提高AH模型的建模精度,该文在AH模型的带记忆弱非线性模块中引入滞后包络项和超前包络项,用于仿真功率放大器的滞后包络效应和超前包络效应,从而构建出广义改进型Hammerstein模型(GAH)。通过实验比较了GAH模型和AH、记忆多项式、分数阶记忆多项式以及广义记忆多项式模型的建模精度和模型复杂度。实验结果显示GAH模型能在很低的计算复杂度下很好地表征功率放大器的记忆效应。

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。

2．4G射频双向功放的设计与实现

在两个或多个网络互连时，无线局域网的低功率与高频率限制了其覆盖范围，为了扩大覆盖范围，可以引入蜂窝或者微蜂窝的网络结构或者通过增大发射功率扩大覆盖半径等措施来实现。前者实现成本较高，而后者则相对较便宜，且容易实现。现有的产品基本上通信距离都比较小，而且实现双向收发的比较少。本文主要研究的是距离扩展射频前端的方案与硬件的实现，通过增大发射信号功率、放大接收信号提高灵敏度以及选择增益较大的天线来实现，

一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型

提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改进模型,沟道长度调制系数和饱和电压系数采用了栅源电压的一次函数建模;大信号电容模型采用电荷-电压(Q-V)的电容积分形式.该大信号模型已经应用在CAD工具中.模拟结果与实验结果符合良好,模型的有效性得到验证.

一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法

提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径。模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计。

一种便携式射频功率测量模块的设计

射频信号功率是射频微波设备的一项重要指标。结合气象雷达经常位于崇山峻岭或荒郊野外,雷达天线罩内或天线阵下缺少或没有交流电供电的特点,一线维修维护人员提出测量设备要方便携带和使用的需求。针对中国气象局气象雷达广泛采用的P/L/S频段以及相关待测信号特点,设计了一种电池供电的功率测量模块,采用MINI公司射频功率传感器模块ZX47-40+实现射频功率到直流电压的转换,通过采样保持电路将直流电压信号送到处理器STM32L4进行模数转换并显示在LED屏幕上。该模块小巧轻便、测量准确,在实际使用中受到雷达基站和一线维修维护人员的欢迎。

用于4G蜂窝基站的突破性射频电路

四款ADRF670x产品将高动态范围模拟I／Q调制器、RF输出开关和PLL（锁相环）与集成式VCO（压控振荡器）集成在一个紧凑型RFIC中。其调制器输入带宽为500MHz，能支持规定的频段或复杂的IF上变频发送信号通道。此外，调制器输出支持用于宽带多载波LTE应用的线性高输出功率水平。

川Quint推出用于下一代3G／4G智能手机的集成式多频带多模式功率放大器

9月25日，技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司宣布推出一款多频带、多模式的功率放大器（MMPA）——TQM7M9053，能简化用于下一代全球3G／4G智能手机和其它移动设备日益复杂的射频前端。这个紧凑、高度集成的TRIUMF多频多模功率放大器实现了业界最佳的功率附加效，提供多达15％以上的浏览时间。

基于MIMO-OFDM的新一代移动通信射频子系统设计

4G TDD模式移动试验系统采用MIMO-OFDM等物理层关键技术,MT与AP端射频子系统基本功能相同,系统采用功率回退方式克服OFDM多载波造成的高峰均功率比的问题,各路平均发射功率MT较AP小3dB,并采用3.5GHz空间传播模型对空间链路及覆盖进行了计算。在发射机和接收机的设计中,以接收机为例,分析了接收链路指标分配情况;同时重点介绍了功放和低噪放的设计并对仿真曲线进行了分析。最后测试结果表明,射频子系统各项指标达到了系统总体要求。

Digi-Key现在库存Cree的SiC RF功率MESFET

日前，电子组件经销商Digi-Key Corporation与宽禁带晶体管及射频集成电路（RFIC）的领先者Cree．Inc．（Nasdaq股市代号：CREE）共同宣布。Digi-Key现在库存并准备发运Cree的碳化硅（SiC）金属半导体场效应晶体管（MESFET）。

CF_4,CH_4制备氟化非晶碳薄膜工艺研究

以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜。发现薄膜的沉积速率和射频功率几乎成正比关系,薄膜中氟的存在是导致薄膜具有紫外吸收特性的根本原因;用傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析可知薄膜中有C-F基团的存在,使得薄膜的介电常数降低;合理控制沉积条件,可获得理想的电介质薄膜。

ANADIGICS:面向3G、走向4G

从1985年成立至今,ANADIGICS公司已经承载了25年的发展历史。公司主要专注于GaAs领域内半导体元件的生产,在无线手机、无线通信基础设施、有线电视应用等三大通信领域,能够提供完善的射频集成电路解决方案。在3G市场领域,ANADIGICS公司是功率放大器（PA）的主要供应商，

笙科发表新一代Zigbee/RF4CE无线射频收发晶片

笙科电子(AMICCOM)发表新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC晶片A8153,该晶片RF部份是依ZigbeePHY层与MAC层的2.4GHz射频设计,并整合高效能的1TPipeline8051MCU,内建32KbytesFlash、2KbytesSRAM,配备UART、I2C与SPI等数位介面,2个Channel的PWM输出,并提供2线式的ICE介面,并可使用KeilC开发与除错。