1
|
功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立 |
苏乐
王彩琳
谭在超
罗寅
杨武华
张超
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2024 |
0 |
|
2
|
高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
|
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
|
2024 |
0 |
|
3
|
40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 |
王军
王林
王丹丹
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
5
|
|
4
|
单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型 |
吕懿
张鹤鸣
胡辉勇
杨晋勇
殷树娟
周春宇
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
1
|
|
5
|
65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制 |
马武英
姚志斌
何宝平
王祖军
刘敏波
刘静
盛江坤
董观涛
薛院院
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2018 |
2
|
|
6
|
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究 |
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
|
《电气技术》
|
2020 |
0 |
|
7
|
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响 |
郝敏如
胡辉勇
廖晨光
王斌
赵小红
康海燕
苏汉
张鹤鸣
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2017 |
2
|
|
8
|
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 |
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2020 |
2
|
|
9
|
金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
|
《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
|
2020 |
0 |
|
10
|
窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
|
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2003 |
0 |
|
11
|
金属——氧化物——半导体场效应晶体管(MOSFET) |
吴腾奇
|
《广东电子》
|
1994 |
0 |
|
12
|
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
|
《现代雷达》
CSCD
北大核心
|
2024 |
0 |
|
13
|
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 |
郑齐文
崔江维
王汉宁
周航
余徳昭
魏莹
苏丹丹
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
4
|
|
14
|
530~650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 |
刘洪军
傅义珠
李相光
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
3
|
|
15
|
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
|
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
1
|
|
16
|
硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 |
朱兆旻
张存
|
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2014 |
1
|
|
17
|
金属氧化物半导体场效应管 |
|
《现代显示》
|
2007 |
0 |
|
18
|
1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究 |
李尧
牛瑞霞
王爱玲
王奋强
蓝俊
张栩莹
张鹏杰
刘良朋
吴回州
|
《半导体光电》
CAS
北大核心
|
2024 |
0 |
|
19
|
高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究 |
游海龙
蓝建春
范菊平
贾新章
查薇
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2012 |
11
|
|
20
|
新型金属氧化物半导体场效应晶体管探测器在放疗剂量监控中的应用 |
祁振宇
邓小武
黄劭敏
康德华
Anatoly Rosenfeld
|
《中华放射肿瘤学杂志》
CSCD
北大核心
|
2006 |
8
|
|